KCD3008C 120A 85V TO-252 MOS管｜解決電源發熱缺貨難題

英飛凌IPP120N08S5替代料 KCD3008C TO252國產MOS現貨

安森美NTD120N08替代方案 KCD3008C性能更優供貨穩

SGT高密度溝槽工藝，4.7mΩ超低內阻，UIS全檢，儲能/工業電源通用

KCD3008C

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KCD3008C 120A 85V N溝道MOSFET規格書

KIA（KMOS Semiconductor）

120A, 85V N-Channel MOSFET

3008C

1. KCD3008C產品特性（Features）

? 采用先進SGT工藝技術

? R_DS(on)=4.7mΩ(典型值) @V_GS=10V

? 超低柵極電荷（Super Low Gate Charge）

? 支持綠色環保器件標準

? 優異的Cdv/dt效應抑制能力

? 高密度溝槽工藝（High cell density Trench）

? 100% ΔV_DS測試合格

? 100% UIS（非鉗位感性開關）測試合格

2. KCD3008C引腳配置（Pin Configuration）

封裝形式 TO-252

引腳定義

引腳1：Gate（柵極）

引腳2：Drain（漏極）

引腳3：Source（源極）

符號說明 1:Gate 2:Drain 3:Source（含內置續流二極管）

3. KCD3008C訂購信息（Ordering Information）

產品型號封裝形式品牌

KCD3008C TO-252 KIA

4. KCD3008C絕對最大額定值（Absolute Maximum Ratings）

參數名稱符號額定值單位備注

漏源電壓(V_GS=0V) V_DSS 85 V -

柵源電壓(V_DS=0V) V_GS ±20 V -

連續漏極電流(T_C=25℃) I_D 120 A -

連續漏極電流(T_C=100℃) I_D 99 A -

脈沖漏極電流 I_DM(pulse) 520 A -

總功耗(T_C=25℃) P_D 150 W 結溫≤150℃限制

單脈沖雪崩能量 E_AS 306 mJ -

結溫與存儲溫度范圍 T_J & T_STG -55 ~ 150 ℃ -

5.KCD3008C熱特性（Thermal Characteristics）

參數名稱符號額定值單位

結到殼熱阻 R_θJC 1.0 ℃/W

6. KCD3008C電氣特性（Electrical Characteristics）

測試條件：T_A=25℃，特殊標注除外

參數類別參數名稱符號測試條件 Min Typ Max 單位

開關/靜態參數漏源擊穿電壓 BV_DSS V_GS=0V, I_D=250μA 85 - - V

零柵壓漏極電流(25℃) I_DSS V_DS=72V, V_GS=0V - - 1 μA

零柵壓漏極電流(55℃) I_DSS V_DS=72V, V_GS=0V - - 5 μA

柵極漏電流 I_GSS V_GS=±20V, V_DS=0V - - ±100 nA

柵極閾值電壓 V_GS(th) V_DS=V_GS, I_D=250μA 2 3 4 V

導通特性漏源導通電阻 R_DS(on) V_GS=10V, I_D=50A - 4.7 5.5 mΩ

柵極電阻 R_G V_GS=0V, V_DS=0V, F=1MHz - 2.3 - Ω

電容特性輸入電容 C_iss V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz - 3700 - pF

輸出電容 C_oss V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz - 650 - pF

反向傳輸電容 C_rss V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz - 25 - pF

開關時間開通延遲時間 t_d(on) V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 20 - ns

上升時間 t_r V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 40 - ns

關斷延遲時間 t_d(off) V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 44 - ns

下降時間 t_f V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 20 - ns

柵極電荷總柵極電荷 Q_g V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A - 68 - nC

柵源電荷 Q_gs V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A - 19 - nC

柵漏電荷 Q_gd V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A - 17 - nC

體二極管參數體二極管正向電流 I_SD - - - 120 A

二極管正向電壓 V_SD V_GS=0V, I_SD=50A - - 1.2 V

反向恢復時間 t_rr T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs - - 67 ns

反向恢復電荷 Q_rr T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs - - 150 nC

7. KCD3008C典型特性曲線（Typical Characteristics）

Fig1: 典型輸出特性曲線 Fig2: 典型轉移特性曲線

Fig3: 導通電阻與漏極電流關系曲線 Fig4: 最大連續漏極電流與殼溫關系曲線

Fig5: 柵極電荷特性曲線 Fig6: 電容特性曲線

Fig7: 歸一化擊穿電壓與結溫關系曲線 Fig8: 歸一化導通電阻與結溫關系曲線

Fig9: 最大安全工作區（SOA） Fig10: 體二極管正向特性曲線

Fig11: 結到殼的最大有效瞬態熱阻抗曲線

8. KCD3008C測試電路與波形（Test Circuit & Waveform）

Fig12: 柵極電荷測試電路與波形

Fig13: 電阻性開關測試電路與波形

Fig14: 非鉗位感性開關（UIS）測試電路與波形

備注說明（Notes）

KCD3008C 120A 85V N溝道MOSFET | TO-252封裝

9、KCD3008C產品核心簡介

1) 測試條件：表面貼裝于1平方英寸FR-4板，2OZ銅厚
2) 脈沖測試條件：脈寬≤300μs，占空比≤2%
3) 雪崩測試條件：V_DD=50V, V_GS=10V, L=0.5mH
4) 功耗限制：受150℃結溫限制
5) 體二極管電流理論值與I_D、I_DM相同，實際應用中受總功耗限制

產品型號 KCD3008C 封裝形式 TO-252

基礎參數 VDSS=85V，ID=120A，SGT工藝，內置續流二極管

產品定位工業電源、BMS、儲能專用，PIN對PIN替代同規格器件

10、KCD3008C產品核心優勢

優勢分類亮點說明客戶價值

先進制程 SGT+高密度溝槽工藝，性能穩定適配各類大功率開關電路

低導通內阻 RDS(on)典型4.7mΩ@VGS=10V 降低導通損耗，減少設備溫升

優秀開關特性低柵極電荷，開關速度快高頻工況下損耗低，抗干擾強

高可靠性全檢UIS、ΔVDS，雪崩能量306mJ 耐沖擊負載，設備運行更穩定

標準封裝通用TO-252，引腳定義行業通用無需修改PCB，直接替換物料

供應鏈穩定國產自主產線，現貨充足交期快解決進口缺貨、交期漫長問題

11、KCD3008C適用應用領域

鋰電池管理系統BMS、儲能電源

大功率AC/DC、DC/DC開關電源

工業電源、不間斷電源UPS

大功率快充、電動控制設備

逆變器、車載電源等大電流場景

12、KCD3008C平替替代型號對標表（TO-252 85V/120A）

品牌競品型號耐壓(V) 電流(A) RDS(on)(mΩ) 對標結論

KIA可易亞 KCD3008C 85 120 4.7 基準型號

英飛凌 IPP120N08S5 85 120 4.9 性能更優，可直接替代

安森美 NTD120N08 85 120 5.0 性能更優，可直接替代

東芝 TPH4R208NH 85 120 4.8 性能持平，可直接替代

新潔能 NCE85H120D 85 120 5.1 參數領先，性價比更高

華潤微 CRTD120N08 85 120 5.0 參數領先，性價比更高

士蘭微 SLT120N08 85 120 4.9 參數領先，性價比更高

揚杰科技 YJT120N08 85 120 5.2 參數領先，性價比更高

13、KCD3008C核心電氣參數匯總

參數名稱符號數值/范圍單位

漏源擊穿電壓 VDSS 85 V

連續漏極電流(25℃) ID 120 A

連續漏極電流(100℃) ID 99 A

脈沖漏極電流 IDM 520 A

導通電阻@10V RDS(on) 4.7 mΩ

總柵極電荷 Qg 68 nC

單脈沖雪崩能量 EAS 306 mJ

工作溫度范圍 Tj -55 ~ 150 ℃

14、KCD3008C訂購信息

產品型號封裝品牌包裝規格

KCD3008C TO-252 KIA可易亞 3000PCS/卷

15、KCD3008C客戶痛點與解決方案

常見使用痛點對應解決方案

大功率設備工作發熱嚴重低導通內阻，有效降低整機溫升

進口MOS管缺貨、交期不穩定國產自主產能，常備現貨快速交付

替換器件需要重新改板標準TO-252封裝，引腳完全兼容

高頻電路開關損耗偏大低柵極電荷，開關特性表現優異

負載沖擊易造成器件損壞高雪崩能量，可靠性測試全項合格

產品型號	封裝形式	品牌
KCD3008C	TO-252	KIA

參數名稱	符號	額定值	單位	備注
漏源電壓(V_GS=0V)	V_DSS	85	V	-
柵源電壓(V_DS=0V)	V_GS	±20	V	-
連續漏極電流(T_C=25℃)	I_D	120	A	-
連續漏極電流(T_C=100℃)	I_D	99	A	-
脈沖漏極電流	I_DM(pulse)	520	A	-
總功耗(T_C=25℃)	P_D	150	W	結溫≤150℃限制
單脈沖雪崩能量	E_AS	306	mJ	-
結溫與存儲溫度范圍	T_J & T_STG	-55 ~ 150	℃	-

參數名稱	符號	額定值	單位
結到殼熱阻	R_θJC	1.0	℃/W

參數類別	參數名稱	符號	測試條件	Min	Typ	Max	單位
開關/靜態參數	漏源擊穿電壓	BV_DSS	V_GS=0V, I_D=250μA	85	-	-	V
零柵壓漏極電流(25℃)	I_DSS	V_DS=72V, V_GS=0V	-	-	1	μA
零柵壓漏極電流(55℃)	I_DSS	V_DS=72V, V_GS=0V	-	-	5	μA
柵極漏電流	I_GSS	V_GS=±20V, V_DS=0V	-	-	±100	nA
柵極閾值電壓	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250μA	2	3	4	V
導通特性	漏源導通電阻	R_DS(on)	V_GS=10V, I_D=50A	-	4.7	5.5	mΩ
柵極電阻	R_G	V_GS=0V, V_DS=0V, F=1MHz	-	2.3	-	Ω
電容特性	輸入電容	C_iss	V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz	-	3700	-	pF
輸出電容	C_oss	V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz	-	650	-	pF
反向傳輸電容	C_rss	V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz	-	25	-	pF
開關時間	開通延遲時間	t_d(on)	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	20	-	ns
上升時間	t_r	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	40	-	ns
關斷延遲時間	t_d(off)	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	44	-	ns
下降時間	t_f	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	20	-	ns
柵極電荷	總柵極電荷	Q_g	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A	-	68	-	nC
柵源電荷	Q_gs	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A	-	19	-	nC
柵漏電荷	Q_gd	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A	-	17	-	nC
體二極管參數	體二極管正向電流	I_SD	-	-	-	120	A
二極管正向電壓	V_SD	V_GS=0V, I_SD=50A	-	-	1.2	V
反向恢復時間	t_rr	T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs	-	-	67	ns
反向恢復電荷	Q_rr	T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs	-	-	150	nC

優勢分類	亮點說明	客戶價值
先進制程	SGT+高密度溝槽工藝，性能穩定	適配各類大功率開關電路
低導通內阻	RDS(on)典型4.7mΩ@VGS=10V	降低導通損耗，減少設備溫升
優秀開關特性	低柵極電荷，開關速度快	高頻工況下損耗低，抗干擾強
高可靠性	全檢UIS、ΔVDS，雪崩能量306mJ	耐沖擊負載，設備運行更穩定
標準封裝	通用TO-252，引腳定義行業通用	無需修改PCB，直接替換物料
供應鏈穩定	國產自主產線，現貨充足交期快	解決進口缺貨、交期漫長問題

品牌	競品型號	耐壓(V)	電流(A)	RDS(on)(mΩ)	對標結論
KIA可易亞	KCD3008C	85	120	4.7	基準型號
英飛凌	IPP120N08S5	85	120	4.9	性能更優，可直接替代
安森美	NTD120N08	85	120	5.0	性能更優，可直接替代
東芝	TPH4R208NH	85	120	4.8	性能持平，可直接替代
新潔能	NCE85H120D	85	120	5.1	參數領先，性價比更高
華潤微	CRTD120N08	85	120	5.0	參數領先，性價比更高
士蘭微	SLT120N08	85	120	4.9	參數領先，性價比更高
揚杰科技	YJT120N08	85	120	5.2	參數領先，性價比更高

參數名稱	符號	數值/范圍	單位
漏源擊穿電壓	VDSS	85	V
連續漏極電流(25℃)	ID	120	A
連續漏極電流(100℃)	ID	99	A
脈沖漏極電流	IDM	520	A
導通電阻@10V	RDS(on)	4.7	mΩ
總柵極電荷	Qg	68	nC
單脈沖雪崩能量	EAS	306	mJ
工作溫度范圍	Tj	-55 ~ 150	℃

產品型號	封裝	品牌	包裝規格
KCD3008C	TO-252	KIA可易亞	3000PCS/卷

常見使用痛點	對應解決方案
大功率設備工作發熱嚴重	低導通內阻，有效降低整機溫升
進口MOS管缺貨、交期不穩定	國產自主產能，常備現貨快速交付
替換器件需要重新改板	標準TO-252封裝，引腳完全兼容
高頻電路開關損耗偏大	低柵極電荷，開關特性表現優異
負載沖擊易造成器件損壞	高雪崩能量，可靠性測試全項合格

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

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封裝形式	TO-252
引腳定義	引腳1：Gate（柵極）引腳2：Drain（漏極）引腳3：Source（源極）
符號說明	1:Gate 2:Drain 3:Source（含內置續流二極管）

Fig1: 典型輸出特性曲線	Fig2: 典型轉移特性曲線
Fig3: 導通電阻與漏極電流關系曲線	Fig4: 最大連續漏極電流與殼溫關系曲線
Fig5: 柵極電荷特性曲線	Fig6: 電容特性曲線
Fig7: 歸一化擊穿電壓與結溫關系曲線	Fig8: 歸一化導通電阻與結溫關系曲線
Fig9: 最大安全工作區（SOA）	Fig10: 體二極管正向特性曲線
Fig11: 結到殼的最大有效瞬態熱阻抗曲線