在便攜式電源、鋰電池保護、DC-DC模塊、小型負載開關等高密度PCB設計中，小封裝...在便攜式電源、鋰電池保護、DC-DC模塊、小型負載開關等高密度PCB設計中，小封裝、大電流、低內阻MOS管已成為核心器件。KIA半導體推出的KNG3703A憑借30V/50A、DFN3...
當開關管導通時，儲能電感儲存能量；開關管截止時，電感中儲存的能量與輸入電壓...當開關管導通時，儲能電感儲存能量；開關管截止時，電感中儲存的能量與輸入電壓疊加，使輸出電壓高于輸入電壓。
MOS管選型關鍵 1.耐壓值（Vds） 應高于系統(tǒng)最大工作電壓，并留有220%裕量。例...MOS管選型關鍵 1.耐壓值（Vds） 應高于系統(tǒng)最大工作電壓，并留有220%裕量。例如48V系統(tǒng)建議選用100V以上MOS管。 高壓應用（如400VEV電池）需選用650V～1000V器...
11n40,11n40c參數(shù) 最大漏源電壓：400V 最大連續(xù)漏極電流：10.5A 最大導通電...11n40,11n40c參數(shù) 最大漏源電壓：400V 最大連續(xù)漏極電流：10.5A 最大導通電阻：0.53Ω（典型值）
nce6050ka參數(shù) 漏源擊穿電壓（Vdss）：60V 連續(xù)漏極電流（Id）：50A 漏源導...nce6050ka參數(shù) 漏源擊穿電壓（Vdss）：60V 連續(xù)漏極電流（Id）：50A 漏源導通電阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分測試條件下可低至13.8mΩ
