n溝道和p溝道增強型mos管的工作原理 場效應mos管
信息來源：本站 日期：2017-07-17
絕緣柵型場效應管的構造表示圖如圖2-34所示。
N溝道加強型MOSFET的溝道構成及符號如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)濃度較低的P型半導體襯底上制造兩個高濃度的N型區(qū)，并分別將它們作為源極s和漏極D，然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層，并在上面引出一個電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號。
N溝道加強型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖2-36所示。
式中，UT為開啟電壓（或閾值電壓）；μn為溝道電子運動的遷移率；Cox為巾位面積柵極電容；W為溝道寬度；疋為溝道長度；W/L為MOSFET的寬長比。在MOSFET集成電路設計中，寬長比是一個極為重要的參數(shù)。
N溝道MOS管的輸出特性曲線如圖2-37所示。與結(jié)型場效應管的輸出特性相似，它也分為恒流區(qū)、叮變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。其特性如下所示。
①截止區(qū)：UGS≤UT，導電溝道未構成，iD=0。
②恒流區(qū)：
·曲線距離平均，UGS對iP的控制才能強；
·UDS對iD的控制才能弱，曲線平整；
·進入恒流區(qū)的條件，即預災斷條件為UDS≥UCS-UT。
③可變電阻區(qū)：
可變電阻區(qū)的電流方程為
因而，可變電阻區(qū)的輸出電阻rDS為
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
