KND8104A 40V/30A TO-252 N 溝道 | 12mΩ 低內阻功率管
信息來源：本站 日期：2026-06-12
解決 MOS 管發熱、效率低難題 | KND8104A 低損耗方案
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA |
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA |
| KND8104A | TO-252 | KIA |
| TO-252引腳 | DFN3*3/5*6引腳 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | 4 | Gate（柵極） |
| 2 | 5,6,7,8 | Drain（漏極） |
| 3 | 1,2,3 | Source（源極） |
| 項目 | 說明 |
|---|---|
| 導通電阻 | RDS(ON)=12mΩ(典型值)@VGS=10V |
| 核心優勢 | 極低導通電阻、低Crss、快速開關 |
| 可靠性測試 | 100%雪崩測試、改進的dv/dt能力 |
| 序號 | 應用場景 |
|---|---|
| 1 | PWM控制應用 |
| 2 | 電源管理 |
| 3 | 負載開關 |
| 參數 | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | VGS=0V | 40 | V |
| 連續漏極電流 | ID | Tc=25℃ | 30 | A |
| Tc=100℃ | 19 | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDM | 脈沖測試 | 120 | A |
| 柵源電壓 | VGS | - | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | - | 25 | mJ |
| 功耗 | PD | Tc=25℃ | 96 | W |
| 結溫/存儲溫度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 焊接溫度 | TL | 引腳焊接5秒 | 300 | ℃ |
注：漏極電流受最大結溫限制。
| 參數 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDS | VGS=0V,ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=40V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 12 | 16 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ | ||
| 柵極電阻 | RG | f=1MHz | - | 4 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 70 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 62 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VGS=10V,VDS=30V,RG=4.7Ω,ID=30A | - | 4 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 8 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 30 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 10 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=20V,ID=30A,VGS=10V | - | 18 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 2.5 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 5 | - | nC | |
| 體二極管正向電流 | Is | - | - | - | 30 | A |
| 體二極管脈沖電流 | IsM | - | - | - | 120 | A |
| 二極管正向壓降 | VSD | ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
注：1. 重復額定值：脈寬受最大結溫限制；2. EAS測試條件：TJ=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω；3. 脈沖測試：脈寬≤300μs，占空比≤0.5%。
| 圖號 | 曲線內容 |
|---|---|
| 圖1 | 導通區特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 圖2 | 傳輸特性（ID vs VGS） |
| 圖3 | 導通電阻隨漏極電流與柵極電壓變化 |
| 圖4 | 體二極管正向電壓隨源電流變化 |
| 圖5 | 電容特性（Ciss/Coss/Crss vs VDS） |
| 圖6 | 柵極電荷特性（VGS vs Qg） |
| 圖7 | 漏源電壓隨柵極電壓變化 |
| 圖8 | 導通電阻隨柵極電壓變化 |
| 圖9 | 最大安全工作區（SOA） |
| 圖10 | 最大連續漏極電流隨結溫變化 |
| 圖11 | 瞬態熱響應曲線 |
| 電路類型 | 測試項目 |
|---|---|
| 柵極電荷測試電路 | Qg/Qgs/Qgd參數測試 |
| 阻性開關測試電路 | 開關時間、上升/下降時間測試 |
| 非鉗位感性開關測試電路 | 雪崩能量EAS測試 |
| 二極管恢復dv/dt測試電路 | 體二極管反向恢復特性測試 |
| 產品型號 | 封裝 | 器件類型 | 核心參數 |
|---|---|---|---|
| KND8104A | TO-252 | N溝道MOSFET | 40V/30A，典型Rds(on) 12mΩ |
| 競品型號 | 品牌 | 核心參數 | 產品特點 |
|---|---|---|---|
| NCE4030K | NCE | 40V/30A TO-252 | 市面通用款，供貨渠道廣 |
| AOT4030L | AOS | 40V/30A TO-252 | 開關速度快，高頻電路適配佳 |
| IRLR7843 | IR | 40V/30A TO-252 | 老牌型號，工業設備常用 |
| WST4030 | Winsok | 40V/30A TO-252 | 低內阻，性價比突出 |
| FQD30N40 | ON | 40V/30A TO-252 | 穩定性強，長期工況表現好 |
| 分類 | 宣傳文案 |
|---|---|
| 產品簡介 | KND8104A為TO-252封裝N溝道MOS管，額定40V/30A。 |
| 導通性能 | 典型內阻12mΩ，大幅降低導通損耗與發熱。 |
| 開關特性 | 反向傳輸電容低，開關響應迅速、效率高。 |
| 抗干擾能力 | 優化dv/dt耐受能力，適配復雜電磁環境。 |
| 可靠性能 | 100%雪崩全檢，抗沖擊強，使用壽命長久。 |
| 封裝優勢 | 標準TO-252封裝，焊接便捷，散熱表現優良。 |
| 應用場景 | 場景介紹 |
|---|---|
| PWM控制電路 | 開關性能優異，適配各類脈沖調制線路。 |
| 電源管理模塊 | 低損耗設計，提升電源整體轉換效率。 |
| 大電流負載開關 | 30A電流承載，通斷穩定安全。 |
| 小家電驅動 | 參數匹配度高，適配各類家用電器方案。 |
| 工控供電系統 | 可靠性高，滿足設備長時間連續運行。 |
| 對比維度 | 對比優勢文案 |
|---|---|
| 發熱控制 | 低導通內阻，相比同類產品溫升更低。 |
| 高頻表現 | 電容參數優秀，高頻工況效率更有優勢。 |
| 引腳兼容 | 標準TO-252引腳，可直接替換主流競品。 |
| 耐沖擊性 | 全檢雪崩性能，惡劣工況適應性更強。 |
| 綜合性價比 | 品質對標一線品牌，貨源穩定采購成本優。 |
| 使用位置 | 宣傳文案 |
|---|---|
| 產品主標題1 | KND8104A 40V30A TO-252低內阻MOSFET |
| 產品主標題2 | TO-252封裝40V/30A 高速開關功率MOS管 |
| 引流短句1 | 可替代NCE4030K/AOT4030L 通用功率管 |
| 引流短句2 | 12mΩ低內阻 高可靠TO-252封裝MOS管 |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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