開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用詳細(xì)解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-07-07
當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過(guò)這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái)，不至于擊穿這個(gè)MOS管。（起到保護(hù)MOS管的作用）
溝槽Trench型N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示，在N-epi外延層上擴(kuò)散形成P基區(qū)，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)形成深度超過(guò)P基區(qū)的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶硅填充溝槽，利用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成N+源區(qū)，背面的N+substrate為漏區(qū)，在柵極加上一定正電壓后，溝槽壁側(cè)的P基區(qū)反型，形成垂直溝道。
由下圖中的結(jié)構(gòu)可以看到，P基區(qū)和N-epi形成了一個(gè)PN結(jié)，即MOSFET的寄生體二極管。
1、全橋逆變電路
2、三相橋電路
3、LLC半橋諧振電路ZVS
4、移相全橋PSFB ZVS
5、HID照明（ZVS）
1、MOSFET體二極管反向恢復(fù)
2、LLC半橋諧振變換器
3、LLC電壓增益
4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換
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