反激開關(guān)電源環(huán)路設(shè)計,實例方案-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-24
開關(guān)電源設(shè)計中，AC-DC的環(huán)路布局對于整個電源系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。良好的布局可以提高電源的效率，減少電磁干擾（EMI），并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
隔離電源方案
如反激式原邊控制電源，典型應用原理圖中，有4個環(huán)路：
Loop1：原邊主功率環(huán)路
Loop2：RCD吸收環(huán)路
Loop3：VDD環(huán)路
Loop4：Vout環(huán)路
在環(huán)路設(shè)計時，Loop1、2、3的環(huán)路面積要盡量小，在Loop1中，走線還應盡量粗以優(yōu)化效率，在Loop3中，VDD電容C3應緊貼芯片。
在GND走線設(shè)計時，輔助繞組應直接連接到輸入電容的地，如Line1所示；VDD電容C3及FB下阻R5應先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。
以O(shè)B2576XT為例，其原理圖&布局設(shè)計建議如下：
非隔離電源方案
非隔離方案，典型應用原理圖中，有兩個環(huán)路：
Loop1：源開關(guān)環(huán)路
Loop2：續(xù)流環(huán)路
在Layout時，應讓環(huán)路面積盡量小，且在滿足環(huán)路面積小的前提下，功率電感L3盡量原理母線上的π濾波電路。反饋電阻 R4 和 R3 靠近芯片引腳放置。芯片的旁路電容靠近芯片引腳放置。
在該轉(zhuǎn)換電路中，LX（Drain）是主電源的DC定點，可以在電流主回路走線上增加敷銅面積來改善電源散熱，提高電源性能；ISET（SOURSE）是電源的開關(guān)動點，可以盡量縮短 SOURSE 和功率電感間的線徑來改善 EMI 的特性。
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