分立器件有哪些?封裝形式介紹-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-28
分立器件主要由芯片、引線/框架、塑封外殼幾部分組成，其中芯片決定器件功能，諸如整流、穩壓、開關、保護、放大等，引線/框架實現芯片與外部電路的連接以及熱量的導出，塑封外殼則為芯片及內部結構提供保護。
分立器件的分類
基礎元件
二極管：包括普通二極管（如硅/鍺二極管）、穩壓二極管、肖特基二極管、瞬態電壓抑制二極管（TVS）等。
三極管：如NPN/PNP型雙極型晶體管（BJT）、達林頓管等。
功率器件
MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）：適用于高頻開關場景。
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）：結合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場景。
晶閘管（可控硅）：包括單向/雙向可控硅（SCR/Triac），用于交流調壓等場景。
整流器與整流堆：如橋式整流器、高壓整流堆。
特種器件及傳感器
光電器件：如光耦、光敏二極管/三極管。
敏感器件：涵蓋壓力、磁敏（霍爾器件）、氣敏、濕敏、離子敏感等傳感器。
雪崩管、階躍恢復管等特殊功能器件。
按照芯片功能的不同：
分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管等。
按照功率、電流的不同：
分立器件可分為小信號器件和功率分立器件兩大類：小信號器件為耗散功率小于1W（或者額定電流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者額定電流不小于1A）的分立器件則歸類為功率分立器件。按器件結構不同，功率分立器件又可分為二極管、晶體管、晶閘管等。
功率半導體分立器件中，市場對MOSFET、 IGBT以及二極管需求較大。據芯謀研究的數據，MOSFET約占功率分立器件市場份額的四成，IGBT占三成，二極管占兩成，三者合計約占90%。
MOSFET具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單和輻射強等優點，通常被用于放大電路或開關電路，更適合中低壓（<1000V）和高頻應用。
IGBT由BJT和MOSFET組合而成，兼具兩者優點，即高輸入阻抗、低導通壓降、驅動功率小而飽和壓降低等，適用于高壓（600V以上）和大電流場景。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
