二極管特性曲線,伏安特性曲線-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-20
正向特性（外加正向電壓，上圖中X坐標(biāo)的正半部分）：當(dāng)正向電壓超過某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導(dǎo)通電壓。在室溫下，硅管的V th約為0.5V，鍺管的V th約為0.1V。大于導(dǎo)通電壓的區(qū)域稱為導(dǎo)通區(qū)。當(dāng)流過二極管的電流I 比較大時，二極管兩端的電壓幾乎維持恒定，硅管約為0.6 ~ 0.8V（通常取0.7V），鍺管約為0.2 ~ 0.3V (通常取0.2V)。
反向特性（外加正向電壓，上圖中X坐標(biāo)的負(fù)半部分）在反向電壓小于反向擊穿電壓的范圍內(nèi)，由少數(shù)載流子形成的反向電流很小，而且與反向電壓的大小基本無關(guān)。此部分為截至區(qū)。由二極管的正向與反向特性可直觀的看出：二極管是非線性器件；二極管具有單向?qū)щ娦浴?/span>
完整的二極管伏安特性曲線分析
二級管的完整伏安特性如上圖所示（為表示方便，圖中橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)在正半軸和負(fù)半軸的尺度是不一樣的），說明如下：
（1） 在正偏時，當(dāng)VD很小時，電流接幾乎為0。當(dāng)VD增大到一定閾值后（圖中為0.7V左右），電流開始極快地以指數(shù)級增長（毫安級）。
（2） 在反偏時，反向飽和電流IS維持一個很小值（微安級），不隨反偏電壓變化。但是當(dāng)反偏電壓達到反向峰值電壓PIV時，二極管反向擊穿，反向電流急速增長。
上面的曲線也可以用公式來描述，稱為肖克利方程：
IS是反向飽和電流，一般通過查二極管的數(shù)據(jù)規(guī)格書得到，典型值在10-15~10-13A之間；
VD是偏置電壓，正偏時為正，反偏時為負(fù)；
n為理想因子，其值范圍可取1~2，一般我們?nèi)?；
VT為熱電壓，一般在常溫下約為26mV。
雖然肖克利方程提供了計算二極管電流值的方法，不過一般在實際中我們不太會真用它去計算，因為根據(jù)二極管實際的伏安特性曲線和根據(jù)理論計算出的值有較大差距。一般我們都是以二極管的數(shù)據(jù)規(guī)格書提供的實際數(shù)據(jù)和曲線為準(zhǔn)。
溫度對二極管伏安特性的影響
當(dāng)溫度升高，二極管正偏的導(dǎo)通閾值電壓會降低，而反偏電流會增大，反向擊穿電壓也增大。
當(dāng)溫度降低，二極管的正偏導(dǎo)通閾值電壓會升高，反偏電流會減小，反向擊穿電壓也減小。
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