?轉移特性曲線和輸出特性曲線詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-11
輸出特性曲線：N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結型場效應管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。
轉移特性曲線：轉移特性曲線如圖1b所示，由于場效應管作放大器件使用時是工作在飽和區(恒流區)，此時iD幾乎不隨vDS而變化，即不同的vDS所對應的轉移特性曲線幾乎是重合的，所以可用vDS大于某一數值(vDS>vGS-VT)后的一條轉移特性曲線代替飽和區的所有轉移特性曲線。
轉移特性曲線分析
說明的是柵極電壓VGS對ID的控制作用。
從上圖曲線可知：
1、測試條件：VDS=20V；
2、VGS的開啟電壓VGS（th)，約5V，且隨著溫度的升高而降低；
3、VGS需要達到10V以上，才能完全導通，達到其最大標稱ID；4、VGS越大，ID才能越大，溫度越高，ID越小；
輸出特性曲線分析
1、夾斷區（截止區）
此區域內，VGS未達到VGS（th)，MOS管不導通，即ID基本為零；
2、可變電阻區
此區域內，ID-VDS基本維持線性比例關系，斜率即為MOSFETQ的導通電子Rds(on)。
3、飽和區
此區域內，ID不再隨著VDS的增大而增大。說明ID已經飽和了。
4、擊穿區
此區域內，因VDS過大，MOSFET被擊穿損壞。
當MOSFET工作在開關狀態時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區和可變電阻區來回切換的，在切換過程中可能會經過飽和區。當MOSFET工作于飽和區時，可以用來通過控制VGS的電壓來控制電流ID，將MOSFET用于實現上電軟啟動電路。
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