12N10場效應管參數(shù),330a100v,KCX012N10N參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-01
KCX012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進的MOS技術(shù)制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，高效穩(wěn)定；符合JEDEC標準，堅固可靠，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應用；封裝形式：TO-263、TOLL，高功率處理能力。
漏源電壓：100V
漏極電流：330A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1320A
單脈沖雪崩能量：540MJ
功率耗散：461W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：260nC
輸入電容：15800PF
輸出電容：1930PF
反向傳輸電容：75PF
開通延遲時間：81nS
關(guān)斷延遲時間：167nS
上升時間：178ns
下降時間：68ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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