600v24a mos,to247封裝,KLM60R135BD場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-05
KLM60R135BD場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流24A，采用多層外延工藝的超結MOS，有效降低導通電阻Rds(on)和Qg，提高效率；極低導通電阻RDS（ON）110mΩ，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷Qg 46nC，減少開關損耗；具有高耐用性、超快開關速度以及100%雪崩測試、改進的dv/dt性能，穩定可靠；封裝形式：TO-247，散熱出色、適用于高耐壓場景。
漏源電壓：600V
漏極電流：24A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：72A
雪崩能量單脈沖：455MJ
總功耗：192W
總柵極電荷：48nC
閾值電壓：2.5-4.5V
輸入電容：2060PF
輸出電容：100PF
反向傳輸電容：1.2PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：54nS
上升時間：35ns
下降時間：12ns
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