nmos和pmos電流流向詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-11
對于NMOS看下圖中的箭頭，都是遠離源頭。
對于PMOS看箭頭，都是指向源頭。
P：POSITIVE積極的尋找自己的起源。
N：NEGTIVE消極的遠離自己的源頭。
首先明確，S是源極，D是漏極對于NMOS，載流子是電子，電子的極到源極。對于PMOS，載流子是空穴對，是PMOS電流的方向也是從源極到漏極，注意區分。
電流流向與載流子
NMOS（N溝道MOSFET）：其主要載流子是電子（負電荷）。導通時，電子從源極流向漏極，但根據電路理論中電流方向定義為正電荷流動方向，因此電流方向與電子流動方向相反，為從漏極（D）到源極（S）。
PMOS（P溝道MOSFET）：其主要載流子是空穴（等效正電荷）。導通時，空穴從源極流向漏極，其方向與正電荷流動方向一致，因此電流方向為從源極（S）到漏極(D)。
nmos和pmos電流流向和導通條件
注意：當防反接應用時，NMOS電流可以從S→D極，如下；
NMOS是柵極高電平（VGS|>Vt)導通，低電平斷開，可用來控制與地之間的導通。PMOS是柵極低電平（IVGS|>Vt)導通，高電平斷開，可用來控制與電源之間的導通。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
