pmos管防倒灌,防反接電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-28
PMOS管防倒灌電路通過控制柵極電壓實現(xiàn)電流單向?qū)?，防止電源斷開時后級電壓反向流入前級。
防倒灌電路
結構：PMOS漏極接電源正極，源極接負載，柵極通過電阻接地。
原理：正常供電時，柵極電壓低于源極，PMOS導通；斷電時，柵極電壓被拉高，PMOS關斷，阻斷反向電流。
防反接與防倒灌結合電路
增加穩(wěn)壓管：在柵極與地間加穩(wěn)壓管，防止過壓損壞PMOS。
雙MOS背靠背：兩個PMOS反向串聯(lián)，通過三極管控制柵極，實現(xiàn)雙向防倒灌。
如圖所示，兩個Pmos管背靠背連接到一起，用一個三極管Q3控制Q1、Q2兩個MOS的開通與關斷。
用一個0.1Hz的方波信號來模擬IO口電平。
當Q3基極輸入高電平時，三極管導通，Q1、Q2的柵極都被拉到0V，Q1通過體二極管，符合條件（Vgs<0）先導通，接著Q2的源極S端電壓大于柵極G端電壓（Vgs<O）也進入導通狀態(tài)。負載端得到VCC電壓，如下圖為5V。
當Q3基極輸入低電平時，三極管截止，Q1、Q2不能滿足條件，進而不能導通，同時由于Q1和Q2的體二極管是反方向串聯(lián)的，所以不管哪個方向，輸入和輸出都是不通，起到防反接、防倒灌作用。此時，探針處電壓為4.82mV，接近0V。
優(yōu)點：當負載端是電池或者大容量的電容時，可以有效防止電流倒灌。
缺點：需要一個I0口去控制輸入輸出是否有電壓。
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