在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位...在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位置的有力競爭產品，它們的數據資料中通常標明特定額定電壓、結溫和柵極驅動電壓下的...
在大多數降壓調節器的典型應用中，使用有源開關而非肖特基二極管是標準做法。這...在大多數降壓調節器的典型應用中，使用有源開關而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉換效率，尤其是產生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應用中，也可使用...
此經典電路優點比較明顯，電路結構簡單、極低干擾噪聲、穩定性好；同時此電路也...此經典電路優點比較明顯，電路結構簡單、極低干擾噪聲、穩定性好；同時此電路也有缺點，輸入交流電范圍窄（一般是220VAC±5%），體積重量大；雖然此電路缺點明顯目...
電源系統中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流...電源系統中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就...
KPD8610A使用先進的溝槽MOSFET技術提供優秀的RDS(ON)和柵電荷,用于廣泛的其他應...KPD8610A使用先進的溝槽MOSFET技術提供優秀的RDS(ON)和柵電荷,用于廣泛的其他應用。KPD8610A滿足RoHS和綠色產品的要求，100%的EAS保證了完全的功能可靠性。
在過去的幾十年中，半導體行業已經采取了許多措施來改善基于硅MOSFET(parasiti...在過去的幾十年中，半導體行業已經采取了許多措施來改善基于硅MOSFET(parasitic parameters)，以滿足開關轉換器(開關電源)設計人員的需求。行業效率標準以及市場對...
