二極管的伏安特性曲線圖文詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-08-31
二極管的性能可用其伏安特性來描述。在二極管兩端加電壓，然后測出流過二極管的電流，電壓與電流之間的關系i=f(u)即是二極管的伏安特性曲線，如圖1所示。
圖1 二極管伏安特性曲線
二極管的伏安特性表達式可以表示為式1-2-1
其中iD為流過二極管兩端的電流，uD為二極管兩端的加壓，UT在常溫下取26mv。IS為反向飽和電流。
1、正向特性
特性曲線1的右半部分稱為正向特性，由圖可見，當加二極管上的正向電壓較小時，正向電流小，幾乎等于零。
只有當二極管兩端電壓超過某一數值Uon時，正向電流才明顯增大。將Uon稱為死區電壓。死區電壓與二極管的材料有關。一般硅二極管的死區電壓為0.5V左右，鍺二極管的死區電壓為0.1V左右。
當正向電壓超過死區電壓后，隨著電壓的升高，正向電流將迅速增大，電流與電壓的關系基本上是一條指數曲線。
由正向特性曲線可見，流過二極管的電流有較大的變化，二極管兩端的電壓卻基本保持不變。通過在近似分析計算中，將這個電壓稱為開啟電壓。開啟電壓與二極管的材料有關。
一般硅二極管的死區電壓為0.7V左右，鍺二極管的死區電壓為0.2V左右。
2、反向特性
特性曲線1的左半部分稱為反向特性，由圖可見，當二極管加反向電壓，反向電流很小，而且反向電流不再隨著反向電壓而增大，即達到了飽和，這個電流稱為反向飽和電流，用符號IS表示。
如果反向電壓繼續升高，當超過UBR以后，反向電流急劇增大，這種現象稱為擊穿，UBR稱為反向擊穿電壓。二極管擊穿后不再具有單向導電性。
應當指出，發生反向擊穿不意味著二極管損壞。實際上，當反向擊穿后，只要注意控制反向電流的數值，不使其過大，即可避免因過熱而燒壞二極管。當反向電壓降低后，二極管性能仍可能恢復正常。
圖2 二極管的溫度特性
3、溫度對二極管伏安特性的影響
溫度升高，正向特性左移，反向特性下移；室溫附近，溫度每升高1℃；正向壓降減少2-2.5mV；室溫附近，溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。二極管的溫度特性如圖2所示。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
