KNF20N65A TO-220F MOS｜低內阻低損耗，高壓不易炸管
650V20A 平面 N 溝道 MOS，快恢復二極管，原廠足標現貨
KNF20N65A,KNF20N65A TO-220F,TO220F 650V MOS 管，20A 高壓場效應管，低內阻 20N65, 開關電源 MOS, 電視主板電源 MOS, 適配器功率 MOS, 替代 FQPF20N65, 國產高壓 MOS 現貨
KNF20N65A TO-220F 20A65V平面MOS管完整參數規格
一、KNF20N65A 產品基礎訂單信息
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項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KNF20N65A，絲印20N65A
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|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
TO-220F 直插封裝
|
|
器件類型
|
N-CHANNEL PLANAR MOSFET平面功率MOS
|
|
額定規格
|
650V耐壓，20A連續漏極電流
|
二、KNF20N65A 核心產品特性 Features
|
1. 自研全新平面工藝，耐壓穩定性更強
|
|
2. 低導通內阻：Rds(on)=0.38Ω典型值@VGS=10V
|
|
3. 柵電荷低，有效降低開關損耗，電源效率更高
|
|
4. 內置快恢復體二極管，反向恢復特性優異
|
三、KNF20N65A 標準應用場景 Application
|
1. 各類電源適配器 Adaptor
|
|
2. 電視機主板主電源 TV Main Power
|
|
3. 開關電源 SMPS Power Supply
|
|
4. LCD液晶面板供電電源 LCD Panel Power
|
四、KNF20N65A TO-220F引腳定義 Pin configuration
|
引腳序號
|
引腳功能
|
|
Pin 1
|
Gate 柵極
|
|
Pin 2
|
Drain 漏極
|
|
Pin 3
|
Source 源極
|
|
內部結構
|
N溝道MOS集成快恢復體二極管
|
五、KNF20N65A 絕對最大額定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDSS
|
650
|
V
|
|
柵源電壓
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
20
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID@Tc=100℃
|
見圖3曲線
|
A
|
|
VGS=10V脈沖峰值漏電流
|
IDM
|
見圖6曲線
|
A
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
850
|
mJ
|
|
二極管最大恢復dv/dt
|
dv/dt
|
5.0
|
V/ns
|
|
25℃單管耗散功率
|
PD
|
65
|
W
|
|
25℃以上功率降額系數
|
PD
|
0.52
|
W/℃
|
|
引腳最高焊接溫度10s
|
TL
|
300
|
℃
|
|
封裝本體焊接峰值溫度10s
|
TPAK
|
260
|
℃
|
|
工作與存儲溫度區間
|
TJ&TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、KNF20N65A 熱特性 Thermal characteristics
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RθJC
|
1.92
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻
|
RθJA
|
100
|
℃/W
|
七、KNF20N65A 電氣特性 Electrical characteristics(TJ=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
650
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏電流IDSS
|
IDSS
|
VDS=650V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
VDS=520V,VGS=0V,TJ=125℃
|
-
|
-
|
100
|
uA
|
|
柵源漏電流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
導通內阻Rds(on)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=10A
|
-
|
0.38
|
0.50
|
Ω
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
正向跨導gfs
|
gfs
|
VDS=15V,ID=10A
|
-
|
15
|
-
|
S
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
-
|
2500
|
-
|
pF
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
-
|
220
|
-
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
-
|
34
|
-
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
Qg
|
VDD=325V,ID=20A,VGS=0~10V
|
-
|
62
|
-
|
nC
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
23
|
-
|
nC
|
|
開通延遲時間td(on)
|
td(on)
|
VDD=325V,ID=20A,RG=25Ω,VGS=10V
|
-
|
32
|
-
|
ns
|
|
開通上升時間trise
|
trise
|
-
|
180
|
-
|
ns
|
|
關斷延遲時間td(off)
|
td(OFF)
|
-
|
71
|
-
|
ns
|
|
關斷下降時間tfall
|
tfall
|
-
|
120
|
-
|
ns
|
|
體二極管連續源電流
|
ISD
|
MOS集成PN二極管
|
-
|
-
|
20
|
A
|
|
體二極管脈沖源電流
|
ISM
|
脈沖測試條件
|
-
|
-
|
80
|
A
|
|
體二極管正向壓降VSD
|
VSD
|
IS=20A,VGS=0V
|
-
|
-
|
1.5
|
V
|
|
二極管反向恢復時間trr
|
trr
|
IF=20A,VGS=0V,di/dt=100A/us
|
-
|
800
|
-
|
ns
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
-
|
3.5
|
-
|
uC
|
八、KNF20N65A 典型特性曲線圖表說明（共16組曲線）
|
Fig1：結到外殼最大瞬態熱阻抗曲線（不同占空比）
|
|
Fig2：器件最大耗散功率隨外殼溫度變化曲線
|
|
Fig3：最大連續漏極電流隨外殼溫度衰減曲線
|
|
Fig4：輸出特性曲線ID-VDS，不同柵壓VGS
|
|
Fig5：導通內阻Rds(on)隨柵壓、漏電流變化曲線
|
|
Fig6：峰值脈沖電流隨脈沖寬度變化曲線
|
|
Fig7：轉移特性ID-VGS，不同結溫TJ(-55~+150℃)
|
|
Fig8：非鉗位電感雪崩耐受曲線IAS-雪崩時長tAV
|
|
Fig9：導通內阻Rds(on)隨漏極電流ID變化曲線
|
|
Fig10：歸一化導通內阻隨結溫TJ變化曲線
|
|
Fig11：歸一化擊穿電壓BVdss隨結溫變化曲線
|
|
Fig12：歸一化閾值電壓VGS(th)隨結溫變化曲線
|
|
Fig13：正向偏置安全工作區SOA曲線ID-VDS
|
|
Fig14：電容Ciss/Coss/Crss隨漏源電壓VDS變化曲線
|
|
Fig15：柵電荷充電曲線VGS-Qg總柵電荷
|
|
Fig16：體二極管反向電流ISD隨源漏電壓VSD曲線
|
九、KNF20N65A 測試電路與波形說明（4套測試回路）
|
Fig1.1：二極管恢復dv/dt測試電路；Fig1.2：對應電流電壓波形
|
|
Fig2.1：開關特性測試電路；Fig2.2：開通/關斷時序波形
|
|
Fig3.1：柵電荷測試電路；Fig3.2：柵電荷VGS充電波形
|
|
Fig4.1：非鉗位電感雪崩測試電路；Fig4.2：雪崩擊穿波形
|
十、KNF20N65A 文檔測試備注說明 Notes
|
1. 擊穿電壓測試溫度范圍：TJ=25℃~150℃
|
|
2. 脈沖參數為重復額定值，脈寬受最高結溫限制
|
|
3. 二極管dv/dt測試條件：ISD=20A、di/dt＜100A/us、TJ=150℃
|
|
4. Rds(on)、gfs、ISD脈沖測試：脈寬≤380us，占空比≤2%
|
|
5. 超過最大額定值會造成器件永久性損壞
|
十一、KNF20N65A 可直接替代競品清單（豎排窄幅單列展示）
|
序號
|
競品型號
|
封裝
|
核心對標差異
|
|
1
|
FQPF20N65
|
TO-220F
|
內阻偏大，體二極管恢復速度慢
|
|
2
|
20N65C
|
TO-220F
|
柵電荷更高，開關損耗更大
|
|
3
|
IPA20N65S3
|
TO-220F
|
進口料交期長，采購成本高
|
|
4
|
SPP20N65C3
|
TO-220F
|
雪崩能量偏低，高壓易炸管
|
|
5
|
FMV20N65E
|
TO-220F
|
導通內阻上限達0.55Ω，發熱嚴重
|
|
6
|
STW20N65M5
|
TO-220F
|
熱阻更高，大功率溫升明顯
|
|
7
|
20N60 TO220F
|
TO-220F
|
僅600V耐壓，高壓余量不足
|
十二、KNF20N65A 官網多場景宣傳文案
2.1 Banner首頁短標題（≤35字）
|
KNF20N65A TO220F 650V20A MOS，低損耗適配電視/開關電源
|
2.2 產品詳情主介紹文案
|
KIA原廠KNF20N65A為TO-220F直插N溝道平面MOS管，額定650V耐壓、20A連續電流。
采用自研全新平面工藝，典型導通內阻僅0.38Ω，大幅降低導通發熱。
低柵電荷設計減小開關損耗，內置快恢復體二極管，反向恢復特性優異。
單脈沖雪崩能量850mJ，高壓浪涌工況抗沖擊能力強，最高耗散功率65W。
適配電源適配器、電視主板電源、SMPS開關電源、LCD屏供電電路，
可直接替代FQPF20N65、IPA20N65S3等進口型號，原廠現貨穩定供貨。
|
2.3 選型列表精簡簡介（選型頁展示）
|
TO-220F封裝650V/20A平面功率MOS，低Rds(on)、低柵電荷，
快恢復體二極管，適配電視、適配器、工業開關電源，替代進口20N65系列。
|
2.4 采購批發推廣文案（面向電源廠批量采購）
|
批量做開關電源、電視適配器選型優選KNF20N65A，國產替代進口20N65MOS。
650V足耐壓不虛標，低內阻降低整機散熱成本，開關效率更高。
850mJ高雪崩能量，老化測試故障率低，TO220F封裝散熱性能優秀。
原廠長期現貨，交期穩定，量大價優，支持免費寄樣上機測試。
|
2.5 工程師選型痛點文案（解決研發難點）
|
還在困擾開關電源MOS發熱、高壓浪涌炸機、電源效率低？
KNF20N65A低導通內阻+低柵電荷，減小整機損耗；850mJ雪崩能量
抵御尖峰電壓，快恢復二極管降低反向損耗，650V耐壓充足余量，
適配大功率SMPS、TV主電源，完美解決高溫老化、耐壓擊穿問題。
|
十三、KNF20N65A 完整原廠緊湊參數總表
3.1 產品基礎訂單信息
|
項目
|
參數詳情
|
|
完整料號
|
KNF20N65A，絲印20N65A
|
|
品牌廠商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封裝形式
|
TO-220F 絕緣直插封裝
|
|
器件類型
|
N-CHANNEL PLANAR MOSFET平面功率MOS
|
|
單管額定規格
|
650V Vds，20A Id連續漏極電流
|
3.2 產品核心特性
|
1. 自研全新平面工藝，高壓穩定性更強
|
|
2. 低導通內阻：Rds(on)=0.38Ω典型@VGS=10V
|
|
3. 低柵電荷，顯著降低開關損耗，提升電源效率
|
|
4. 集成快恢復體二極管，反向恢復特性優異
|
3.3 標準應用場景
|
1. 各類開關電源適配器 Adaptor
|
|
2. 液晶電視主板主電源 TV Main Power
|
|
3. 工業SMPS隔離開關電源
|
|
4. LCD液晶面板供電電源電路
|
3.4 TO-220F引腳功能定義
|
引腳序號
|
引腳功能說明
|
|
Pin 1
|
Gate 柵極控制腳
|
|
Pin 2
|
Drain 漏極高壓端
|
|
Pin 3
|
Source 源極低電位端
|
|
內部結構
|
N溝道MOS并聯快恢復體二極管
|
3.5 絕對最大額定值(Tc=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
額定數值
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
VDSS
|
650
|
V
|
|
柵源電壓范圍
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
25℃連續漏極電流
|
ID
|
20
|
A
|
|
100℃連續漏極電流
|
ID@Tc=100℃
|
見圖3特性曲線
|
A
|
|
VGS=10V脈沖峰值漏電流
|
IDM
|
見圖6峰值電流曲線
|
A
|
|
單脈沖雪崩能量
|
EAS
|
850
|
mJ
|
|
二極管最大恢復dv/dt
|
dv/dt
|
5.0
|
V/ns
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
65
|
W
|
|
25℃以上功率降額系數
|
PD
|
0.52
|
W/℃
|
|
引腳短時焊接溫度(10s)
|
TL
|
300
|
℃
|
|
封裝本體峰值焊接溫度(10s)
|
TPAK
|
260
|
℃
|
|
工作/存儲溫度區間
|
TJ&TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.6 熱特性參數
|
參數名稱
|
符號
|
數值
|
單位
|
|
結到外殼熱阻
|
RθJC
|
1.92
|
℃/W
|
|
結到環境熱阻
|
RθJA
|
100
|
℃/W
|
3.7 靜態電氣參數(TJ=25℃)
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
單位
|
|
漏源擊穿電壓
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
650
|
-
|
-
|
V
|
|
零柵壓漏電流IDSS
|
IDSS
|
VDS=650V,25℃
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
VDS=520V,125℃
|
-
|
-
|
100
|
uA
|
|
柵極漏電流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
導通內阻RDS(ON)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=10A
|
-
|
0.38
|
0.50
|
Ω
|
|
柵極閾值電壓
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
正向跨導gfs
|
gfs
|
VDS=15V,ID=10A
|
-
|
15
|
-
|
S
|
3.8 電容與柵電荷動態參數
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Typ
|
單位
|
|
輸入電容Ciss
|
Ciss
|
VDS=25V,f=1MHz,VGS=0V
|
2500
|
pF
|
|
輸出電容Coss
|
Coss
|
220
|
pF
|
|
反向傳輸電容Crss
|
Crss
|
34
|
pF
|
|
總柵電荷Qg
|
Qg
|
VDD=325V,ID=20A,VGS=0~10V
|
62
|
nC
|
|
柵源電荷Qgs
|
Qgs
|
10
|
nC
|
|
柵漏米勒電荷Qgd
|
Qgd
|
23
|
nC
|
3.9 開關時序特性
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Typ
|
單位
|
|
開通延遲時間
|
td(on)
|
VDD=325V,ID=20A,RG=25Ω
|
32
|
ns
|
|
開通上升時間
|
trise
|
180
|
ns
|
|
關斷延遲時間
|
td(OFF)
|
71
|
ns
|
|
關斷下降時間
|
tfall
|
120
|
ns
|
3.10 體二極管電氣特性
|
參數名稱
|
符號
|
測試條件
|
Max/Typ
|
單位
|
|
二極管連續電流
|
ISD
|
MOS內置PN體二極管
|
20
|
A
|
|
二極管脈沖峰值電流
|
ISM
|
脈沖短時工況
|
80
|
A
|
|
二極管正向壓降
|
VSD
|
IS=20A,VGS=0V
|
1.5
|
V
|
|
反向恢復時間trr
|
trr
|
IF=20A,di/dt=100A/us
|
800
|
ns
|
|
反向恢復電荷Qrr
|
Qrr
|
IF=20A,di/dt=100A/us
|
3.5
|
uC
|
3.11 原廠文檔備注說明
|
1. 擊穿電壓測試溫度區間TJ=+25℃ ~ +150℃
|
|
2. 脈沖參數為重復額定值，脈寬受最高結溫限制
|
|
3. dv/dt測試條件：ISD=20A、di/dt＜100A/us、TJ=150℃
|
|
4. Rds(on)脈沖測試：脈寬≤380us，占空比≤2%
|
|
5. 超出最大額定值會造成器件永久性損壞
|
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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