12n09,12N09場效應(yīng)管參數(shù),??電機mos管,KCT012N09N-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-11
KCT012N09N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；開關(guān)速度快、符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品性能穩(wěn)定可靠，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用，高效低耗；封裝形式：TOLL，適用于高功率密度場景。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：90V
漏極電流：305A
導(dǎo)通電阻：1.3mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1220A
單脈沖雪崩能量：1280MJ
功率耗散：260W
閾值電壓：3.1V
總柵極電荷：141nC
輸入電容：10572PF
輸出電容：3117PF
反向傳輸電容：54PF
開通延遲時間：115nS
關(guān)斷延遲時間：78nS
上升時間：80ns
下降時間：49ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
