KCY2203A 30V/200A DFN5*6 N 溝道 | 1.3mΩ 低內(nèi)阻功率管
信息來源：本站 日期：2026-06-12
解決 MOS 管發(fā)熱、效率低難題 | KCY2203A 低損耗方案
KCY2203A, KCY2203A MOSFET, KCY2203A 30V 200A, KCY2203A DFN5*6
| 項目 | 說明 |
|---|---|
| 工藝技術(shù) | 采用先進SGT工藝 |
| 導(dǎo)通電阻 | Rds(on)=1.3mΩ(典型值)@VGS=10V |
| 柵極電荷 | 超低柵極電荷，開關(guān)速度快 |
| 環(huán)保特性 | 提供環(huán)保無鉛版本 |
| 抗擾能力 | 優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)抑制能力 |
| 可靠性測試 | 100% ΔVds測試、100% UIS測試 |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 1,2,3 | Gate（柵極） |
| 4 | Drain（漏極） |
| 5,6,7,8 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCY2203A | DFN5×6 | KIA |
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | VGS=0V | 30 | V |
| 柵源電壓 | VGS | VDS=0V | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | TC=25℃ | 200 | A |
| TC=100℃ | 127 | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDM | 脈沖測試 | 800 | A |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 125 | W |
| 雪崩能量 | EAS | - | 506 | mJ |
| 結(jié)溫/存儲溫度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)-殼熱阻 | RθJC | 1.2 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V,TC=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250μA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A | - | 1.3 | 1.6 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=20A | - | 2.0 | 2.6 | mΩ | ||
| 柵極電阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1.0MHz | - | 2.5 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1.0MHz | - | 3010 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 1530 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 50 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDS=15V,VGS=10V,RG=5.0Ω,ID=30A | - | 22 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 58 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | - | 40 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 35 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=15V,VGS=10V,ID=30A | - | 45 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 8.2 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 7 | - | nC | |
| 體二極管電流 | ISD | - | - | - | 200 | A |
| 體二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復(fù)時間 | trr | TJ=25℃,IF=30A,di/dt=100A/μs | - | 56 | - | nS |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 65 | - | nC |
注：1) 數(shù)據(jù)在FR-4板(1英寸2,2盎司銅)表面貼裝測試；2) 脈沖測試脈寬≤300μs，占空比≤2%；3) EAS測試條件：VDD=20V,VGS=10V,L=0.5mH,IAS=45A；4) 功耗受175℃結(jié)溫限制；5) 實際應(yīng)用需考慮總功耗限制
| 圖號 | 曲線內(nèi)容 |
|---|---|
| 圖1 | 典型輸出特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 圖2 | 典型傳輸特性（ID vs VGS） |
| 圖3 | 導(dǎo)通電阻 vs 漏極電流（不同VGS） |
| 圖4 | 最大連續(xù)漏極電流 vs 殼溫 |
| 圖5 | 柵極電荷特性（VGS vs Qg） |
| 圖6 | 電容特性（Ciss/Coss/Crss vs VDS） |
| 圖7 | 歸一化擊穿電壓 vs 結(jié)溫 |
| 圖8 | 歸一化導(dǎo)通電阻 vs 結(jié)溫 |
| 圖9 | 最大安全工作區(qū)（SOA） |
| 圖10 | 體二極管正向特性 |
| 圖11 | 瞬態(tài)熱阻抗曲線 |
| 電路類型 | 測試項目 |
|---|---|
| 柵極電荷測試電路 | Qg/Qgs/Qgd參數(shù)測試 |
| 阻性開關(guān)測試電路 | 開關(guān)時間、上升/下降時間測試 |
| 非鉗位感性開關(guān)測試電路 | 雪崩能量EAS測試 |
| 產(chǎn)品型號 | 封裝 | 器件類型 | 核心參數(shù) |
|---|---|---|---|
| KCY2203A | DFN5*6 | N溝道MOSFET | 30V/200A，典型Rds(on) 1.3mΩ |
| 競品型號 | 品牌 | 核心參數(shù) | 產(chǎn)品特點 |
|---|---|---|---|
| NCE30200K | NCE | 30V/200A DFN5*6 | 通用大功率管，市場流通量大 |
| AOTL30200 | AOS | 30V/200A DFN5*6 | 開關(guān)性能優(yōu)異，適配高頻電路 |
| WST30200D56 | Winsok | 30V/200A DFN5*6 | 大電流承載強，工業(yè)場景常用 |
| SMB30N200 | SM | 30V/200A DFN5*6 | 低內(nèi)阻設(shè)計，貼片方案首選 |
| FDMS30200 | ON | 30V/200A DFN5*6 | 可靠性高，高端電源方案適用 |
| 分類 | 宣傳文案 |
|---|---|
| 產(chǎn)品簡介 | KCY2203A為DFN5*6貼片MOS管，30V/200A大功率規(guī)格。 |
| 工藝優(yōu)勢 | 采用SGT先進工藝，綜合性能表現(xiàn)出眾。 |
| 導(dǎo)通性能 | 導(dǎo)通電阻低至1.3mΩ，有效降低線路損耗與發(fā)熱。 |
| 開關(guān)特性 | 超低柵極電荷，開關(guān)速度快，高頻運行穩(wěn)定。 |
| 抗干擾能力 | 優(yōu)秀dv/dt抑制能力，適配復(fù)雜電磁環(huán)境。 |
| 品質(zhì)可靠性 | 全檢UIS、ΔVds，耐雪崩沖擊，使用壽命更長。 |
| 封裝優(yōu)勢 | DFN5*6小型貼片，節(jié)省PCB空間，利于設(shè)備小型化。 |
| 應(yīng)用場景 | 場景介紹 |
|---|---|
| 高頻PWM電路 | 開關(guān)性能出色，適配各類脈沖調(diào)制控制線路。 |
| 緊湊型電源 | 貼片封裝+低損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率。 |
| 大電流負載開關(guān) | 200A大電流承載，通斷安全穩(wěn)定。 |
| 工控供電模塊 | 抗干擾強，滿足工業(yè)設(shè)備長期連續(xù)工作。 |
| 便攜大功率設(shè)備 | 小體積大功率，助力產(chǎn)品輕量化設(shè)計。 |
| 對比維度 | 對比優(yōu)勢文案 |
|---|---|
| 導(dǎo)通損耗 | 超低內(nèi)阻，相比同類競品發(fā)熱更低、更省電。 |
| 開關(guān)表現(xiàn) | 柵極電荷更小，高頻工況效率優(yōu)于普通型號。 |
| 封裝兼容 | 標準DFN5*6引腳，可直接替換市面主流競品。 |
| 耐沖擊性 | 雙重可靠性全檢，抗雪崩能力更突出。 |
| 綜合性價比 | 一線性能品質(zhì)，貨源穩(wěn)定，采購成本更具優(yōu)勢。 |
| 使用位置 | 簡短宣傳文案 |
|---|---|
| 產(chǎn)品標題1 | KCY2203A 30V200A DFN5*6低內(nèi)阻貼片MOS管 |
| 產(chǎn)品標題2 | SGT工藝大功率MOSFET 高頻低損耗開關(guān)器件 |
| 引流短句1 | 替代NCE30200K/AOTL30200 貼片功率管 |
| 引流短句2 | 1.3mΩ低內(nèi)阻 DFN5*6緊湊型大電流MOS管 |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
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