單節鋰電池保護,電池充放電,保護板電路圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-26
1.接地側，源極背靠背
背靠背連接，都是為了避免體二極管流過不必要的電流，如圖所示，兩個N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并放置在GND側，這種結構很少用于PCM，但有時用于通信系統的負載開關和熱插拔電路。
功率MOSFET的源極背靠背連接
2.高壓側，漏極背靠背
如圖電源端（高壓側）的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET。 兩個N溝道功率MOSFET放置在正端，因此需要兩個充電泵來啟用浮動驅動。
高側功率MOSFET，漏極背靠背連接
如圖所示，放置在電源端（高壓側）的兩個充電和放電N溝道功率MOSFET源極背靠背連接。 兩個N溝道功率MOSFET使用公共源極，因此需要充電泵來驅動。 這種結構也用于負載開關。
高端功率MOSFET，源極背靠背連接
3.大電流并聯多個MOSFET
為了提高電子系統的使用時間和待機時間，電池的容量正在增加，例如3000mAh到5000mAh甚至更大。 為了縮短充電時間和提高充電速度，通常采用快速充電，即通過更大的充電電流對電池充電，例如4A、5A、6A，甚至大到8A。 這樣一來PCM內部功率MOSFET的功耗非常高，溫度也非常高。 為了降低溫度并確保功率MOSFET的可靠運行，可以并聯使用兩個或多個MOSFET，如圖所示。
大電流充放電并聯多個MOSFET
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
