直流電子負載是通過控制內部功率（MOSFET）或晶體管的導通量（量占空比大小），...直流電子負載是通過控制內部功率（MOSFET）或晶體管的導通量（量占空比大小），依靠功率管的耗散功率消耗電能的設備。 直流電子負載的核心是通過功率器件（如MOS...
irf3205場效應管代換型號KNP3106N?漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A ，采用新型...irf3205場效應管代換型號KNP3106N?漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A ，采用新型平面技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 7mΩ，減少開關損耗，提高效率；具有卓越的性...
晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全...晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序，再進行切割制成單顆組件的先進封裝技術 。 WLP基本工藝是在晶圓完...
NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設計（如...NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設計（如防反接電路）中可能反向流動（S到D）。 MOS管的導通條件取決于NMOS或PMOS類型和閾...
60r180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低...60r180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關損耗，提高效率；具備高...
