DIP（雙列直插式封裝） 特點：引腳從封裝兩側引出，標準引腳間距為2.54毫米，...DIP（雙列直插式封裝） 特點：引腳從封裝兩側引出，標準引腳間距為2.54毫米，通常采用通孔插裝技術焊接至PCB。 應用：早期廣泛用于微處理器、存儲器等，現仍用于...
TO-262封裝常用于功率半導體器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安裝（Through-Hole）...TO-262封裝常用于功率半導體器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安裝（Through-Hole）封裝形式，屬于I2PAK（Improved I2PAK）系列，具有良好的散熱性能和機械穩定性，適...
原廠優質P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進的溝...原廠優質P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進的溝槽技術生產，極低導通電阻RDS(導通) 45mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供...
體積：TO-247在長度和寬度上明顯大于TO-3P，但TO-3P更厚實（金屬外殼）。 散熱...體積：TO-247在長度和寬度上明顯大于TO-3P，但TO-3P更厚實（金屬外殼）。 散熱方式：TO-247依賴外部散熱器；TO-3P通過金屬殼直接散熱。 應用場景：兩者均用于大...
1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設計。 2.本體長度：15.8-16.0mm...1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設計。 2.本體長度：15.8-16.0mm（不含引腳）。 3.本體寬度：16.0mm（僅器件主體）。20.2-20.4mm（含引腳輪廓）。高...
原廠現貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術生...原廠現貨KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，采用先進的溝槽技術生產，極低導通電阻RDS(導通) 7.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的...
