可控硅觸發電路，原理、電路圖收藏-KIA MOS管

可控硅由關斷轉為導通，除陽極要承受正向電壓外，門極還要加上適當的觸發電壓，改變觸發脈沖輸出時刻便可達到改變輸出直流電壓的目的。為門極提供觸發電壓和電流的電路叫觸發電路。

在設計可控硅（SCR）觸發電路時，可控硅（SCR）整個區域的運行很大程度上取決于其觸發方式。

在進行電路設計時，需要特別注意確保沒有誤觸發，同時確保晶閘管在需要時觸發。

在可控硅（SCR）觸發中，包括柵極驅動要求（如果使用柵極觸發）、觸發時間（需要保持所施加的觸發激勵時間以使電路鎖存）等各個方面都很重要，各種參數的重要性取決于所使用的可控硅（ SCR ）觸發形式。

單結晶體管觸發電路

單結晶體管是一種特殊的半導體元件，它有3個電極(一個發射極和兩個基極),故又稱雙基極二極管。利用單結晶體管的負阻特性及電容的充、放電特性可組成單結晶體管自激振蕩電路。如下圖所示。

假定在接通直流電源Ubb之前電容C上沒有電壓，一旦接通Ubb，電源立即通過可變電阻R對電容C充電，電容兩端電壓按指數函數規律增長。當uc=UP時，單結晶體管導通，于是電容 C就向輸出電阻R1放電。

由于R1很小(50~100Ω)，所以放電非?？?，并在輸出電阻的電壓波形圖上形成尖脈沖電壓。當uc下降到谷點電壓Uv之后，單結晶體管截止，發射極電流幾乎為零，輸出尖脈沖停止，電容C再次充電。如此周而復始，在電容C上形成了鋸齒波，在輸出端R1的電壓波形圖上形成了一系列尖脈沖。

改變可變電阻R或電容C，均能改變脈沖的輸出時刻，但一般都是通過改變R實現，因為改變R容易且投資小。

一般C值取0.1~0.47μF，C值太小會造成觸發功率不夠，過大則最小控制角增大，移相范圍變小。

R1在50~100Ω之間取值為宜，R1值太小，則放電太快，脈沖太窄且幅度小，不利于觸發可控硅；R1值太大，有可能由于流過未導通單結晶體管的漏電流在R1上產生的“殘壓”太大，而導致可控硅誤導通。

因峰點電壓UP=ηUbb+UV，分壓比η不隨溫度的變化而變化，但UV隨溫度的上升而下降，所以峰點電壓隨溫度的上升而下降，這會引起UP不穩定而影響控制角。在電路中接入不隨溫度變化的電阻R2，當溫度升高時，UV值雖然下降，而rbb卻增大，電流Ibb=E/(R1+R2+rbb)減小，R1、R2上的電壓降相應減小，而E為恒定值，于是Ubb=E-(UR1+UR2)增大，以ηUbb的增加來補償UV的減小，從而維持UP不變，使觸發電路工作點基本穩定不變。R2一般取值200~600Ω。

雙向可控硅觸發電路圖

為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然后發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。

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