DFN8封裝尺寸 長度：約2-4mm（部分器件可達5-6mm，如VBGQA1202N的5×6mm封裝）...DFN8封裝尺寸 長度：約2-4mm（部分器件可達5-6mm，如VBGQA1202N的5×6mm封裝）。 寬度：與長度相近，約2-4mm。 厚度：約0.35-0.9mm。
28n50場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16Ω，...28n50場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷、低交叉，開關速度快，高效低耗；100% 雪崩失...
引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種，引腳中心距為2.54mm,引腳數(shù)從...引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種，引腳中心距為2.54mm,引腳數(shù)從6-64； 適合在PCB上穿孔焊接，操作方便，體積比較大
SOT-89封裝尺寸為長度4.5毫米、寬度2.45毫米、高度1.55毫米，引腳間距為1.5毫米...SOT-89封裝尺寸為長度4.5毫米、寬度2.45毫米、高度1.55毫米，引腳間距為1.5毫米，支持3或5引|腳配置。部分制造商的產(chǎn)品可能存在細微差異，例如長度可能為4.6毫米、...
KNB2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術制造，極...KNB2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，采用專有的新型技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，開關速度快，減...
輸入端連接可調(diào)穩(wěn)壓電源，調(diào)整VR1讓電路在約11.5V時完成電源切換動作。為了實現(xiàn)...輸入端連接可調(diào)穩(wěn)壓電源，調(diào)整VR1讓電路在約11.5V時完成電源切換動作。為了實現(xiàn)更高效的能源管理，需要采用低導通電阻的PMOS場管。
