6個MOS管分為兩組，三個高邊MOS連接電源正極（VBus），三個低邊MOS連接電源負極...6個MOS管分為兩組，三個高邊MOS連接電源正極（VBus），三個低邊MOS連接電源負極。通過控制MOS管通斷，實現(xiàn)電流在電機繞組中分配，推動電機運轉(zhuǎn)。
六步法中的三相電機每次只有兩組繞組有電流通過，產(chǎn)生磁場。為了讓電機旋轉(zhuǎn)，一...六步法中的三相電機每次只有兩組繞組有電流通過，產(chǎn)生磁場。為了讓電機旋轉(zhuǎn)，一般按照Q1Q2-Q2Q3—Q3Q4-Q4Q5-Q5Q6一Q6Q1的順序依次導通功率開關(guān)管。
KCY3303S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A；采用先進的溝槽技術(shù)制造，極低...KCY3303S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A；采用先進的溝槽技術(shù)制造，極低的導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效低耗；具有...
當首次接上開關(guān)電源時，C1將放電。10V開關(guān)電源線上逐漸增大的電壓將使放大器A1...當首次接上開關(guān)電源時，C1將放電。10V開關(guān)電源線上逐漸增大的電壓將使放大器A1反相輸入端為正，禁止脈寬調(diào)制器的輸出。晶體管Q1將通過R2導通，保持C1放電狀態(tài)直到...
MOS管軟啟動電路通過控制MOS管柵極電壓緩慢上升來限制電源啟動時浪涌電流，利用...MOS管軟啟動電路通過控制MOS管柵極電壓緩慢上升來限制電源啟動時浪涌電流，利用RC時間常數(shù)實現(xiàn)電源的平滑開啟。 軟啟動的核心目的是抑制浪涌電流，避免電源瞬間開...
KNY3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)...KNY3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)制造，極低的導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效...
