KCY3303S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A；采用先進的溝槽技術制造，極低...KCY3303S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A；采用先進的溝槽技術制造，極低的導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效低耗；具有...
當首次接上開關電源時，C1將放電。10V開關電源線上逐漸增大的電壓將使放大器A1...當首次接上開關電源時，C1將放電。10V開關電源線上逐漸增大的電壓將使放大器A1反相輸入端為正，禁止脈寬調制器的輸出。晶體管Q1將通過R2導通，保持C1放電狀態直到...
MOS管軟啟動電路通過控制MOS管柵極電壓緩慢上升來限制電源啟動時浪涌電流，利用...MOS管軟啟動電路通過控制MOS管柵極電壓緩慢上升來限制電源啟動時浪涌電流，利用RC時間常數實現電源的平滑開啟。 軟啟動的核心目的是抑制浪涌電流，避免電源瞬間開...
KNY3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術...KNY3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術制造，極低的導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效...
Q1，Q3為NPN型三極管，Q2，Q4為PNP型三極管，D1～D4為保護二極管，二路PWM控制...Q1，Q3為NPN型三極管，Q2，Q4為PNP型三極管，D1～D4為保護二極管，二路PWM控制信號A，B為高電平或低電平，即A為高電平，B為低電平時，Q1、Q4導通，Q2、Q3關斷，此...
