KCT033N08N TOLL-8L 現貨批發 國產替代進口 優化整機生產成本
80V200A 大電流 MOS，低熱阻封裝，適配 DC-DC 車載電源方案
KCT033N08N 參數，TOLL-8L 80V MOS 選型，低 Crss 抗振蕩功率 MOS, 車載電源 MOS 管，DC-DC 大電流轉換 MOS,BMS 保護貼片 MOS,KIA 原廠 MOS, 低熱阻 TOLL8L 場效應管
KCT033N08N TOLL-8L 80V200A低內阻功率MOS完整參數規格
一、KCT033N08N產品基礎訂單信息
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項目
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參數詳情
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完整料號
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KCT033N08N，絲印KCT033N08N
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品牌廠商
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KIA KMOS Semiconductor
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封裝形式
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TOLL-8L 貼片大電流功率封裝
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額定規格
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80V Vds，200A 25℃連續漏極電流
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導通內阻典型值
|
Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V
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出廠品質檢測
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100%DVDS耐壓、100%雪崩能量全檢
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環保等級
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RoHS合規、HF無鹵素環保器件
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包裝規格
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編帶托盤，單卷2000pcs
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二、KCT033N08N核心產品特性 Features
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1. 超低導通內阻，典型Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V
|
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2. 低總柵電荷Qg，典型值僅94nC，開關損耗更低
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3. 極小反向傳輸電容Crss，典型僅49pF，抑制米勒振蕩
|
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4. 極低導通損耗，優異FOM優值系數，能效更高
|
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5. 出廠100%耐壓、雪崩能量雙重全檢，一致性穩定
|
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6. TOLL-8L大散熱焊盤，適配超大電流大功率場景
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三、KCT033N08N標準應用場景 Applications
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1. 大功率直流無刷電機驅動電路
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2. 大電流DC-DC升降壓轉換電源模塊
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3. 電動車、儲能鋰電池管理BMS系統
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4. 大功率負載開關、工業伺服驅動電源
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四、KCT033N08NTOLL-8L引腳與內部結構
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引腳定義
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功能說明
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Gate
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柵極信號控制引腳
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Drain
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漏極高壓功率引腳（多焊盤并聯）
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Source
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源極低電位功率引腳（大面積散熱焊盤）
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內部結構
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N溝道功率MOS并聯內置續流體二極管
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五、KCT033N08N絕對最大額定值 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
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參數名稱
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符號
|
額定數值
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單位
|
|
漏源擊穿電壓(VGS=0V)
|
VDS
|
80
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
200
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID
|
140
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
ID(pulse)
|
800
|
A
|
|
柵源耐受電壓范圍
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
749
|
mJ
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
236
|
W
|
|
體二極管連續正向電流
|
IS
|
200
|
A
|
|
二極管脈沖峰值電流
|
IS(pulse)
|
800
|
A
|
|
工作/存儲溫度區間
|
TJ,Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
|
結到外殼熱阻最大值
|
RthJC
|
0.53
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻最大值
|
RthJA
|
50
|
℃/W
|
六、KCT033N08N靜態電氣參數 Static Characteristics(Tj=25℃)
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參數名稱
|
符號
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
80
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
25℃零柵壓漏電流
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
150℃零柵壓漏電流
|
IDSS
|
-
|
-
|
100
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
柵源漏電流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(th)
|
2
|
-
|
4
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
導通內阻
|
RDS(on)
|
-
|
2.1
|
3.3
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=70A
|
|
器件內置柵極電阻
|
RG
|
-
|
1.3
|
-
|
Ω
|
f=1.0MHz
|
七、KCT033N08N動態電容與柵電荷參數 Dynamic Characteristics
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參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
6239
|
pF
|
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
1754
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
49
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
Qg
|
94
|
nC
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
27
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
20
|
nC
|
|
柵極平臺電壓
|
Vplateau
|
4.6
|
V
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
八、KCT033N08N開關時序參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
開通延遲時間td(on)
|
td(on)
|
26
|
ns
|
VGS=10V,VDD=40V,RG=3Ω,ID=70A
|
|
開通上升時間tr
|
tr
|
70
|
ns
|
|
關斷延遲時間td(off)
|
td(off)
|
85
|
ns
|
|
關斷下降時間tf
|
tf
|
30
|
ns
|
九、KCT033N08N體二極管電氣特性 Body Diode Characteristics
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
體二極管正向壓降
|
VSD
|
0.83
|
1.4
|
V
|
Tj=25℃,IS=70A,VGS=0V
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
110
|
-
|
ns
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
310
|
-
|
nC
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
十、KCT033N08N11組典型特性曲線圖完整說明
|
Fig1：瞬態熱阻抗曲線，多占空比D脈沖對比
|
|
Fig2：安全工作區SOA ID-VDS，不同脈沖時長曲線
|
|
Fig3：輸出特性ID-VDS，多VGS驅動電壓對比
|
|
Fig4：轉移特性ID-VGS，25℃常溫曲線
|
|
Fig5：導通內阻Rds(on)隨漏極電流ID變化曲線
|
|
Fig6：Ciss/Coss/Crss電容隨VDS電壓變化曲線
|
|
Fig7：柵電荷Qg-VGS充放電特性曲線(ID=70A)
|
|
Fig8：體二極管正向IS-VSD輸出特性曲線
|
|
Fig9：歸一化擊穿電壓BVdss隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig10：歸一化Rds(on)導通內阻隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig11：歸一化閾值電壓VGS(th)隨結溫TJ變化曲線
|
十一、KCT033N08N三類測試電路與波形說明
|
FigA：柵電荷測試電路及VGS-Qg米勒區域波形圖
|
|
FigB：電阻負載開關測試電路、開通/關斷時序波形
|
|
FigC：無鉗位電感雪崩測試電路、VDS/IAS雪崩能量波形
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十二、TOLL-8L封裝外形尺寸說明
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1. 包含頂視、側視、底視完整機械尺寸圖紙
|
|
2. 尺寸分最小值/標稱值/最大值，單位毫米mm
|
|
3. 引腳中心距基準1.200mm BSC，標準化PCB焊盤
|
|
4. 底部大面積Source散熱焊盤，提升大功率散熱能力
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十三、KCT033N08N文檔測試備注說明
十四、KCT033N08N 可直接替代競品清單（豎排窄幅單列展示）
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1. 連續電流ID受器件最高150℃結溫限制
|
|
2. 脈沖額定值：脈寬受最大結溫約束，不可長期重復使用
|
|
3. 雪崩EAS測試條件：L=0.5mH,Rg=25Ω,VGS=10V,初始Tj=25℃
|
|
序號
|
競品型號
|
封裝
|
核心對標差異
|
|
1
|
IPT015N08N3
|
TOLL-8L
|
Rds(on)3.2mΩ，內阻更高發熱大，EAS僅620mJ
|
|
2
|
AOTL200N08
|
TOLL-8L
|
Crss 65pF，米勒效應強，高頻易振蕩干擾
|
|
3
|
FDMS03008AS
|
TOLL-8L
|
Qg 112nC，開關損耗高，進口交期3-6個月
|
|
4
|
SPT200N08
|
TOLL-8L
|
trr 145ns，體二極管反向損耗更大
|
|
5
|
NTP200N08TOLL
|
TOLL-8L
|
無100%雪崩全檢，批量老化故障率偏高
|
|
6
|
IRL200N08
|
TOLL-8L
|
熱阻0.62℃/W，散熱性能弱于本品
|
|
7
|
FMV200N08
|
TOLL-8L
|
Rds(on)上限3.8mΩ，滿載溫升超標
|
|
8
|
STL200N08
|
TOLL-8L
|
FOM優值差，同等工況整機能效更低
|
十五、KCT033N08N 官網介紹
2.1 Banner首頁短標題（≤35字）
|
KCT033N08N TOLL8L 80V200A功率MOS，超低內阻電機BMS專用
|
2.2 產品詳情主介紹文案
|
KIA原廠KCT033N08N為TOLL-8L大電流貼片N溝道MOS，額定80V耐壓、200A連續電流。
采用低內阻先進工藝，典型Rds(on)僅2.1mΩ，搭配94nC低柵電荷、49pF極小Crss，抑制米勒振蕩、降低開關損耗。
器件FOM優值優異，單脈沖雪崩能量749mJ，抗電感尖峰沖擊；內置110ns快恢復體二極管。
出廠100%耐壓+100%雪崩雙重全檢，80V足標無虛標；TOLL-8L大面積焊盤散熱優秀。
適配無刷電機、大功率DC-DC、電動車BMS，可替換IPT015N08N3、AOTL200N08等進口型號，原廠現貨穩定供貨。
|
2.3 選型列表精簡簡介（選型頁展示）
|
TOLL-8L封裝80V/200A大電流MOS，2.1mΩ超低導通內阻，749mJ高雪崩耐受，
極小Crss抑制米勒振蕩，優異FOM值，適配伺服電機、儲能BMS、大功率降壓電源，國產平替進口TOLL功率MOS。
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2.4 工廠采購批發推廣文案
|
大功率電機、儲能BMS批量選型優選KCT033N08N，國產替代進口TOLL8L 80V MOS。
80V足耐壓、200A足電流不虛標，2.1mΩ低內阻減少整機散熱成本，749mJ高雪崩大幅降低售后返修。
TOLL-8L標準貼片封裝兼容現有SMT產線，極小Crss簡化EMC調試，RoHS無鹵素合規，原廠長期現貨，量大價優，支持免費寄樣上機測試。
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2.5 工程師選型痛點解決方案文案
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還在困擾大電流MOS滿載發燙、關斷電感炸管、高頻米勒振蕩EMI超標？
KCT033N08N超低2.1mΩ導通內阻，0.53℃/W低熱阻，大功率溫升控制優秀；
749mJ高雪崩能量抵御電機關斷尖峰，49pF超低Crss消除米勒振蕩，
94nC低柵電荷降低開關損耗，200A大電流適配伺服、儲能BMS、大功率DC-DC，完美解決溫升超標、器件擊穿、EMI干擾難題。
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十六、KCT033N08N 完整原廠緊湊參數總表
3.1 產品基礎訂單信息
|
項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KCT033N08N，絲印KCT033N08N
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
TOLL-8L 大電流貼片功率封裝
|
|
器件規格
|
80V Vds，200A 25℃連續漏極電流
|
|
典型導通內阻
|
Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V,ID=70A
|
|
出廠品質檢測
|
100%DVDS耐壓、100%雪崩能量雙重全檢
|
|
環保標準
|
RoHS無鉛、HF無鹵素環保器件
|
|
包裝規格
|
編帶卷裝，單卷標準2000pcs
|
3.2 產品核心特性
|
1. 超低導通內阻，典型Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V
|
|
2. 低總柵電荷Qg，典型值僅94nC，開關損耗更低
|
|
3. 極小Crss反向傳輸電容49pF，抑制米勒振蕩
|
|
4. 優異FOM優值系數，導通+開關綜合損耗更低
|
|
5. 100%耐壓、雪崩能量雙重出廠全檢，參數一致性高
|
|
6. TOLL-8L大面積散熱焊盤，大功率散熱能力強
|
3.3 標準應用場景
|
1. 大功率直流無刷伺服電機驅動電路
|
|
2. 大電流DC-DC升降壓轉換電源模塊
|
|
3. 電動車、儲能鋰電池BMS管理系統
|
|
4. 工業大功率負載開關、車載電源轉換
|
3.4 TOLL-8L引腳功能定義
|
引腳名稱
|
功能說明
|
|
Gate
|
柵極信號控制輸入引腳
|
|
Drain
|
漏極功率引腳，多引腳并聯降低阻抗
|
|
Source
|
源極功率引腳，底部大面積散熱焊盤
|
|
內部結構
|
N溝道功率MOS并聯內置續流體二極管
|
3.5 絕對最大額定值(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓(VGS=0V)
|
VDS
|
80
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
200
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID
|
140
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
ID(pulse)
|
800
|
A
|
|
柵源耐受電壓范圍
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
749
|
mJ
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
236
|
W
|
|
體二極管連續正向電流
|
IS
|
200
|
A
|
|
二極管脈沖峰值電流
|
IS(pulse)
|
800
|
A
|
|
工作與存儲溫度區間
|
TJ,Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
|
結到外殼熱阻最大值
|
RthJC
|
0.53
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻最大值
|
RthJA
|
50
|
℃/W
|
3.6 靜態電氣參數(Tj=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
80
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
25℃零柵漏電流
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
150℃零柵漏電流
|
IDSS
|
-
|
-
|
100
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
柵源漏電流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(th)
|
2
|
-
|
4
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
導通內阻
|
RDS(on)
|
-
|
2.1
|
3.3
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=70A
|
|
內置柵極電阻
|
RG
|
-
|
1.3
|
-
|
Ω
|
f=1.0MHz
|
3.7 電容與柵電荷動態參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
6239
|
pF
|
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
1754
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
49
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
Qg
|
94
|
nC
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
27
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
20
|
nC
|
|
柵極平臺電壓
|
Vplateau
|
4.6
|
V
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
3.8 開關時序特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
開通延遲時間
|
td(on)
|
26
|
ns
|
VGS=10V,VDD=40V,RG=3Ω,ID=70A
|
|
開通上升時間
|
tr
|
70
|
ns
|
|
關斷延遲時間
|
td(off)
|
85
|
ns
|
|
關斷下降時間
|
tf
|
30
|
ns
|
3.9 體二極管電氣特性
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
體二極管正向壓降
|
VSD
|
0.83
|
1.4
|
V
|
Tj=25℃,IS=70A,VGS=0V
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
110
|
-
|
ns
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
310
|
-
|
nC
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
3.10 原廠文檔測試備注說明
|
1. 連續電流ID受器件最高150℃結溫限制，不可超溫長期運行
|
|
2. 脈沖額定值脈寬受限最大結溫，僅允許短時重復工況
|
|
3. 雪崩EAS測試條件：L=0.5mH,Rg=25Ω,VGS=10V,初始Tj=25℃
|
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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