KNG3080B DFN3*3 MOS｜4.1mΩ 超低內阻，大電流不發燙炸管
30V80A 溝槽 N 溝道 MOS，308mJ 高雪崩，快充電源專用
KNG3080B,KNG3080B DFN33,DFN33 30V80A MOS 管，低內阻大電流 MOS, 快充電源 MOS, 鋰電保護場效應管，高雪崩 MOS,4.5V 邏輯驅動 MOS, 替代 BSZ080N03LSG, 國產貼片 MOS 現貨
KNG3080B DFN3*3 30V80A溝槽N溝道MOS管完整參數規格
一、產品基礎訂單信息
|
項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KNG3080B，絲印3080B
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
DFN3*3 貼片封裝
|
|
器件類型
|
Si溝槽工藝N-CHANNEL MOSFET
|
|
額定規格
|
30V耐壓，80A連續漏極電流
|
|
環保標準
|
RoHS合規無鉛環保器件
|
二、核心產品特性 Features
|
1. 硅基溝槽型N溝道MOS工藝，導通性能優異
|
|
2. 低導通內阻：Rds(on)=4.1mΩ典型值@VGS=10V
|
|
3. 超低導通內阻與優值系數FOM，降低整機損耗
|
|
4. 驅動門檻友好，簡易驅動電路即可穩定工作
|
|
5. 符合RoHS環保標準，無有害物質
|
三、標準應用場景 Application
四、DFN3*3引腳定義 Pin configuration
|
引腳編號
|
引腳功能
|
|
Pin 4
|
Gate 柵極控制端
|
|
Pin 5、6、7、8
|
Drain 漏極功率端
|
|
Pin 1、2、3
|
Source 源極低電位端
|
|
內部結構
|
N溝道MOS集成內置體二極管
|
五、絕對最大額定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDSS
|
30
|
V
|
|
柵源電壓范圍
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
80
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID
|
50
|
A
|
|
脈沖峰值漏極電流
|
IDM
|
320
|
A
|
|
25℃總耗散功率
|
PD
|
70
|
W
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
308
|
mJ
|
|
最高工作結溫
|
TJ
|
150
|
℃
|
|
存儲溫度區間
|
TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、熱特性 Thermal characteristics
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RθJC
|
1.8
|
℃/W
|
七、電氣特性 Electrical characteristics(TJ=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
30
|
-
|
-
|
V
|
|
零柵壓漏電流IDSS
|
IDSS
|
VDS=30V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
柵源漏電流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
1.0
|
1.5
|
2.0
|
V
|
|
導通內阻Rds(on)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=30A
|
-
|
4.1
|
6
|
mΩ
|
|
VGS=4.5V,ID=20A
|
-
|
7.0
|
10
|
mΩ
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
|
-
|
1540
|
-
|
pF
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
-
|
200
|
-
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
-
|
185
|
-
|
pF
|
|
開通延遲時間td(on)
|
td(on)
|
VDD=15V,VGS=10V,RG=2.7Ω,ID=30A
|
-
|
8
|
-
|
ns
|
|
開通上升時間tr
|
tr
|
-
|
40
|
-
|
ns
|
|
關斷延遲時間td(off)
|
td(off)
|
-
|
95
|
-
|
ns
|
|
關斷下降時間tf
|
tf
|
-
|
50
|
-
|
ns
|
|
總柵電荷Qg
|
Qg
|
VDS=15V,VGS=10V,ID=30A
|
-
|
35
|
-
|
nC
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
6
|
-
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
7
|
-
|
nC
|
|
體二極管正向壓降VSD
|
VSD
|
VGS=0V,IS=30A
|
-
|
-
|
1.2
|
V
|
|
二極管連續正向電流IS
|
IS
|
MOS內置體二極管
|
-
|
-
|
80
|
A
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
IF=80A,TJ=25℃,di/dt=100A/μs
|
-
|
18
|
-
|
ns
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
八、典型特性曲線圖表說明（共11組曲線）
|
Fig1：導通區輸出特性ID-VDS，不同柵壓VGS
|
|
Fig2：轉移特性曲線ID-VGS，25℃常溫工況
|
|
Fig3：導通內阻隨漏電流、柵壓變化曲線
|
|
Fig4：體二極管正向壓降隨源極電流變化曲線
|
|
Fig5：電容Ciss/Coss/Crss隨VDS電壓變化曲線
|
|
Fig6：柵電荷充電VGS-Qg總柵電荷曲線
|
|
Fig7：漏源電壓Vds與柵壓Vgs關聯曲線
|
|
Fig8：導通內阻Rds(on)隨柵源電壓VGS變化曲線
|
|
Fig9：正向偏置安全工作區SOA ID-VDS曲線
|
|
Fig10：最大連續漏極電流隨結溫TJ衰減曲線
|
|
Fig11：歸一化瞬態熱阻抗曲線（不同占空比脈沖）
|
九、測試電路與波形說明（3套測試回路）
|
FigA：二極管恢復dv/dt測試電路、對應電流電壓波形
|
|
FigB：開關特性測試電路、開通關斷時序波形圖
|
|
FigC：非鉗位電感雪崩測試電路、雪崩擊穿波形
|
十、文檔版本備注
十一、KNG3080B 可直接替代競品清單（豎排窄幅單列展示）
|
1. Datasheet版本Rev1.0，2026年3月發布
|
|
2. 超出最大額定值會造成器件永久性損壞
|
|
3. 脈沖測試參數受器件最高允許結溫限制
|
|
序號
|
競品型號
|
封裝
|
核心對標差異
|
|
1
|
BSZ080N03LSG
|
DFN3*3
|
導通內阻更高，雪崩能量偏低
|
|
2
|
AON6404
|
DFN3*3
|
峰值電流僅200A，浪涌耐受弱
|
|
3
|
PMV80XP
|
DFN3*3
|
FOM優值系數差，開關損耗大
|
|
4
|
NVMFS3080NL
|
DFN3*3
|
進口料交期長，采購成本高
|
|
5
|
FDMS0308AS
|
DFN3*3
|
4.5V驅動內阻達9mΩ，發熱嚴重
|
|
6
|
SI7132DP
|
DFN3*3
|
反向恢復時間長，二極管損耗高
|
|
7
|
DMN3080LFG
|
DFN3*3
|
單脈沖雪崩能量僅220mJ，易炸管
|
十二、KNG3080B 官網多場景宣傳文案
2.1 Banner首頁短標題（≤35字）
|
KNG3080B DFN3*3 30V80A MOS，超低內阻高效電源管理專用
|
2.2 產品詳情主介紹文案
|
KIA原廠KNG3080B為DFN3*3貼片溝槽N溝道MOS管，額定30V耐壓、80A連續電流。
采用硅基溝槽工藝，典型Rds(on)僅4.1mΩ，搭配優異FOM優值系數，大幅降低整機導通損耗。
4.5V/10V雙驅動兼容，外圍驅動電路簡單；單脈沖雪崩能量308mJ，抗浪涌沖擊能力強。
內置超快恢復體二極管，trr僅18ns，開關損耗更低；70W大功率耗散，熱阻低散熱優異。
適配各類消費電子、工控設備電源管理電路，可直接替代BSZ080N03LSG、AON6404等進口型號，原廠現貨穩定供貨。
|
2.3 選型列表精簡簡介（選型頁展示）
|
DFN3*3封裝30V/80A溝槽功率MOS，4.1mΩ超低內阻，高雪崩308mJ，
超快恢復二極管，適配快充、鋰電保護、負載開關電源管理，替代進口30V80A MOS。
|
2.4 采購批發推廣文案（面向電源廠批量采購）
|
快充、便攜電源批量選型優選KNG3080B，國產平替進口DFN3*3大電流MOS。
30V足耐壓不虛標，4.1mΩ低內阻減少整機散熱成本，308mJ高雪崩降低老化返修率。
DFN3*3小尺寸節省PCB空間，RoHS環保合規，原廠長期現貨，量大價優，支持免費寄樣上機測試。
|
2.5 工程師選型痛點文案（解決研發難點）
|
還在困擾大電流電源MOS發熱、浪涌炸機、開關效率低？
KNG3080B溝槽工藝實現4.1mΩ超低導通內阻，308mJ雪崩能量抵御尖峰沖擊；
18ns超快恢復二極管降低反向損耗，320A峰值電流適配瞬時大電流工況，
30V耐壓適配鋰電、快充、負載開關，完美解決溫升超標、電感沖擊擊穿難題。
|
十三、KNG3080B 完整原廠緊湊參數總表
3.1 產品基礎訂單信息
|
項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KNG3080B，絲印3080B
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
DFN3*3 貼片小型化封裝
|
|
器件類型
|
Si溝槽工藝N-CHANNEL MOSFET
|
|
單管額定規格
|
30V Vds，80A Id連續漏極電流
|
|
環保等級
|
RoHS無鉛環保合規器件
|
3.2 產品核心特性
|
1. 硅基溝槽型MOS工藝，導電性能優異穩定
|
|
2. 超低導通內阻：Rds(on)=4.1mΩ典型@VGS=10V
|
|
3. 低Rds(on)+優質FOM優值系數，降低開關損耗
|
|
4. 驅動門檻友好，簡易外圍電路即可穩定驅動
|
|
5. 符合RoHS環保標準，無有害重金屬
|
3.3 標準應用場景
|
全品類電源管理電路：快充、鋰電保護、負載開關、工控降壓電源
|
3.4 DFN3*3引腳功能定義
|
引腳序號
|
引腳功能說明
|
|
Pin 4
|
Gate 柵極控制引腳
|
|
Pin5、6、7、8
|
Drain 漏極功率多并聯引腳
|
|
Pin1、2、3
|
Source 源極低電位多并聯引腳
|
|
內部結構
|
N溝道MOS并聯超快恢復體二極管
|
3.5 絕對最大額定值(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDSS
|
30
|
V
|
|
柵源電壓范圍
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
80
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID@Tc=100℃
|
50
|
A
|
|
脈沖峰值漏電流
|
IDM
|
320
|
A
|
|
25℃最大總耗散功率
|
PD
|
70
|
W
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
308
|
mJ
|
|
最高工作結溫
|
TJ
|
150
|
℃
|
|
工作/存儲溫度區間
|
TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.6 熱特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
數值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RθJC
|
1.8
|
℃/W
|
3.7 靜態電氣參數(TJ=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
30
|
-
|
-
|
V
|
|
零柵壓漏電流IDSS
|
IDSS
|
VDS=30V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
柵極漏電流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
1.0
|
1.5
|
2.0
|
V
|
|
導通內阻RDS(ON)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=30A
|
-
|
4.1
|
6
|
mΩ
|
|
VGS=4.5V,ID=20A
|
-
|
7.0
|
10
|
mΩ
|
3.8 電容與柵電荷動態參數
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Typ
|
單位
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
VDS=15V,f=1MHz,VGS=0V
|
1540
|
pF
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
200
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
185
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
Qg
|
VDS=15V,ID=30A,VGS=10V
|
35
|
nC
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
6
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
7
|
nC
|
3.9 開關時序特性
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Typ
|
單位
|
|
開通延遲時間
|
td(on)
|
VDD=15V,ID=30A,RG=2.7Ω
|
8
|
ns
|
|
開通上升時間
|
tr
|
40
|
ns
|
|
關斷延遲時間
|
td(OFF)
|
95
|
ns
|
|
關斷下降時間
|
tf
|
50
|
ns
|
3.10 體二極管電氣特性
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Max/Typ
|
單位
|
|
二極管連續正向電流
|
IS
|
MOS內置PN體二極管
|
80
|
A
|
|
二極管正向壓降
|
VSD
|
VGS=0V,IS=30A
|
1.2
|
V
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
IF=80A,di/dt=100A/μs
|
18
|
ns
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
IF=80A,di/dt=100A/μs
|
10
|
nC
|
3.11 原廠文檔備注說明
|
1. Datasheet版本Rev1.0，2026年3月正式發布
|
|
2. 脈沖參數受器件最大允許結溫限制，不可超規格使用
|
|
3. 超出絕對最大額定值會造成器件永久性不可逆損壞
|
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
