過流保護(hù)電路原理圖,工作原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-29
過電流保護(hù)是電流超過預(yù)定最大值時(shí)的電流保護(hù)裝置動(dòng)作。當(dāng)流過被保護(hù)原件的電流超過預(yù)設(shè)值時(shí)，保護(hù)裝置動(dòng)作，并利用定時(shí)來保證動(dòng)作的選擇性，使斷路器跳閘或發(fā)出報(bào)警信號(hào)。
許多電子設(shè)備都有額定電流。一旦設(shè)備超過額定電流，就會(huì)燒壞設(shè)備。因此，這些設(shè)備都做了一個(gè)電流保護(hù)模塊，當(dāng)電流超過設(shè)定電流時(shí)，設(shè)備自動(dòng)斷電保護(hù)設(shè)備，這就是過流保護(hù)。
分立元器件搭建的保護(hù)電路
電路一
原理：首先左側(cè)CRTL-LOAD是單片機(jī)輸出開啟負(fù)載的控制端。CRTL-LOAD輸出高電平，Q2打開，負(fù)載LOAD-IN接入。負(fù)載正常的情況下電路不會(huì)有異樣，但是當(dāng)負(fù)載突然變大(短路或者接錯(cuò)負(fù)載情況下)時(shí)，保護(hù)電路開始起作用。
過載保護(hù)部分的電路，即Q1、R3、R4、R5組成部分。Q1是常規(guī)的硅管，導(dǎo)通壓降大致在0.7V，上圖中在不接任何負(fù)載的情況下，Q1的基極電位可以計(jì)算出：
VQ1b=(R3+R4)/(R3+R4+R5)*5≈0.314V
因?yàn)楫?dāng)負(fù)載接入時(shí)，會(huì)在R3上產(chǎn)生壓降，從而推動(dòng)Q1基極電位增大，我們默認(rèn)理想情況下0.7V時(shí)，三極管Q1會(huì)動(dòng)作，由此理論上可以計(jì)算出接入多大負(fù)載電路會(huì)關(guān)斷：
Ib=(0.7-VQ1b)/R3=0.386V/10=0.0386A=38.6mA
即理論上此電路最多可以接入38.6mA的負(fù)載，超過38.6mA之后，由于負(fù)載增大，導(dǎo)致Q1基極電位增大超過三極管理論開啟電壓0.7V導(dǎo)致Q1導(dǎo)通，從而拉低Q2基極，導(dǎo)致Q2關(guān)斷，最終切斷后面的大負(fù)載起到過流保護(hù)的作用。
器件選取注意：
R3要注意其精度以及封裝，根據(jù)需要的功耗選擇合適的封裝，避免小封裝對(duì)應(yīng)大功耗導(dǎo)致器件過熱。
Q2根據(jù)負(fù)載要求留有一定余量。
電路二
原理：在電源輸入端串一個(gè)采樣電阻到PMOS的源極S，那么這個(gè)采樣電阻就會(huì)有電壓差，三極管的be并到這個(gè)電阻，當(dāng)壓差大于Vbe時(shí)，Vgs就0了，PMOS關(guān)閉，實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。
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