運放輸入偏置電流測量|輸入偏置電流Ib、失調電流Ios-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-08-05
Ib-，Ib+為運放兩輸入端的偏置電流，也可以叫做偏置電流。而我們所說的運放輸入偏置電流通常為兩者的平均值，運放輸入失調電流為兩者的差值，應能做到準確的區分出三者的不同。
輸入偏置電流測量方式，總體來說主要有兩種測試方法，一種是讓輸入偏置電流流入一個大的電阻，從而形成一個失調電壓，然后放大失調電壓并進行測量，這樣就可以反算出輸入偏置；
另一種方法是讓輸入偏置電流流入一個電容，用電容對這個電流進行積分，這樣只要測得電容上的電壓變化速率，就可以計算出運放的偏置電流。
第一種方法
具體電路如下圖所示，C1是超前補償電容以防止電路的振蕩，根據實際電路選擇。OP2為測試輔助運放，需選低偏置電壓和低偏置電流的運放。測試步驟和原理下面一步一步進行推算。
（1）首先測試運放的失調電壓。關閉S1和S2，測試出OP2運放的輸出電壓Vout 。則輸入失調電壓為：
（2）打開S2,待測運放的Ib+流入R2，會形成一個附加的失調電壓Vos1，測試出OP2運放的輸出電壓Vout1。則運放同向輸入失調電壓為（疊加定理的思想）：
（3）關閉S2，打開S1,待測運放的Ib-流入R1，會形成一個附加的失調電壓Vos2，測試出OP2運放的輸出電壓Vout2。則運放反向輸入失調電壓為：
（4）運放輸入偏置電流為
Ib=[(Ib+)+(Ib-)]/2
運放輸入失調電流為
Ios=(Ib+)-(Ib-)
這種測試方法有幾個缺點，一個是使用了很大的電阻R1和R2，一般會是M歐級，這兩個電阻引入了很大的電壓噪聲。受到電阻R1和R2的阻值的限制，難以測得FET輸入運放的偏置電流。
第二種方法
第二種方法測試方法，是讓運放的輸入偏置電流流入電容，利用i=c*du/dt的思想，具體測試如下圖。從圖中的公式很容易理解測試的原理，這個測試的關鍵，是選取漏電流極小的電容。
(1)關閉S2打開S1，IB+流入電容C，用示波器觀察Vo的變化，結果如下圖。按上圖的方法就可以計算出IB+。
(2)關閉S1打開S2，IB-流入電容C，用示波器觀察Vo的變化，結果如下圖。就可以計算出IB-，見下表。
這種測試方法可以測得fA級的失調電流。測試時需要選用低漏電流的電容，推薦使用極低漏電流的特氟龍電容，聚丙烯(PP)電容或聚苯乙烯電容。
一個經驗（from Wayne Xu），貼片電容在焊接過程中，由于引腳可能殘留焊錫膏等雜質，會使FET運放的漏電流大大的增加。曾經測試一個偏置電流為小于10pA級的運放，由于沒有對引腳進行清洗，結果測得結果出現了很大的誤差，或者叫差錯，達到了nA的水平了。
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