MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在...MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極...
貼片壓敏電阻是主要以氧化鋅為基礎(chǔ)的陶瓷半導(dǎo)體產(chǎn)品。主要采用下圖所示的積層結(jié)...貼片壓敏電阻是主要以氧化鋅為基礎(chǔ)的陶瓷半導(dǎo)體產(chǎn)品。主要采用下圖所示的積層結(jié)構(gòu)，通過(guò)積層張數(shù)、層間的調(diào)整，可以控制擊穿電壓、靜電容量。而TVS二極管是P型半導(dǎo)...
集電極電流是將流到光耦合器晶體管側(cè)的集電極的電流。另一方面，正向電流是流到...集電極電流是將流到光耦合器晶體管側(cè)的集電極的電流。另一方面，正向電流是流到光耦合器二極管側(cè)的電流。 基本上，二極管側(cè)通過(guò)器件電流傳輸比鏈接到晶體管側(cè)。除...
大部分運(yùn)放電路，從電路簡(jiǎn)潔和信號(hào)精度考慮，多采用±15V典型供電電源。少部分...大部分運(yùn)放電路，從電路簡(jiǎn)潔和信號(hào)精度考慮，多采用±15V典型供電電源。少部分運(yùn)放電路，系采用單電源供電，那么當(dāng)供電電源有（單、雙）差異時(shí)，如何選擇運(yùn)放芯片...
內(nèi)阻等于零的電壓為理想電壓源,理想電壓源能在不管什么負(fù)載,不管負(fù)載大小,也不...內(nèi)阻等于零的電壓為理想電壓源,理想電壓源能在不管什么負(fù)載,不管負(fù)載大小,也不管負(fù)載是否在變化,都能保持電壓不變。 內(nèi)阻為無(wú)限大的電流源為理想電流源.理想電流...
