雙脈沖測試電路原理及波形示意圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-26
功率器件的很多動態參數可以從器件的數據手冊中獲取，但是器件手冊只給出特定測試條件下的動態參數。當功率回路電壓和電流、驅動回路的電壓、電阻和外部電容等參數變化時，器件的開關時間也將產生變化，因此在設計時有必要對器件的特定工況進行雙脈沖測試，獲取更加真實的性能。
雙脈沖測試有以下作用：
(1) 對比不同產品的參數；
(2) 評估驅動電路的功能和性能；
(3) 獲取 SiC MOSFET 在開通和關斷過程中的主要參數，以評估柵極電阻取值是否合適；
(4) 開通和關斷過程是否有不合適的振蕩；
(5) 評估二極管的反向恢復特性和安全裕量；
(6) 測試 SiC MOSFET 的電壓尖峰；
(7) 評估 SiC MOSFET 并聯均流特性；
(8) 測量母排的雜散電感。
其中 RG,int為內部柵極電阻，RG,ext為外部柵極電阻，CGS柵極-源極電容，CGD為柵極-漏極電容，CDS為漏極-源極電容，LG、LD和 LS分別為柵極、漏極和源極的引線電感，CD1為續流二極管結電容，Lloop為功率主回路寄生電感，L 為負載電感。
在第一個脈沖信號來臨之前，電感電流為 0，SiC MOSFET 阻斷并承受直流母線電壓。直到 t1時刻，器件開始導通，電感電流按照式規律變化，即隨時間按線性規律增加。
式中 VDS(on)---SiC MOSFET 導通壓降；
t2 時刻，開關管開始關斷并換流至二極管 D1，流經開關管的電流變為 0，負載電感的電流經過二極管 D1續流。
由于續流階段電流回路存在一定的電阻，電流將會有一定程度的減小，但此階段極短，而且寄生電阻量很小，因此電流減小量可以忽略，近似認為 t2和 t3時刻電流相等。
t3 時刻，第二個脈沖信號使開關管開通，續流二極管開始關斷，電感電流換流至開關管并繼續按照線性規律增加。
t4 時刻，開關管再次關斷，電流從開關管換流至續流二極管 D1，雙脈沖測試結束。
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