KIA50N03CD|30V50A 貼片 MOS 替代 NCE3050
信息來源：本站 日期：2026-06-05
KIA 原廠現貨 30V50A，引腳兼容 NCE3050，降本替換進口 MOS
KIA50N03CD，50N03 貼片 MOS，30V50A MOS，TO252 MOS 管，可易亞 MOS 管
| 一、KIA50N03CD（TO-252）產品核心參數 | |||
|---|---|---|---|
| 產品型號 | KIA50N03CD | 封裝規格 | TO-252(DPAK貼片) |
| 溝道類型 | N溝道增強型MOSFET | 耐壓Vdss | 30V |
| 額定電流Id | 50A(25℃) | 典型Rds(on) | 6.5mΩ@Vgs=10V |
| 最大功率Pd | 60W | 柵極閾值Vgs(th) | 1.5~3.0V |
| 二、KIA50N03CD同參數平替替代型號匯總（可直接替換對標） | |||
| 競品品牌 | 競品料號 | 關鍵參數 | 替換說明 |
| NCE新潔能 | NCE3050K | 30V/50A/TO252 | 市面主流競品，引腳通用直替 |
| MDD辰達 | MDD50N03D | 30V/50A/6.5mΩ | 國產同規格對標款 |
| 飛虹FHD | FHD70N03C | 30V/70A/TO252 | 余量更大，升級替換選型 |
| GOFORD谷峰 | GOFORD50N03 | 30V/50A/5.9mΩ | 性價比競品，BOM兼容 |
| 英飛凌 | IPD50N03S2-07 | 30V/50A進口原廠 | 進口對標，降本優選國產替換 |
| 富海微HL | HL50N03 | 30V/50A TO252 | 通用國產競品，現貨充足 |
| 三、產品官網官宣KIA50N03CD介紹（分痛點/優勢/應用） | |||
| 采購痛點 | 1.競品MOS導通內阻大，整機發熱嚴重、效率偏低； 2.進口料缺貨漲價、交期不穩，成本不可控； 3.同規格器件參數虛標，大電流負載易炸管。 | ||
| 產品核心賣點 | 1.原廠溝槽工藝，低Rds(on)，減少發熱、降低散熱成本； 2.足流足壓50A/30V，雪崩耐量高，負載穩定性強； 3.TO252標準引腳，兼容NCE3050等競品，免改PCB直替； 4.KIA原廠常備現貨，批量價優，長期穩定供貨。 | ||
| 應用領域 | 小家電主控板、DC-DC開關電源、電機驅動、 鋰電池保護板、LED驅動電源、車載小電源。 | ||
| 四、SEO簡短導購文案（產品詳情頁用） | |||
| 短宣傳語1 | KIA50N03CD替代NCE3050，低內阻省電，現貨直發 | ||
| 短宣傳語2 | TO252貼片MOS管，50A30V，小家電電源優選器件 | ||
| 短宣傳語3 | 國產替代進口50N03，足參數抗沖擊，批量可議價 | ||
| 賣點 | 優勢說明 |
|---|---|
| 超低內阻 | Rds(on)僅6.5mΩ，發熱小 |
| 高速開關 | 開關速度快，系統效率更高 |
| 雪崩耐量 | 全檢雪崩，可靠性更高 |
| 寬溫穩定 | -55~150℃，適應惡劣環境 |
| 直接替代 | 引腳兼容，免改板直接替換 |
| 成本優勢 | 國產原廠，性價比更高 |
| 應用分類 | 適用產品 |
|---|---|
| 電源管理 | 開關電源、適配器、快充 |
| 負載開關 | 電池保護、電源分配 |
| 電機驅動 | 小風扇、玩具、小型馬達 |
| 通信設備 | 機頂盒、路由器、模塊電源 |
| 消費電子 | 充電器、移動電源、小家電 |
| 項目 | 參數詳情 |
|---|---|
| 產品品類 | N-CHANNEL N溝道功率MOSFET |
| 原廠料號 | KIA50N03CD，絲印型號：50N03C |
| 封裝規格 | TO-252；引腳：1-G、2-D、3-S，內置體二極管 |
| 品牌廠商 | KIA可易亞半導體 |
| 分類 | 明細內容 |
|---|---|
| 產品核心特點 |
1.Rds(on)典型6.5mΩ@VGS=10V；低導通內阻 2.低Crss反向傳輸電容；高速開關特性 3.全檢雪崩耐壓；優異dv/dt抗沖擊性能 |
| 應用場景 | PWM開關電路、電源管理IC、負載開關模塊 |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 | 備注條件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | Vdss | 30 | V | 常規耐壓額定值 |
| 25℃連續漏極電流 | Id | 40 | A | Tc=25℃殼體溫度 |
| 100℃連續漏極電流 | Id | 24 | A | Tc=100℃殼體溫度 |
| 脈沖峰值漏極電流 | Idm | 120 | A | 脈沖受結溫限制 |
| 柵源額定電壓 | Vgs | ±20 | V | 常態驅動電壓范圍 |
| 單次雪崩耐量 | Eas | 121 | mJ | 單脈沖雪崩能量 |
| 重復雪崩耐量 | Ear | 25 | mJ | 周期性雪崩負載 |
| 二極管臨界電壓變化率 | dv/dt | 5 | V/ns | 體二極管dv/dt參數 |
| 25℃耗散功率 | Pd | 36 | W | Tc=25℃ |
| 結溫&存儲溫度 | Tj/Tstg | -55~+150 | ℃ | 芯片工作與倉儲溫度 |
| 引腳極限焊溫 | Tl | 300 | ℃ | 距外殼1/8英寸，焊接5s |
| 參數名稱 | 符號 | 參數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 芯片結到外殼熱阻 | RθJC | 3.47 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | Min | Typ | Max | 單位 | 測試條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVdss | 30 | - | - | V | Vgs=0V,Id=250μA |
| 常溫漏源漏電流 | Idss | - | - | 1 | uA | Vds=30V,Vgs=0V |
| 125℃漏源漏電流 | Idss | - | - | 10 | uA | Vds=24V,Tc=125℃ |
| 柵源漏電流 | Igss | - | - | ±100 | nA | Vgs=±20V,Vds=0V |
| 柵極開啟閾值電壓 | Vgs(th) | 1.1 | 1.6 | 2.2 | V | Vds=Vgs,Id=250uA |
| 10V導通內阻 | Rds(on) | - | 6.5 | 8.5 | mΩ | Vgs=10V,Id=15A |
| 4.5V導通內阻 | Rds(on) | - | 10 | 13 | mΩ | Vgs=4.5V,Id=15A |
| 體二極管連續正向電流 | Is | - | - | 40 | A | 源漏正向連續電流 |
| 體二極管脈沖電流 | Ism | - | - | 120 | A | 源漏正向脈沖電流 |
| 體二極管正向壓降 | Vsd | - | 1.2 | - | V | Isd=15A,Vgs=0V,Tj=25℃ |
| 參數名稱 | 符號 | Typ值 | 單位 | 測試條件 |
|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | Ciss | 1271 | pF | Vds=15V,Vgs=0V,f=1MHz |
| 輸出電容 | Coss | 130 | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | 112 | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | 13 | ns | Vgs=10V,Vds=15V,Rg=3Ω,Id=15A |
| 電壓上升時間 | tr | 19 | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | 27 | ns | |
| 下降時間 | tf | 20 | ns | |
| 總柵電荷(10V) | Qg | 21 | nC | Vds=15V,Id=15A,Vgs=10V |
| 柵源電荷 | Qgs | 4.5 | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | 3.2 | nC | |
| 二極管反向恢復時間 | trr | 20 | ns | If=15A,di/dt=100A/μs |
| 反向恢復電荷 | Qrr | 23 | nC |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
