KCY3008C 120A 85V MOSFET | 解決大功率電源發(fā)熱難題

英飛凌IAUA120N08S5N01替代方案 | KCY3008C國(guó)產(chǎn)MOS管

SGT工藝加持，4.2mΩ低內(nèi)阻，UIS全檢，儲(chǔ)能/電源場(chǎng)景優(yōu)選

安森美NVMFS120N08替代 選KCY3008C 交期快性能穩(wěn)

KCY3008C, KCY3008C MOSFET, 120A 85V MOSFET, DFN5*6 MOSFET, 85V N溝道MOSFET, SGT工藝MOSFET

KIA（KMOS Semiconductor）

120A, 85V N-Channel MOSFET

3008C

1. 產(chǎn)品特性（Features）

? 采用先進(jìn)SGT工藝技術(shù)

? RDS(on)=4.2mΩ(典型值) @VGS=10V

? 超低柵極電荷（Super Low Gate Charge）

? 支持綠色環(huán)保器件標(biāo)準(zhǔn)

? 優(yōu)異的Cdv/dt效應(yīng)抑制能力

? 100% ΔVDS測(cè)試合格

? 100% UIS（非鉗位感性開關(guān)）測(cè)試合格

2. KCY3008C引腳配置（Pin Configuration）

封裝形式	DFN5*6
引腳定義	引腳1,2,3：Gate（柵極） 引腳4：Drain（漏極） 引腳5,6,7,8：Source（源極）
符號(hào)說明	1:Gate 2:Drain 3:Source（含內(nèi)置續(xù)流二極管）

3. KCY3008C訂購信息（Ordering Information）

產(chǎn)品型號(hào)	封裝形式	品牌
KCY3008C	DFN5*6	KIA

4. 絕對(duì)最大額定值（Absolute Maximum Ratings）

參數(shù)名稱	符號(hào)	額定值	單位	備注
漏源電壓(VGS=0V)	VDSS	85	V	-
柵源電壓(VDS=0V)	VGS	±20	V	-
連續(xù)漏極電流(TC=25℃)	ID	120	A	-
連續(xù)漏極電流(TC=100℃)	ID	77	A	-
脈沖漏極電流	IDM(pulse)	480	A	-
總功耗(TC=25℃)	PD	150	W	結(jié)溫≤175℃限制
單脈沖雪崩能量	EAS	625	mJ	-
結(jié)溫與存儲(chǔ)溫度范圍	TJ & TSTG	-55 ~ 150	℃	-

5. KCY3008C熱特性（Thermal Characteristics）

參數(shù)名稱	符號(hào)	額定值	單位
結(jié)到殼熱阻	RθJC	1.0	℃/W

6. KCY3008C電氣特性（Electrical Characteristics）

測(cè)試條件：T_A=25℃，特殊標(biāo)注除外

參數(shù)類別	參數(shù)名稱	符號(hào)	測(cè)試條件	Min	Typ	Max	單位
開關(guān)/靜態(tài)參數(shù)	漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=250μA	85	-	-	V
	零柵壓漏極電流	IDSS	VDS=85V, VGS=0V, TC=25℃	-	-	1	μA
	柵極漏電流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
	柵極閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=250μA	2	3	4	V
導(dǎo)通特性	漏源導(dǎo)通電阻	RDS(on)	VGS=10V, ID=30A	-	4.2	5.0	mΩ
	柵極電阻	RG	VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz	-	2.0	-	Ω
電容特性	輸入電容	Ciss	VDS=50V, VGS=0V, F=0.3MHz	-	3800	-	pF
	輸出電容	Coss	VDS=50V, VGS=0V, F=0.3MHz	-	590	-	pF
	反向傳輸電容	Crss	VDS=50V, VGS=0V, F=0.3MHz	-	20	-	pF
開關(guān)時(shí)間	開通延遲時(shí)間	td(on)	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	20	-	ns
	上升時(shí)間	tr	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	40	-	ns
	關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	42	-	ns
	下降時(shí)間	tf	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	21	-	ns
柵極電荷	總柵極電荷	Qg	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A	-	58	-	nC
	柵源電荷	Qgs	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A	-	15.6	-	nC
	柵漏電荷	Qgd	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A	-	14.5	-	nC
體二極管參數(shù)	體二極管正向電流	ISD	-	-	-	120	A
	二極管正向電壓	VSD	VGS=0V, ISD=30A, TJ=25℃	-	-	1.2	V
	反向恢復(fù)時(shí)間	trr	TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs	-	-	65	ns
	反向恢復(fù)電荷	Qrr	TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs	-	-	155	nC

7.KCY3008C 典型特性曲線（Typical Characteristics）

Fig1: 典型輸出特性曲線	Fig2: 典型轉(zhuǎn)移特性曲線
Fig3: 導(dǎo)通電阻與漏極電流關(guān)系曲線	Fig4: 最大連續(xù)漏極電流與殼溫關(guān)系曲線
Fig5: 柵極電荷特性曲線	Fig6: 電容特性曲線
Fig7: 歸一化擊穿電壓與結(jié)溫關(guān)系曲線	Fig8: 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫關(guān)系曲線
Fig9: 最大安全工作區(qū)（SOA）	Fig10: 體二極管正向特性曲線
Fig11: 結(jié)到殼的最大有效瞬態(tài)熱阻抗曲線

8. KCY3008C測(cè)試電路與波形（Test Circuit & Waveform）

Fig12: 柵極電荷測(cè)試電路與波形

Fig13: 電阻性開關(guān)測(cè)試電路與波形

Fig14: 非鉗位感性開關(guān)（UIS）測(cè)試電路與波形

備注說明（Notes）

1) 測(cè)試條件：表面貼裝于1平方英寸FR-4板，2OZ銅厚 2) 脈沖測(cè)試條件：脈寬≤300μs，占空比≤2% 3) 雪崩測(cè)試條件：VDD=50V, VGS=10V, L=0.5mH, IAS=50A 4) 功耗限制：受175℃結(jié)溫限制 5) 體二極管電流理論值與ID、IDM相同，實(shí)際應(yīng)用中受總功耗限制

KCY3008C 120A 85V N溝道MOSFET | DFN5*6封裝

9、KCY3008C產(chǎn)品核心簡(jiǎn)介

產(chǎn)品型號(hào)	KCY3008C	封裝形式	DFN5*6
基本參數(shù)	VDSS=85V，ID=120A，采用SGT工藝，內(nèi)置續(xù)流二極管
核心定位	大電流電源、BMS、儲(chǔ)能專用，可直接PIN對(duì)PIN替代進(jìn)口/國(guó)產(chǎn)同規(guī)格器件

10、KCY3008C產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)

優(yōu)勢(shì)類別	詳細(xì)說明	客戶價(jià)值
先進(jìn)工藝	采用SGT工藝，導(dǎo)通損耗低	降低整機(jī)溫升，提升工作效率
超低內(nèi)阻	RDS(on)典型4.2mΩ@VGS=10V	大電流工況下發(fā)熱更小
低柵極電荷	Qg典型58nC，開關(guān)速度優(yōu)異	適配高頻電路，降低開關(guān)損耗
高可靠性	通過UIS、ΔVDS全檢，雪崩能量625mJ	抗沖擊能力強(qiáng)，設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定
封裝兼容	標(biāo)準(zhǔn)DFN5*6，引腳定義通用	無需改PCB，直接替換原有物料
供貨穩(wěn)定	國(guó)產(chǎn)自主產(chǎn)線，常備現(xiàn)貨	解決進(jìn)口缺貨、交期長(zhǎng)難題

11、KCY3008C典型應(yīng)用領(lǐng)域

鋰電池管理系統(tǒng)BMS、儲(chǔ)能電源 大功率AC/DC、DC/DC開關(guān)電源 工業(yè)電源、不間斷電源UPS 電動(dòng)工具、大功率快充設(shè)備 逆變器、車載電源等大電流場(chǎng)景

12、KCY3008C平替替代型號(hào)對(duì)標(biāo)表（同規(guī)格 DFN5*6 85V/120A）

品牌	競(jìng)品型號(hào)	VDSS(V)	ID(A)	RDS(on)(mΩ)	對(duì)標(biāo)結(jié)論
KIA可易亞	KCY3008C	85	120	4.2	基準(zhǔn)型號(hào)
英飛凌	IAUA120N08S5N01	85	120	4.4	性能更優(yōu)，可直接替代
安森美	NVMFS120N08	85	120	4.5	性能更優(yōu)，可直接替代
東芝	TPH4R085NH	85	120	4.3	性能持平，可直接替代
新潔能	NCE85H120	85	120	4.6	參數(shù)領(lǐng)先，性價(jià)比更高
華潤(rùn)微	CRSM120N08	85	120	4.5	參數(shù)領(lǐng)先，性價(jià)比更高
士蘭微	SL120N08DF	85	120	4.4	參數(shù)領(lǐng)先，性價(jià)比更高
揚(yáng)杰科技	YJQ120N08	85	120	4.7	參數(shù)領(lǐng)先，性價(jià)比更高

13、KCY3008C核心電氣參數(shù)匯總

參數(shù)名稱	符號(hào)	典型值/范圍	單位
漏源擊穿電壓	VDSS	85	V
連續(xù)漏極電流(25℃)	ID	120	A
脈沖漏極電流	IDM	480	A
導(dǎo)通電阻@10V	RDS(on)	4.2	mΩ
總柵極電荷	Qg	58	nC
單脈沖雪崩能量	EAS	625	mJ
工作溫度范圍	Tj	-55 ~ 150	℃

14、KCY3008C訂購信息

產(chǎn)品型號(hào)	封裝	品牌	包裝規(guī)格
KCY3008C	DFN5*6	KIA可易亞	3000PCS/卷

15、KCY3008C客戶痛點(diǎn)解決方案

常見痛點(diǎn)	對(duì)應(yīng)解決方案
大功率電源發(fā)熱嚴(yán)重	低導(dǎo)通內(nèi)阻，有效降低溫升與損耗
進(jìn)口器件缺貨、交期漫長(zhǎng)	國(guó)產(chǎn)穩(wěn)定供貨，現(xiàn)貨充足交期快
替換物料需要重新改板	標(biāo)準(zhǔn)DFN5*6，引腳全兼容無需改板
高頻電路開關(guān)損耗大	低柵極電荷，開關(guān)特性優(yōu)秀
產(chǎn)品沖擊負(fù)載易損壞	高雪崩能量，抗干擾耐沖擊可靠性強(qiáng)

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）

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