KLM60R099B TO-247 MOS｜低柵電荷，高壓電源不炸管不起振
600V35A Super-JMOS，187mJ 高雪崩，PFC / 充電樁專用
KLM60R099B,KLM60R099B TO-247,TO247 600V35A MOS 管，超結 Super-JMOS,PFC 功率 MOS, 充電樁高壓場效應管，高雪崩抗振蕩 MOS, 低柵電荷 600V 管，替代 FCH35N60, 國產 TO247 高壓 MOS 現貨
KLM60R099B TO-247 600V35A Super-JMOS高壓MOS完整參數規格
一、KLM60R099B產品基礎訂單信息
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項目
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參數詳情
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完整料號
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KLM60R099B，絲印60R099B
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品牌廠商
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KIA KMOS Semiconductor
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封裝形式
|
TO-247 大功率直插封裝
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器件工藝
|
Multi-EPI Super-JMOS N溝道高壓MOSFET
|
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額定規格
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600V Vds，35A 25℃連續漏極電流
|
|
品質檢測
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100%單脈沖雪崩能量出廠全檢
|
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版本發布
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Datasheet Rev1.0，2026年4月發布
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二、KLM60R099B核心產品特性 Features
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1. 典型導通內阻Rds(on)=90mΩ@VGS=10V
|
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2. 低總柵電荷Qg，典型值僅57.7nC，開關損耗低
|
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3. 高魯棒性，耐沖擊、抗高壓浪涌能力強
|
|
4. 超高速開關特性，適配高頻開關電源
|
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5. 100%雪崩能量全檢，批量品質一致性高
|
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6. 優化dv/dt耐受能力，降低振蕩干擾
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三、KLM60R099B標準應用場景（文檔未單獨列出，適配高壓電源類）
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1. 大功率AC-DC開關電源、工業適配器
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2. 光伏輔助電源、儲能雙向變流器
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3. 充電樁前級PFC電路、電焊機電源
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4. 大功率DC-DC高壓降壓轉換電路
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四、KLM60R099BTO-247引腳定義 Pin configuration
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引腳序號
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引腳功能
|
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Pin 1
|
Gate 柵極控制引腳
|
|
Pin 2
|
Drain 漏極高壓功率引腳
|
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Pin 3
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Source 源極低電位功率引腳
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內部結構
|
N溝道Super-JMOS并聯內置續流體二極管
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五、KLM60R099B絕對最大額定值 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
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參數名稱
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符號
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額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDSS
|
600
|
V
|
|
柵源耐受電壓
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
連續漏極電流 ID
|
ID(Tc=25℃)
|
35
|
A
|
|
ID(Tc=100℃)
|
23
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
IDM
|
110
|
A
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
187
|
mJ
|
|
雪崩峰值電流
|
IAR
|
5.4
|
A
|
|
重復雪崩能量
|
EAR
|
2.6
|
A
|
|
體二極管反向恢復dv/dt
|
dv/dt
|
50
|
V/ns
|
|
MOS管本體dv/dt耐受
|
dv/dt
|
100
|
V/ns
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
260
|
W
|
|
降額系數(>25℃)
|
2.08
|
W/℃
|
|
引腳短時焊接最高溫度(5s)
|
TL
|
260
|
℃
|
|
工作/存儲溫度區間
|
TJ,TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、KLM60R099B熱特性 Thermal characteristics 參數
|
參數名稱
|
符號
|
最大數值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RθJC
|
0.48
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
七、KLM60R099B靜態電氣參數 Electrical characteristics(Tc=25℃)
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參數名稱
|
符號
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
漏源擊穿電壓BVDSS
|
BVDSS
|
600
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=1mA
|
|
650
|
-
|
-
|
V
|
Tj=150℃,VGS=0V,ID=1mA
|
|
零柵壓漏電流IDSS
|
IDSS
|
-
|
-
|
10
|
μA
|
VDS=600V,VGS=0V
|
|
-
|
60
|
-
|
μA
|
VDS=480V,Tc=125℃,VGS=0V
|
|
柵源漏電流IGSS
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(TH)
|
3.0
|
-
|
5.0
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
導通內阻RDS(ON)
|
RDS(ON)
|
-
|
90
|
105
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=15.3A
|
|
器件內置柵極電阻
|
RG
|
-
|
1.1
|
-
|
Ω
|
f=1MHz
|
八、KLM60R099B電容與柵電荷動態參數
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參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
2200
|
pF
|
VGS=0V,VDS=400V,f=250KHz
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
-
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
QG
|
56
|
nC
|
VDD=400V,ID=15.3A,VGS=10V
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
13
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
28
|
nC
|
九、KLM60R099B開關時序特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
開通延遲時間td(on)
|
td(on)
|
20
|
ns
|
VDS=400V,ID=15.3A,RG=10Ω,VGS=10V
|
|
開通上升時間trise
|
trise
|
10
|
ns
|
|
關斷延遲時間td(off)
|
td(off)
|
75
|
ns
|
|
關斷下降時間tfall
|
tfall
|
8
|
ns
|
十、KLM60R099B體二極管電氣特性
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
二極管連續正向電流
|
IS
|
-
|
35
|
A
|
MOS內置體二極管
|
|
二極管脈沖正向峰值電流
|
ISM
|
-
|
110
|
A
|
短時脈沖工況
|
|
體二極管正向壓降
|
VSD
|
-
|
1.2
|
V
|
IS=21.5A,VGS=0V
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
139
|
-
|
ns
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
0.91
|
-
|
μC
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
十一、KLM60R099B12組特性曲線圖完整說明
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Fig1：導通區輸出特性ID-VDS，多柵壓VGS對比曲線
|
|
Fig2：轉移特性曲線ID-VGS，25℃/150℃溫度對比
|
|
Fig3：導通內阻隨漏極電流、柵壓變化曲線
|
|
Fig4：體二極管正向電壓隨源極電流、溫度變化曲線
|
|
Fig5：Ciss/Coss/Crss電容隨漏源電壓VDS變化曲線
|
|
Fig6：總柵電荷Qg-VGS充電特性曲線，15.3A測試工況
|
|
Fig7：歸一化擊穿電壓BVdss隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig8：歸一化Rds(on)導通內阻隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig9：正向偏置安全工作區SOA ID-VDS(不同脈沖時長)
|
|
Fig10：最大連續漏極電流IDmax隨外殼溫度Tc衰減曲線
|
|
Fig11：單脈沖雪崩能量Eoss隨漏源電壓VDS變化曲線
|
|
Fig12：結到外殼瞬態熱阻抗曲線(多占空比脈沖對比)
|
十二、KLM60R099B三類測試電路與波形說明
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1. 柵電荷測試電路及VGS-Qg充放電波形圖
|
|
2. 電阻負載開關測試電路、開通關斷時序波形
|
|
3. 無鉗位電感開關雪崩測試電路、VDS/ID雪崩波形
|
|
4. 體二極管反向恢復dv/dt測試電路、電流電壓波形
|
十三、文檔測試備注說明
十四、KLM60R099B 可直接替代競品清單（豎排窄幅單列展示）
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1. 重復額定值：脈沖寬度受器件最高150℃結溫限制
|
|
2. 雪崩測試條件：IAS=5.4A,VDD=50V,Rg=25Ω,初始Tj=25℃
|
|
3. di/dt測試工況：ISD≤15.3A,di/dt≤100A/μs,VDD≤400V
|
|
4. 脈沖測試規范：脈寬≤300us，占空比最大2%
|
|
5. 柵電荷特性基本不受工作溫度影響
|
|
序號
|
競品型號
|
封裝
|
核心對標差異
|
|
1
|
FCH35N60
|
TO-247
|
Rds(on)120mΩ，內阻更高發熱大，雪崩僅140mJ
|
|
2
|
STW35N60M2
|
TO-247
|
Qg達72nC，開關損耗高，進口交期3-6個月
|
|
3
|
IPA35N60N3
|
TO-247
|
dv/dt耐受僅60V/ns，高頻易振蕩干擾
|
|
4
|
SPP35N60C3
|
TO-247
|
trr 175ns，體二極管反向損耗更大
|
|
5
|
AOTF35S60
|
TO-247
|
單脈沖雪崩能量152mJ，電感受尖峰易擊穿
|
|
6
|
FMV35N60
|
TO-247
|
Rds(on)上限118mΩ，滿載溫升超標
|
|
7
|
NTP35N60
|
TO-247
|
無100%雪崩全檢，批量老化故障率偏高
|
|
8
|
IRFP35N60
|
TO-247
|
熱阻0.55℃/W，散熱性能弱于本品
|
十五、KLM60R099B 官網多場景宣傳文案
2.1 Banner首頁短標題（≤35字）
|
KLM60R099B TO247 600V35A Super-JMOS，高頻高壓電源專用MOS
|
2.2 產品詳情主介紹文案
|
KIA原廠KLM60R099B為TO-247大功率Super-JMOS N溝道高壓MOS，額定600V耐壓、35A連續電流。
采用Multi-EPI超結工藝，典型Rds(on)僅90mΩ，搭配低柵電荷Qg=56nC，大幅降低開關與導通損耗。
器件高魯棒性，優化dv/dt耐受，抑制高頻振蕩；單脈沖雪崩能量187mJ，抗電感尖峰沖擊能力突出。
內置體二極管trr僅139ns，反向損耗更低；出廠100%雪崩能量全檢，600V耐壓足標無虛標。
適配PFC電源、工業適配器、充電樁、電焊機，可直接替換FCH35N60、STW35N60M2等進口型號，原廠現貨穩定供貨。
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2.3 選型列表精簡簡介（選型頁展示）
|
TO-247封裝600V/35A超結高壓MOS，90mΩ低內阻，187mJ高雪崩耐受，
超快恢復體二極管、高dv/dt抗干擾，適配PFC、充電樁、工業大功率開關電源，國產平替進口600V MOS。
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2.4 工廠采購批發推廣文案
|
大功率高壓電源批量選型優選KLM60R099B，國產替代進口TO247 600V MOS。
600V足耐壓、35A足電流不虛標，90mΩ低內阻減少整機散熱成本，187mJ高雪崩降低售后返修。
TO247通用大功率封裝兼容現有PCB產線，器件抗dv/dt不易振蕩，RoHS環保合規，原廠長期現貨，量大價優，支持免費寄樣上機測試。
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2.5 工程師選型痛點解決方案文案
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還在困擾高壓電源MOS高溫發燙、電感浪涌炸管、高頻振蕩干擾？
KLM60R099B Multi-EPI超結工藝實現90mΩ超低導通內阻，0.48℃/W低熱阻散熱優秀；
187mJ高雪崩能量抑制關斷電感尖峰，100V/ns高dv/dt耐受消除高頻振蕩，
139ns超快恢復二極管降低反向損耗，35A大電流適配PFC、充電樁、電焊機，完美解決溫升超標、高壓擊穿、EMI干擾難題。
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十六、KLM60R099B 完整原廠緊湊參數總表
3.1 產品基礎訂單信息
|
項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KLM60R099B，絲印60R099B
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
TO-247 大功率直插功率封裝
|
|
器件工藝
|
Multi-EPI Super-JMOS N溝道高壓MOSFET
|
|
單管額定規格
|
600V Vds，35A 25℃連續漏極電流
|
|
出廠品質檢測
|
100%單脈沖雪崩能量出廠全檢
|
|
文檔版本
|
Datasheet Rev1.0，2026年4月發布
|
3.2 產品核心特性
|
1. 典型導通內阻Rds(on)=90mΩ@VGS=10V
|
|
2. 低總柵電荷Qg，典型值僅57.7nC，開關損耗更低
|
|
3. 高魯棒性結構，耐高壓浪涌、沖擊能力強
|
|
4. 超高速開關特性，適配高頻PFC開關電源
|
|
5. 100%雪崩能量全檢，批量參數一致性穩定
|
|
6. 優化dv/dt耐受能力，減少高頻振蕩與EMI干擾
|
3.3 TO-247引腳功能定義
|
引腳序號
|
引腳功能說明
|
|
Pin 1
|
Gate 柵極控制輸入引腳
|
|
Pin 2
|
Drain 漏極高壓功率引腳
|
|
Pin 3
|
Source 源極低電位功率引腳
|
|
內部結構
|
Super-JMOS高壓管并聯超快恢復續流體二極管
|
3.4 絕對最大額定值(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDSS
|
600
|
V
|
|
柵源電壓耐受范圍
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
35
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID
|
23
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
IDM
|
110
|
A
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
187
|
mJ
|
|
雪崩峰值電流
|
IAR
|
5.4
|
A
|
|
重復雪崩能量
|
EAR
|
2.6
|
A
|
|
體二極管dv/dt耐受
|
dv/dt
|
50
|
V/ns
|
|
MOS本體dv/dt耐受
|
dv/dt
|
100
|
V/ns
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
260
|
W
|
|
高溫降額系數
|
-
|
2.08
|
W/℃
|
|
引腳短時焊接溫度(5s)
|
TL
|
260
|
℃
|
|
工作/存儲溫度區間
|
TJ,TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.5 熱特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
最大值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RθJC
|
0.48
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
3.6 靜態電氣參數(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
常溫漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
600
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=1mA
|
|
150℃高溫擊穿電壓
|
BVDSS
|
650
|
-
|
-
|
V
|
Tj=150℃,VGS=0V,ID=1mA
|
|
常溫零柵漏電流
|
IDSS
|
-
|
-
|
10
|
μA
|
VDS=600V,VGS=0V
|
|
125℃高溫漏電流
|
IDSS
|
-
|
60
|
-
|
μA
|
VDS=480V,Tc=125℃
|
|
柵源漏電流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(TH)
|
3.0
|
-
|
5.0
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
導通內阻
|
RDS(ON)
|
-
|
90
|
105
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=15.3A
|
|
內置柵極電阻
|
RG
|
-
|
1.1
|
-
|
Ω
|
f=1MHz
|
3.7 電容與柵電荷動態參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
2200
|
pF
|
VGS=0V,VDS=400V,f=250KHz
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
-
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
QG
|
56
|
nC
|
VDD=400V,ID=15.3A,VGS=10V
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
13
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
28
|
nC
|
3.8 開關時序特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
開通延遲時間
|
td(on)
|
20
|
ns
|
VDS=400V,ID=15.3A,RG=10Ω,VGS=10V
|
|
開通上升時間
|
trise
|
10
|
ns
|
|
關斷延遲時間
|
td(off)
|
75
|
ns
|
|
關斷下降時間
|
tfall
|
8
|
ns
|
3.9 體二極管電氣特性
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
二極管連續正向電流
|
IS
|
-
|
35
|
A
|
MOS內置體二極管
|
|
二極管脈沖峰值電流
|
ISM
|
-
|
110
|
A
|
短時脈沖沖擊工況
|
|
體二極管正向壓降
|
VSD
|
-
|
1.2
|
V
|
IS=21.5A,VGS=0V
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
139
|
-
|
ns
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
0.91
|
-
|
μC
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
3.10 原廠文檔備注說明
|
1. 脈沖額定值受器件最高150℃結溫限制，不可長期超規使用
|
|
2. 雪崩能量EAS測試條件：IAS=5.4A,Rg=25Ω,初始Tj=25℃
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3. di/dt測試上限：ISD≤15.3A、di/dt≤100A/μs、VDD≤400V
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4. 脈沖測試規范：脈寬≤300us，最大占空比2%
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5. 柵電荷參數基本不受環境工作溫度影響
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座機：0755-83888366-8022
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