?NMOS開(kāi)關(guān)電路，NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-04-02
NMOS低側(cè)電源開(kāi)關(guān)
使用NMOS，最簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電路，低側(cè)驅(qū)動(dòng)。
CONTROL為控制信號(hào)，電平一般為3~12V。負(fù)載一端接電源正極，另一端接NMOS的D（漏極)。
CONTROL電平為高時(shí)，Vgs＞NMOS的Vgs導(dǎo)通閥值，MOS導(dǎo)通，負(fù)載工作。
CONTROL電平為低時(shí)，Vgs=0，MOS關(guān)斷，負(fù)載停機(jī)。
典型的NMOS開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路
R25/100R 的作用：
防止振蕩
減少柵極充電的峰值電壓
保護(hù)NMOS管的D-S極不被擊穿
防止震蕩，GPIO口輸出端可能有些雜散的電感，在電壓突變的情況下，可能會(huì)產(chǎn)生LC振蕩，當(dāng)我們加入R25之后，會(huì)提高阻尼減少振蕩。
減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對(duì)柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護(hù)IC,添加R25之后，可能有效的增長(zhǎng)充電的時(shí)間，進(jìn)而減小充電時(shí)候的電流。
從導(dǎo)通到截止?fàn)顟B(tài)，VDS電壓迅速增加，如果dVDS/dt過(guò)大，可能會(huì)燒壞器件，R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電，從而保護(hù)mos管。
R26 10K的作用：下拉型抗干擾電阻，GPIO輸出狀態(tài)下，在Nmos端，可以看出mos端處于一個(gè)高阻態(tài)或者懸浮的一個(gè)狀態(tài)，為了避免意外打開(kāi)mos管，加上了個(gè)10k下拉。
這是一個(gè)常用的NMOS低側(cè)開(kāi)關(guān)，平時(shí)G極被電阻拉至GND電平，處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓高于GND時(shí)，MOS打開(kāi)。
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