單相全橋逆變電路圖,工作原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-25
單相全橋逆變電路由四個功率開關管（IGBT/MOSFET）組成H型橋式拓撲，每個開關管并聯(lián)續(xù)流二極管。通過交替導通對角線開關管實現(xiàn)直流-交流轉換：正半周Q1、Q4導通，負載獲+Ud；負半周Q2、Q3導通，負載獲-Ud。周期性交替導通形成交變方波，采用SPWM技術調整開關管導通時間（占空比），可使輸出波形接近正弦波，減少諧波干擾。
全橋逆變電路
逆變電路工作時，單極性調制和雙極性調制時主要有以下兩種工作狀態(tài)：
在單極倍頻調制時，還存在如下兩工作狀態(tài)：
SPWM調制的基本原理
如果對于交流電，如50HZ的正弦波，把它看成是有許許多多的呈階梯狀的直流信號組成，這樣就可以用許許多多的寬窄不等的脈沖來等效這個正弦波了，從而實現(xiàn)了功率管工作在開關狀態(tài)。如果在一個正弦波周期內的脈沖個數(shù)比較多，就能精度比較高地通過LC濾波網絡還原成正弦波，這就是SPWM調制的基本原理。
SPWM調制波的實現(xiàn)方式
在模擬電路里，我們常常用調制基波（正弦波）和載波（三角波或鋸齒波）的幅值來做比較，幅值高時就輸出高電平或低電平產生SPWM調制波，具體實現(xiàn)方法就是把基波和載波分別輸入到比較器的正反相輸入端。
比較器輸出的是占空比變化的矩形波，通過控制全橋電路4個功率管的導通順序以及后級的LC濾波可得到正弦波形。
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