KNY3080B 80A 30V MOSFET DFN5*6 快充同步整流專用
信息來源：本站 日期：2026-06-15
80A 30V DFN5*6 MOSFET 國產替代英飛凌/安森美 低Rds
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80A, 30V N-Channel MOSFET
封裝形式：DFN5*6
引腳功能定義：
核心引腳符號：
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY3080B | DFN5*6 | KIA |
注：除特殊標注外，測試條件Tc=25℃
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 30 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流（Tc=25℃） | ID | 80 | A |
| 連續漏極電流（Tc=100℃） | ID | 30 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 160 | A |
| 總功耗（Tc=25℃） | PD | 25 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 58 | mJ |
| 工作結溫與存儲溫度范圍 | Tj,Tstg | -55 to 150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到環境的熱阻 | RθJA | 60.5 | ℃/W |
注：除特殊標注外，測試條件Tj=25℃
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 柵極電阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V, ID=30A | - | 44 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1550 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 230 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 8 | - | ns |
| 上升時間 | tr | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 100 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 34 | - | ns |
| 下降時間 | tf | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 101 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 32 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 5 | - | nC |
| 柵漏電荷 | Qgd | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 8.5 | - | nC |
| 體二極管連續正向電流 | Is | — | - | - | 80 | A |
| 體二極管脈沖正向電流 | Ism | — | - | - | 140 | A |
| 體二極管正向電壓 | VSD | VGS=0V, IS=1A | - | - | 1 | V |
DFN5*6封裝 | 快充同步整流專用 | 國產高性價比替代方案
| 核心定位 | 針對AC/DC快充、電池管理、UPS等高頻開關場景優化的高性能N溝道MOSFET，完全兼容進口同規格器件引腳與封裝，實現國產替代零改動，兼顧性能、成本與供貨穩定性。 |
| 核心規格 | 80A連續漏極電流（Tc=25℃）、30V漏源耐壓、DFN5*6超小封裝、4.1mΩ典型導通電阻@VGS=10V |
| 替代目標 | 直接pin-to-pin替代英飛凌、安森美、東芝等進口品牌同規格80A 30V DFN5*6封裝MOSFET，無需修改PCB與電路設計 |
| 優勢類別 | 核心亮點 | 客戶價值 |
|---|---|---|
| 超低導通損耗 | 典型導通電阻僅4.1mΩ@10V，7mΩ@4.5V，優于多數同規格競品 | 大幅降低導通發熱，提升整機效率，適配快充等大電流場景 |
| 優異開關性能 | 總柵極電荷僅32nC，開關速度快，Cdv/dt效應抑制能力強 | 降低開關損耗，適配高頻開關應用，減少EMI干擾 |
| 封裝完全兼容 | 標準DFN5*6封裝，引腳定義與進口競品100%匹配 | 零改動替代，無需重新設計PCB，縮短產品開發周期 |
| 高可靠性設計 | 雪崩能量58mJ，工作結溫-55℃~150℃，通過嚴苛可靠性測試 | 適配工業級、消費級多場景，保障整機長期穩定運行 |
| 國產供應鏈保障 | 國內自有晶圓廠與封測線，穩定供貨，交期可控 | 解決進口器件交期長、缺貨風險，降低供應鏈成本 |
| 品牌 | 型號 | 封裝 | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON)典型值@10V(mΩ) | Qg典型值(nC) | 對標結果 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KIA/可易亞 | KNY3080B | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.1 | 32 | 基準型號 |
| 英飛凌 | BSC0803LSI | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.3 | 34 | 性能優于競品，可直接替代 |
| 安森美 | NTMFS083N03CL | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.5 | 36 | 性能優于競品，可直接替代 |
| 東芝 | TPH1R403PL | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.2 | 33 | 性能持平，可直接替代 |
| 恩智浦 | PSMN1R4-30YLDX | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.4 | 35 | 性能優于競品，可直接替代 |
| 新潔能 | NCE3080K | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.5 | 34 | 性能優于競品，同價位更具優勢 |
| 華潤微 | CRSM0803L | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.6 | 36 | 性能優于競品，同價位更具優勢 |
| 士蘭微 | SL3080DF | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.4 | 35 | 性能優于競品，同價位更具優勢 |
| 揚杰科技 | YJQ3080D | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.7 | 37 | 性能優于競品，同價位更具優勢 |
| 核心應用場景 |
|
| 保障類別 | 具體內容 |
|---|---|
| 品質管控 |
|
| 供貨保障 |
|
| 技術支持 |
|
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 | 包裝規格 |
|---|---|---|---|
| KNY3080B | DFN5*6 | KIA/可易亞 | 3000pcs/卷 |
| 參數類別 | 參數名稱 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 額定值 | 漏源電壓 | VDSS | 30 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V | |
| 連續漏極電流（25℃） | ID | 80 | A | |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 160 | A | |
| 導通特性 | 柵極閾值電壓 | VGS(th) | 1.0-2.0 | V |
| 導通電阻@10V | RDS(ON) | 4.1(典型) | mΩ | |
| 導通電阻@4.5V | RDS(ON) | 7.0(典型) | mΩ | |
| 開關特性 | 總柵極電荷 | Qg | 32(典型) | nC |
| 輸入電容 | Ciss | 1550(典型) | pF | |
| 熱特性 | 結到環境熱阻 | RθJA | 60.5 | ℃/W |
| 工作結溫范圍 | Tj | -55~150 | ℃ |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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