ao3400場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),KIA3400場(chǎng)效應(yīng)管代換-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-11-11
漏源電壓（Vds）：30V
連續(xù)漏極電流（Id)：5.8A（25℃），70C時(shí)降至4.9A。
柵源電壓（Vgs）：±12V，支持寬范圍驅(qū)動(dòng)。
電氣特性
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：
Vgs=10V時(shí)<28mΩ
Vgs=4.5V時(shí)<33mΩ
Vgs=2.5V時(shí)<52mΩ
閾值電壓（Vth）：約1.4V-2.5V。
開(kāi)關(guān)特性：
開(kāi)通延遲時(shí)間3.3ns，關(guān)斷延遲時(shí)間26.3ns。
輸入電容823pF，輸出電容99pF。
功率與溫度：
最大功耗1.4W（25℃）。
工作溫度-55℃至150℃。
封裝類型：SOT-23
ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開(kāi)關(guān)損耗，提高效率；符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)、綠色環(huán)保，穩(wěn)定可靠；適用于電源管理、開(kāi)關(guān)控制、功率放大、高頻信號(hào)處理等，封裝形式：SOT-23，尺寸小，安裝方便。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：30V
漏極電流：4.8A
柵源電壓：±12V
脈沖漏電流：30A
總功耗：1.4W
閾值電壓：0.6V
輸入電容：823PF
輸出電容：99PF
反向傳輸電容：77PF
總柵極電荷：9.7nC
開(kāi)通延遲時(shí)間：3.3nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：26.3nS
上升時(shí)間：4.8ns
下降時(shí)間：4.1ns
引腳圖：
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座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
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