KNS5610A 100V 7A MOSFET SOT-89 低內阻現貨
信息來源：本站 日期：2026-05-21
98mΩ超低導通電阻 | 高頻DC-DC專用貼片MOS管
| 特性項目 | 說明 |
|---|---|
| RDS(ON)典型值 | 98mΩ @ VGS=10V |
| 工藝技術 | 高密度溝槽工藝 |
| 柵極電荷 | 超低柵極電荷，開關損耗低 |
| 抗干擾性能 | 優異的Cdv/dt抑制效果 |
| 環保合規 | 綠色器件，RoHS標準 |
| 高頻負載點同步降壓轉換器 |
| 網絡設備DC-DC電源系統 |
| 負載開關電路 |
| 項目 | 優勢說明 |
|---|---|
| 耐壓/電流 | 100V / 7A，小體積大能力 |
| 導通電阻 | 98mΩ@VGS=10V，發熱更低 |
| 開關性能 | 超低柵極電荷，高頻更穩定 |
| 封裝優勢 | SOT-89貼片，體積小、易布局 |
| 可靠性 | 寬溫工作，抗干擾能力強 |
| 環保認證 | RoHS合規，無鉛環保 |
三、KNS5610A同級平替型號對照表
| 品牌 | 競品型號 | 封裝 | 對標參數 |
|---|---|---|---|
| Infineon |
IRLML2803 IRLML6402 |
SOT-89 | 100V N溝道 小功率MOS |
| ON |
NTD4960 NTD3055 |
SOT-89 | 100V 低壓小體積MOS |
| VISHAY |
Si2310 Si2312 |
SOT-89 | 100V 低功耗 小電流 |
| 國產替代 |
SMK100N7 APM2310 HX100N7 |
SOT-89 | 100V/7A 直接替代型號 |
| 對比項 | KNS5610A | 同類競品 |
|---|---|---|
| 導通電阻 | 98mΩ，更低損耗 | 普遍120~200mΩ |
| 柵極電荷 | 超低Qg，開關更快 | 電荷偏高，損耗大 |
| 抗干擾 | 優異Cdv/dt抑制 | 常規性能 |
| 一致性 | 原廠晶圓，一致性高 | 參差不齊 |
| 性價比 | 高可靠、低成本 | 進口價高、交期不穩 |
| 產品型號 | 封裝 | 類型 | 適用場景 |
|---|---|---|---|
| KNS5610A | SOT-89 | N溝道MOSFET | 高頻DC?DC、網絡電源、負載開關 |
| 高頻同步降壓DC?DC轉換器 |
| 網絡設備電源管理系統 |
| 便攜式電子負載開關 |
| 小型電源模塊、適配器 |
| 家電控制、工業低壓控制板 |
| 高密度PCB空間受限設備 |
| 客戶痛點 | 解決方案 |
|---|---|
| 電源發熱嚴重、效率低 | 超低Rds(on)，降低導通損耗 |
| PCB空間小、無法布局 | SOT-89小封裝，節省空間 |
| 開關干擾大、系統不穩定 | 低柵電荷+強抗干擾設計 |
| 高溫環境易失效 | 寬溫-55~150℃，高可靠性 |
| 進口貨期長、成本高 | 國產原廠，現貨穩定價優 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNS5610A | SOT-89 | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | Vdss | - | 100 | V |
| 柵源電壓 | Vgs | - | 20 | V |
| 連續漏極電流 | Id | Tc=25℃, VGS@10V | 7 | A |
| Id | Tc=100℃, VGS@10V | 5.2 | A | |
| Id | Ta=25℃, VGS@10V | 2 | A | |
| Id | Ta=100℃, VGS@10V | 1.4 | A | |
| 脈沖漏極電流 | Idm | - | 14 | A |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 22.7 | W |
| Pd | Ta=25℃ | 2 | W | |
| 雪崩電流 | Ias | - | 6 | A |
| 工作/存儲溫度 | Tj, Tstg | - | -55~150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | - | 2.6 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | - | 48 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 100 | - | - | V |
| BVdss溫度系數 | ΔBVdss/ΔTj | 參考25℃, Id=1mA | - | 0.098 | - | V/℃ |
| 漏源導通電阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=5A | - | 98 | 115 | mΩ |
| Rds(on) | Vgs=4.5V, Id=3A | - | 110 | 125 | mΩ | |
| 柵極閾值電壓 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 1 | 1.85 | 3 | V |
| Vgs(th)溫度系數 | ΔVgs(th)/ΔTj | Vds=Vgs, Id=250μA | - | -4.57 | - | mV/℃ |
| 漏源漏電流 | Idss | Vds=80V, Vgs=0V, Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
| Idss | Vds=80V, Vgs=0V, Tj=55℃ | - | - | 5 | μA | |
| 柵源正向漏電流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨導 | gfs | Vds=5V, Id=10A | - | 13 | - | S |
| 柵極電阻 | Rg | Vds=0V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 1.8 | - | Ω |
| 總柵極電荷 | Qg | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 26.2 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 4.6 | - | nC |
| 柵漏電荷(Miller) | Qgd | Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V | - | 5.1 | - | nC |
| 開通延遲時間 | td(on) | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 4.2 | - | ns |
| 上升時間 | tr | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 8.2 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 35.6 | - | ns |
| 下降時間 | tf | Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V | - | 9.6 | - | ns |
| 輸入電容 | Ciss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 1535 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 60 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 37 | - | pF |
| 連續源極電流 | Is | Vd=Vg=0V, 正向電流 | - | - | 7 | A |
| 最大脈沖源極電流 | Ism | - | - | - | 49 | A |
| 二極管正向電壓 | Vsd | Is=1A, Vgs=0V, Tj=25℃ | - | - | 1.3 | V |
| 反向恢復時間 | trr | If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 37 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 27.3 | - | nC |
| 曲線編號 | 曲線名稱 | 說明 |
|---|---|---|
| Fig.1 | 典型輸出特性曲線 | Id與Vds關系，不同Vgs下的導通特性 |
| Fig.2 | 導通電阻-柵源電壓 | Rds(on)隨Vgs變化的趨勢 |
| Fig.3 | 反向二極管正向特性 | Is與Vsd關系，不同結溫對比 |
| Fig.4 | 柵極電荷特性曲線 | Vgs隨Qg變化，不同Vds對比 |
| Fig.5 | 歸一化Vgs(th)-結溫 | 閾值電壓隨溫度變化趨勢 |
| Fig.6 | 歸一化Rds(on)-結溫 | 導通電阻隨溫度變化趨勢 |
| Fig.7 | 電容特性曲線 | Ciss/Coss/Crss隨Vds變化 |
| Fig.8 | 安全工作區(SOA) | 不同脈寬下的Id-Vds安全邊界 |
| Fig.9 | 瞬態熱阻抗曲線 | 歸一化熱響應與脈沖寬度關系 |
| Fig.10 | 開關時間波形 | 開通/關斷延遲與上升下降時間波形 |
| Fig.11 | 柵極電荷波形 | Qg測試波形與雪崩能量公式 |
| 優勢項目 | 說明 |
|---|---|
| 低導通損耗 | 98mΩ典型Rds(on)，減少發熱 |
| 高頻性能優異 | 超低柵極電荷，開關速度快 |
| 抗干擾能力強 | 優異Cdv/dt抑制，穩定性高 |
| 小封裝大電流 | SOT-89封裝，節省PCB空間 |
| 工業級可靠性 | 寬溫-55~150℃，適應復雜環境 |
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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