【漲知識】MOS管的發展歷程-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-01-20
MOS管的全稱是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管。MOS管的發明最早可以追溯到19世紀30年代，由德國人提出了Lilienfeld場效應晶體管的概念，之后貝爾實驗室的肖特基發明者Shcokley等人也嘗試過研究發明場效應管，但是都失敗了。
1949年Shcokley提出了注入少子的雙極性晶體管的概念。到了1960年，有人提出用二氧化硅改善雙極性晶體管的性能，就此MOS管來到了人世間。
在這里，我們也要提及另外一個大人物，馬丁阿塔拉（Martin M. "John" Atalla）他也被認為是MOS場效應晶體管的發明人之一， 阿塔拉博士是埃及人，之后赴美留學。1949年阿塔拉進入貝爾實驗室研究半導體材料的表面特性。
通過在硅片晶圓上培養出二氧化硅表層，他終于找到了幫助電流擺脫電子陷阱和散射的方法。后人稱之為表面鈍化的這項技術，因其低成本和易生產，而成為硅集成電路發展史上的里程碑。
其后，阿塔拉博士建議在場效應晶體管（表面運用金屬氧化物。并一起在1960年的某次學術會議上宣布了他們的成果。 之后離開貝爾實驗室后，阿塔拉博士又曾先后為惠普和仙童半導體工作。
為了滿足更高工作頻率及更高功率等級的要求，IR公司研發出首款功率MOSFET，接下來的二十年，功率半導體器件進入一個蓬勃發展的時期，很多新型的功率器件，比如IGBT、GTO、IPM相繼問世，并且在相關領域內得到越來越廣泛的應用。
早期的MOS管，抗靜電能力弱，導通阻抗大，輸入阻抗小，抗噪聲能力差，耐壓低，通過MOS工藝的改善，到了80年，MOS性能已經達到了大大改善，電壓可以耐1000V，導通阻抗小于1Ω，但是人們追求進步的腳步一刻也沒停止過，又提出了superjunction MOS，這種mos具有更低導通阻抗，更快的開關速度。
常規的MOS有個問題是耐壓和導通阻抗成正比，要想獲得更高的耐壓值，必會導致Rds上升，導致MOS損耗加大，superjunction MOS采用多次注入開槽工藝，很好地解決了這一問題。
隨著日益增長的行業需求，硅器件由于其本身物理特性的限制，已經開始不適用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。
二十世紀九十年代以來，碳化硅技術得到了迅速發展。 SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度等優秀的性能。
人們發現Si材料本身的局限， Si材料的MOS的性能也不能做到極致，工程師們就會另辟蹊徑，發現一種新的材料GaN，是氮和鎵的化合物，具有耐高溫，耐酸耐堿，寬禁帶等優良特性，在上世紀90年代，應用在發光二極管上，本世紀初，應用在MOS管，如今已經大量使用中。
MOS管功率器件的進步，等于減少能源損耗，為人類地球長遠發展有著極為重要的意義。
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