KNG3080B 30V/80A N 溝道 MOSFET | DFN3×3 封裝參數與選型手冊
信息來源：本站 日期：2026-06-10
4.1mΩ 低阻、35nC 低 Qg，適配快充、電池保護、工業電源
KNG3080B 參數，30V 80A N 溝道 MOSFET, DFN3×3 封裝 MOSFET, 低柵極電荷 MOSFET, 工業電源 MOSFET, 電池保護 MOSFET, 電源管理 MOSFET 選型
| 型號 | KNG3080B (3080B) |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 類型 | N溝道溝槽型MOSFET |
| 封裝 | DFN3×3 |
| 額定電壓(VDS) | 30V |
| 額定電流(ID) | 80A (Tc=25℃) |
| 工藝 | Si N-Channel trench MOSFET |
| 導通電阻 | RDS(ON)=4.1mΩ(typ.) @VGS=10V |
| 性能優化 | 低RDS(ON) & FOM值 |
| 驅動友好 | Easy to use/drive |
| 環保合規 | RoHS compliant |
| 主要領域 | Power Management (電源管理) |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 4 | Gate (柵極) |
| 5,6,7,8 | Drain (漏極) |
| 1,2,3 | Source (源極) |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG3080B | DFN3×3 | KIA |
| 參數 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 30 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流(Tc=25℃) | ID | 80 | A |
| 連續漏極電流(Tc=100℃) | ID | 50 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 320 | A |
| 總功耗 | PD | 70 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 308 | mJ |
| 最高結溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到外殼熱阻 | RθJC | 1.8 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 導通電阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1540 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 185 | - | pF |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 8 | - | ns |
| 上升時間 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 40 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 95 | - | ns |
| 下降時間 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 50 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=15V, VGS=10V, ID=30A | - | 35 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | VDS=15V, VGS=10V, ID=30A | - | 6 | - | nC |
| 柵漏電荷 | Qgd | VDS=15V, VGS=10V, ID=30A | - | 7 | - | nC |
| 體二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, IS=30A | - | - | 1.2 | V |
| 體二極管連續電流 | IS | — | - | - | 80 | A |
| 反向恢復時間 | trr | IF=80A, TJ=25℃, di/dt=100A/μs | - | 18 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | IF=80A, TJ=25℃, di/dt=100A/μs | - | 10 | - | nC |
| 產品型號 | KNG3080B |
| 封裝規格 | DFN3×3 超小型低損耗封裝 |
| 核心定位 | 30V/80A大電流低阻N溝道MOSFET |
| 核心優勢 | 4.1mΩ超低導通，低Qg，高效率 |
| 品質保障 | RoHS環保，寬溫域，高雪崩能量 |
10、KNG3080B （(DFN3×3封裝）平替替代型號完全對照表
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 參數匹配 |
|---|---|---|---|
| 萬代 | AO3401A | DFN3×3 | 30V N溝道MOSFET |
| 安森美 | NTZD3155N | DFN3×3 | 30V大電流MOS |
| 德州儀器 | CSD16325Q5A | DFN3×3 | 30V同步整流專用 |
| 威兆 | VS3608DE | DFN3×3 | 30V/80A直接替代 |
| 新潔能 | NCE3080Q | DFN3×3 | 30V DFN3×3競品 |
| 華羿 | HY3080D | DFN3×3 | 30V快充專用MOS |
| 士蘭微 | SL3080DA | DFN3×3 | 30V功率MOSFET |
| 揚杰 | YJ3080Q3 | DFN3×3 | 30V DFN3×3對標 |
| 超低導通 | 4.1mΩ典型值，大幅降低發熱損耗 |
| 超大電流 | 80A連續，320A脈沖，強帶載能力 |
| 超小體積 | DFN3×3，節省PCB空間，易布局 |
| 高可靠性 | 308mJ雪崩能量，抗沖擊不炸管 |
| 低柵電荷 | 35nC Qg，開關速度快效率高 |
| 對比進口 | 性能一致，成本更低，交期更穩 |
| 對比國產 | 導通電阻更低，溫升更小更耐用 |
| 替換方案 | Pin-Pin兼容，無需改板直接換 |
| 應用適配 | 快充/電源/電池管理場景專用 |
| 消費電子 | PD快充、適配器、同步整流 |
| 電源管理 | BMS電池保護、電源管理系統 |
| 工業設備 | 小型化電源、工業控制模塊 |
| 通訊設備 | 低電壓大電流供電、負載開關 |
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QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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