KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術,是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12...KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術,是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12n10參數100V,15A場效應管在防盜器、LED驅動、DC-DC電源、負載開關中應用;KIA6110A...
KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術,可以代換nce01p30k參數-100V,-30A場效應管...KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術,可以代換nce01p30k參數-100V,-30A場效應管,KPD8610A漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V,極低電...
KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET,采用先進的高單元密度溝槽技術...KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET,采用先進的高單元密度溝槽技術,性能優越;漏源擊穿電壓為-100V,漏極電流為-23A,低導通電阻RDS(ON)值為78mΩ(...
最大耐壓:30V 最大電流:18A 導通電阻:5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電...最大耐壓:30V 最大電流:18A 導通電阻:5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電容 (Crss):542pF
KIA75NF75場效應管采用先進的技術,漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,低Rds開啟,...KIA75NF75場效應管采用先進的技術,漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,低Rds開啟,RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,減少導電損耗、提升效率;無鉛和綠色設備的特點,符合環保要...
KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應管80V,200A參數的高性能功率器件,KIA280...KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應管80V,200A參數的高性能功率器件,KIA2808A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流150A,VGS=10V時,RDS(開啟)=4.0m?(典型值...