?可控硅觸發電路,脈沖信號,電路原理圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-25
為了降低柵極功率耗散，可控硅觸發電路產生單個脈沖或一串脈沖，而不是連續的直流柵極信號，這可以精確控制可控硅SCR的觸發點，此外，很容易在可控硅SCR和柵極觸發電路之間提供電氣隔離。
如果多個可控硅SCR從同一個源選通，則通過脈沖變壓器或光耦合器進行電氣隔離很重要，隔離還可以減少不需要的信號，例如瞬態噪聲信號，這些信號可能會無意中觸發敏感的SCR。
上圖顯示了使用單結晶體管(UJT)振蕩器產生脈沖的最常見方法，該電路非常適合觸發可控硅SCR。
它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發射極–基極1結上放置一個低電阻，并且發射極電流流過脈沖變壓器的初級，將柵極信號施加到可控硅SCR，可以通過增加C的值來增加輸出信號的脈沖寬度。
該電路的一個困難是，由于脈沖寬度窄，在去除柵極信號之前可能無法獲得鎖存電流。不過一個RC緩沖電路可以用來消除這個問題。
上圖所示電路的操作與此類似，通過使用R兩端的輸出來驅動與變壓器初級串聯的晶體管Q，可以改善脈沖的寬度和上升時間。
當來自UJT的脈沖施加到Q的基極時，晶體管飽和，并且電源電壓V_被施加在初級兩端，這會在脈沖變壓器的次級感應出一個電壓脈沖，該電壓脈沖被施加到可控硅SCR。當脈沖到IQ的基極被移除時，它關閉。
由變壓器中的塌陷磁場引起的電流在初級繞組上感應出一個相反極性的電壓，二極管D在此期間為電流提供路徑。
使用DIAC的類似電路（上圖）在由RC時間常數確定的一段時間內為電容緩慢充電。在電容充電到等于DIAC的擊穿電壓的電壓后，它會將DIAC切換到導通狀態。
然后電容迅速放電到可控硅SCR的柵極端子，短暫的間隔后，DIAC關閉并重復循環。
這種安排需要相對較低的功率來從直流電源為電容充電，但它會在短時間內提供大功率以實現可靠的可控硅SCR開啟，波形如下圖所示。
下圖中觸發電路使用光耦合器在控制電路和負載之間實現電氣隔離。
通過光耦合器觸發還可以防止噪聲或瞬變造成的錯誤觸發，這種觸發技術在固態繼電器中特別流行。
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