直流直流轉換器,190a40vmos管,KNB2404A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-05
KNB2404A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，減少開關損耗，高效低耗；具有高輸入阻抗、低功耗、開關速度快、高雪崩電流，在高電壓或大電流條件下穩定可靠，無鉛環保型設備；廣泛應用于電源、DC-DC轉換器等領域；封裝形式：TO-263，安裝方便、散熱良好。
漏源電壓：40V
漏極電流：190A
柵源電壓（連續）：±25V
脈沖漏極電流：480A
雪崩能量：529mJ
功耗：123W
柵極閾值電壓：2V
輸入電容：6010PF
輸出電容：1400PF
反向傳輸電容：675PF
總柵極電荷：150nC
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：62nS
上升時間：102 ns
下降時間：84ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
