1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設計。 2.本體長度：15.8-16.0mm...1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設計。 2.本體長度：15.8-16.0mm（不含引腳）。 3.本體寬度：16.0mm（僅器件主體）。20.2-20.4mm（含引腳輪廓）。高...
原廠現貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術生...原廠現貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術生產，極低導通電阻RDS(導通) 7.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的...
TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC編碼，“AB”是指符合特定的測量規(guī)范的3個直插...TO-220AB：TO-220AB是特定的JEDEC編碼，“AB”是指符合特定的測量規(guī)范的3個直插腳編。 TO-220-3是通用的編碼，指具有TO-220本體和3引腳的零件。相同的封裝系列中...
SOT-227小型晶體管封裝，是一種體積介于單管和模塊之間的內絕緣功率半導體封裝...SOT-227小型晶體管封裝，是一種體積介于單管和模塊之間的內絕緣功率半導體封裝，采用M4螺絲法蘭底板安裝和4個引出端口，常用于封裝IGBT、二極管和MOSFET等器件。
原廠優(yōu)質現貨KNY3303A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，?采用先進的平面...原廠優(yōu)質現貨KNY3303A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，?采用先進的平面條形DMOS技術生產，極低導通電阻RDS(導通) 3.1mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損...
