KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12...KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12n10參數100V，15A場效應管在防盜器、LED驅動、DC-DC電源、負載開關中應用；KIA6110A...
KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術，可以代換nce01p30k參數-100V，-30A場效應管...KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術，可以代換nce01p30k參數-100V，-30A場效應管，KPD8610A漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V，極低電...
KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET，采用先進的高單元密度溝槽技術...KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET，采用先進的高單元密度溝槽技術，性能優越；漏源擊穿電壓為-100V，漏極電流為-23A，低導通電阻RDS（ON）值為78mΩ（...
最大耐壓：30V 最大電流：18A 導通電阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電...最大耐壓：30V 最大電流：18A 導通電阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電容 (Crss)：542pF
KIA75NF75場效應管采用先進的技術，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低Rds開啟，...KIA75NF75場效應管采用先進的技術，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低Rds開啟，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，減少導電損耗、提升效率；無鉛和綠色設備的特點，符合環保要...
KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應管80V，200A參數的高性能功率器件，KIA280...KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應管80V，200A參數的高性能功率器件，KIA2808A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流150A，VGS=10V時，RDS（開啟）=4.0m?（典型值...
