KCP035N10N TO-220 MOS｜3.3mΩ 超低內阻，大電流不發燙炸管
100V120A SGT 溝槽 MOS，800mJ 高雪崩，電機驅動專用
KCP035N10N,KCP035N10N TO-220,TO220 100V120A MOS 管，低內阻大電流 MOS, 直流電機驅動 MOS, 工業 DC-DC 場效應管，高雪崩功率 MOS,SGT 溝槽 MOS, 替代 IRFP120N, 國產 TO220 MOS 現貨
KCP035N10N TO-220 100V120A SGT N溝道MOS完整參數規格
一、KCP035N10N產品基礎訂單信息
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項目
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參數詳情
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|
完整料號
|
KCP035N10N，絲印KCP035N10N
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
TO-220 直插功率封裝
|
|
器件工藝
|
SGT溝槽N-CHANNEL功率MOSFET
|
|
額定規格
|
100V Vds，120A連續漏極電流
|
|
品質檢測
|
100%擊穿電壓測試、100%雪崩能量全檢
|
|
環保等級
|
RoHS合規無鉛、HF無鹵素器件
|
|
包裝規格
|
編帶托盤包裝，單盤50pcs
|
二、KCP035N10N核心產品特性 Features
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1. 先進SGT工藝，實現超低導通內阻Rds(on)
|
|
2. 低結殼熱阻，散熱性能優異，大功率溫升更低
|
|
3. 開關速度快，柵電荷小，大幅降低開關損耗
|
三、KCP035N10N標準應用場景 Applications
|
1. DC-DC升降壓轉換電源電路
|
|
2. 大功率電源開關、負載開關模塊
|
|
3. 直流電機驅動、工業伺服驅動電路
|
四、KCP035N10NTO-220引腳定義與內部結構
|
引腳序號
|
引腳功能
|
|
Pin 1
|
Gate 柵極控制端
|
|
Pin 2
|
Drain 漏極高壓功率端
|
|
Pin 3
|
Source 源極低電位端
|
|
內部結構
|
N溝道MOS并聯內置體續流二極管
|
五、KCP035N10N絕對最大額定值 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDS
|
100
|
V
|
|
連續漏極電流 ID
|
ID
|
120
|
A
|
|
ID(Package limit Tc=25℃)
|
21
|
A
|
|
ID(Silicon limit Tc=100℃)
|
113
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
ID(pulse)
|
480
|
A
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
800
|
mJ
|
|
柵源電壓范圍
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃最大總耗散功率
|
Ptot
|
215
|
W
|
|
工作/存儲溫度區間
|
TJ, Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、KCP035N10N熱特性 Thermal Resistance 參數
|
參數名稱
|
符號
|
最大數值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RthJC
|
0.58
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻(最小焊盤)
|
RthJA
|
40
|
℃/W
|
七、KCP035N10N靜態電氣參數 Static Characteristic(Tj=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
100
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(th)
|
2.2
|
3
|
3.8
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
零柵壓漏電流IDSS
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V,Tj=25℃
|
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V,Tj=125℃
|
|
柵源漏電流IGSS
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
導通內阻RDS(on)
|
RDS(on)
|
-
|
3.3
|
3.9
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=50A,TO-220
|
|
正向跨導gfs
|
gfs
|
-
|
113
|
-
|
S
|
VDS=5V,ID=50A
|
八、KCP035N10N動態電容與柵電荷 Dynamic Characteristic
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
7470
|
pF
|
VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
930
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
QG
|
130
|
nC
|
VGS=10V,VDS=50V,ID=50A
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
35
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
40
|
nC
|
|
開通延遲時間td(on)
|
td(on)
|
50
|
ns
|
VGS=10V,VDS=50V,RG=6Ω,ID=50A
|
|
開通上升時間tr
|
tr
|
74
|
ns
|
|
關斷延遲時間td(off)
|
td(off)
|
97
|
ns
|
|
關斷下降時間tf
|
tf
|
30
|
ns
|
|
內置柵極內阻RG
|
RG
|
1.5
|
Ω
|
VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz
|
九、KCP035N10N體二極管電氣特性 Body Diode Characteristic
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
體二極管正向壓降
|
VSD
|
0.9
|
1.2
|
V
|
VGS=0V,ISD=50A
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
70
|
-
|
ns
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
147
|
-
|
nC
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
十、KCP035N10N15組特性曲線圖完整說明
|
Fig1：轉移特性曲線ID-VGS，-55℃/25℃/150℃多溫度對比
|
|
Fig2：輸出特性曲線ID-VDS，不同柵壓VGS(5V~10V)
|
|
Fig3：歸一化導通內阻隨漏極電流ID變化曲線
|
|
Fig4：導通內阻Rds(on)隨柵源電壓VGS變化曲線(25℃/150℃)
|
|
Fig5：歸一化Rds(on)隨結溫TJ(-55~150℃)變化曲線
|
|
Fig6：總柵電荷Qg-VGS充電特性曲線
|
|
Fig7：體二極管正向輸出特性IS-VSD，多溫度對比
|
|
Fig8：正向偏置安全工作區SOA ID-VDS(不同脈沖時長)
|
|
Fig9：電容Ciss/Coss/Crss隨漏源電壓VDS變化曲線
|
|
Fig10：單脈沖最大耗散功率隨脈沖時長tpw變化曲線
|
|
Fig11：最大耗散功率Pmax隨外殼溫度Tc衰減曲線
|
|
Fig12：最大連續漏極電流IDmax隨外殼溫度Tc衰減曲線
|
|
Fig13：歸一化擊穿電壓BVdss隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig14：歸一化閾值電壓VGS(th)隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig15：結到外殼瞬態熱阻抗曲線(不同占空比脈沖)
|
十一、KCP035N10NTO-220封裝外形尺寸說明
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1. 提供兩種安裝散熱片開孔方案Option1/Option2
|
|
2. 尺寸單位包含毫米(Min/Max)與英寸雙規格對照
|
|
3. 引腳中心距標準2.54mm BSC，通用直插PCB焊盤
|
|
4. 引腳寬度b最小0.69mm、最大0.95mm，適配自動插件機
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十二、KCP035N10N文檔測試備注說明
十三、KCP035N10N 可直接替代競品清單（豎排窄幅單列展示）
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1. 脈沖參數為重復額定值，脈寬受器件最高結溫150℃限制
|
|
2. 超出絕對最大額定值會造成器件永久性不可逆損壞
|
|
3. 雪崩能量EAS測試條件ID=13.5A,Rg=25Ω單脈沖工況
|
|
4. 全流程100%DVDS擊穿、100%雪崩能量出廠檢測，品質穩定
|
|
序號
|
競品型號
|
封裝
|
核心對標差異
|
|
1
|
IRFP120N
|
TO-220
|
Rds(on)達6mΩ，發熱更高，雪崩能量僅500mJ
|
|
2
|
FQP120N10
|
TO-220
|
柵電荷更大，開關損耗高，熱阻偏高
|
|
3
|
STP120N10
|
TO-220
|
進口料交期3-6個月，采購成本高
|
|
4
|
IPA120N10S3L
|
TO-220
|
跨導僅85S，大電流驅動性能偏弱
|
|
5
|
SPP120N10
|
TO-220
|
體二極管trr 110ns，反向損耗更大
|
|
6
|
AOTF120N10
|
TO-220
|
單脈沖雪崩能量僅620mJ，易浪涌擊穿
|
|
7
|
FMV120N10
|
TO-220
|
Rds(on)上限4.5mΩ，整機溫升超標
|
|
8
|
NTP120N10
|
TO-220
|
無全檢雪崩，批量老化故障率高
|
十四、KCP035N10N 官網多場景宣傳文案
2.1 Banner首頁短標題（≤35字）
|
KCP035N10N TO220 100V120A SGT MOS，超低內阻電機驅動專用
|
2.2 產品詳情主介紹文案
|
KIA原廠KCP035N10N為TO-220直插SGT溝槽N溝道MOS，額定100V耐壓、120A連續電流。
采用新一代SGT工藝，典型Rds(on)僅3.3mΩ，大幅降低導通發熱；結殼熱阻低至0.58℃/W，大功率散熱優異。
開關速度快、柵電荷小，有效減少開關損耗；單脈沖雪崩能量800mJ，抗電感尖峰沖擊能力強。
內置70ns超快恢復體二極管，反向損耗更低；出廠100%擊穿+100%雪崩雙重全檢，參數足標無虛標。
適配DC-DC電源、大功率電源開關、直流電機驅動，可直接替換IRFP120N、STP120N10等進口型號，原廠現貨穩定供貨。
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2.3 選型列表精簡簡介（選型頁展示）
|
TO-220封裝100V/120A SGT功率MOS，3.3mΩ超低導通內阻，800mJ高雪崩耐受，
超快恢復體二極管，適配電機驅動、大功率DC-DC、工業負載開關，國產平替進口100V大電流MOS。
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2.4 工廠采購批發推廣文案
|
電機、大功率電源批量選型優選KCP035N10N，國產替代進口TO220 100V MOS。
100V足耐壓、120A足電流不虛標，3.3mΩ低內阻降低整機散熱成本，800mJ高雪崩減少售后返修。
TO220通用直插封裝兼容現有PCB，RoHS無鹵素環保合規，原廠長期現貨，量大價優，支持免費寄樣上機測試。
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2.5 工程師選型痛點解決方案文案
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還在困擾大功率MOS高溫發燙、電感浪涌炸管、開關電源效率低？
KCP035N10N SGT工藝實現3.3mΩ超低導通內阻，0.58℃/W低熱阻散熱優秀；
800mJ高雪崩能量抵御電機關斷尖峰，70ns超快恢復二極管降低反向損耗，
120A大電流適配大功率DC-DC、伺服電機驅動，完美解決溫升超標、高壓擊穿難題。
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三、KCP035N10N 完整原廠緊湊參數總表
3.1 KCP035N10N產品基礎訂單信息
|
項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KCP035N10N，絲印KCP035N10N
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
TO-220 通用直插功率封裝
|
|
器件工藝
|
SGT溝槽N-CHANNEL功率MOSFET
|
|
單管額定規格
|
100V Vds，120A 25℃連續漏極電流
|
|
出廠品質檢測
|
100%DVDS擊穿測試、100%雪崩能量全檢
|
|
環保標準
|
RoHS無鉛、HF無鹵素環保器件
|
|
包裝規格
|
編帶托盤包裝，單托盤50pcs
|
3.2 產品核心特性
|
1. 新一代SGT溝槽工藝，超低導通內阻Rds(on)
|
|
2. 極低結殼熱阻，大功率工況溫升更低
|
|
3. 開關速度快，柵電荷小，有效降低開關損耗
|
3.3 標準應用場景
|
1. DC-DC升降壓轉換大功率電源電路
|
|
2. 工業大功率電源開關、大電流負載開關
|
|
3. 直流無刷電機、伺服電機驅動電路
|
3.4 TO-220引腳功能定義
|
引腳序號
|
引腳功能說明
|
|
Pin 1
|
Gate 柵極控制輸入引腳
|
|
Pin 2
|
Drain 漏極高壓功率引腳
|
|
Pin 3
|
Source 源極低電位功率引腳
|
|
內部結構
|
N溝道MOS并聯超快恢復續流體二極管
|
3.5 絕對最大額定值(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDS
|
100
|
V
|
|
25℃硅極限連續漏電流
|
ID
|
120
|
A
|
|
25℃封裝極限連續漏電流
|
ID
|
21
|
A
|
|
100℃硅極限連續漏電流
|
ID
|
113
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
ID(pulse)
|
480
|
A
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
800
|
mJ
|
|
柵源電壓耐受范圍
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃最大總耗散功率
|
Ptot
|
215
|
W
|
|
工作與存儲溫度區間
|
TJ, Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.6 熱特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
最大值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RthJC
|
0.58
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻(最小焊盤)
|
RthJA
|
40
|
℃/W
|
3.7 靜態電氣參數(Tj=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
100
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(th)
|
2.2
|
3
|
3.8
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
零柵壓漏電流25℃
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V
|
|
零柵壓漏電流125℃
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V
|
|
柵源漏電流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
導通內阻
|
RDS(on)
|
-
|
3.3
|
3.9
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=50A
|
|
正向跨導
|
gfs
|
-
|
113
|
-
|
S
|
VDS=5V,ID=50A
|
3.8 KCP035N10N電容與柵電荷動態參數
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
單位
|
測試條件
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
7470
|
pF
|
VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
930
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
QG
|
130
|
nC
|
VGS=10V,VDS=50V,ID=50A
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
35
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
40
|
nC
|
|
開通延遲時間
|
td(on)
|
50
|
ns
|
VGS=10V,VDS=50V,RG=6Ω,ID=50A
|
|
開通上升時間
|
tr
|
74
|
ns
|
|
關斷延遲時間
|
td(off)
|
97
|
ns
|
|
關斷下降時間
|
tf
|
30
|
ns
|
|
器件內置柵極內阻
|
RG
|
1.5
|
Ω
|
VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz
|
3.9 KCP035N10N體二極管電氣特性
|
參數名稱
|
符號
|
Typ
|
Max
|
單位
|
測試條件
|
|
體二極管正向壓降
|
VSD
|
0.9
|
1.2
|
V
|
VGS=0V,ISD=50A
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
70
|
-
|
ns
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
147
|
-
|
nC
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
3.10 原廠文檔備注說明
|
1. 雪崩能量EAS測試條件：ID=13.5A,Rg=25Ω單脈沖工況
|
|
2. 脈沖參數受最高結溫150℃限制，不可超規格長期使用
|
|
3. 超出絕對最大額定值將造成器件永久不可逆損壞
|
|
4. 出廠雙重全檢：100%耐壓DVDS、100%雪崩能量檢測
|
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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