KND3403B TO-252 30V 85A N溝道MOSFET 低內阻大電流
信息來源：本站 日期：2026-05-18
4.5mΩ超低內阻｜高溫不降額｜電機/電源/電池保護板專用
品牌：KIA（KMOS Semiconductor）
產品類型：N溝道增強型功率MOSFET
KNX3403B 是采用 KIA 低壓MOSFET工藝制造的N溝道增強型功率場效應管，優化的工藝和單元結構可實現極低的導通電阻和優異的開關性能，廣泛應用于UPS電源、逆變器系統電源管理等場景。
KND3403B（TO?252）與KNY3403B（DFN5×6）是KIA半導體推出的30V/85A N溝道增強型功率MOSFET，采用先進溝槽工藝，實現RDS(on)低至4.5mΩ、低柵極電荷、快速開關與優異抗dv/dt能力，適配低壓大電流高頻場景，覆蓋TO?252貼片與DFN5×6超薄封裝，兼顧散熱、體積與成本。
| 型號 | 封裝 | 極性 | 耐壓VDS | 電流ID | RDS(on)@10V |
|---|---|---|---|---|---|
| KND3403B | TO?252（DPAK） | N溝道 | 30V | 85A | 4.5mΩ（典型） |
| KNY3403B | DFN5×6（8L） | N溝道 | 30V | 85A | 4.5mΩ（典型） |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | VDS | VGS=0V | 30 | 30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | Tc=25℃ | 85 | 85 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | — | 340 | — | A |
| 柵源電壓 | VGS | — | ±20 | ±20 | V |
| 導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=20A | 4.5 | 5.5 | mΩ |
| 柵極電荷 | Qg | VDD=24V,ID=30A | 47 | — | nC |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,f=1MHz | 2200 | — | pF |
| 體二極管壓降 | VSD | IS=20A | 1.2 | 1.4 | V |
| 品牌 | 競品型號 | 耐壓 | 電流 | RDS(on)@10V | 封裝 | 替換備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 新潔能NCE | NCE3080K | 30V | 80A | 5.0mΩ | TO?252 | 參數接近，可直接替換 |
| AOS | AOD4132 | 30V | 85A | 4.8mΩ | TO?252 | 同參數，PIN對PIN |
| 英飛凌Infineon | IRL3803 | 30V | 74A | 5.3mΩ | TO?252 | 電流略小，兼容替換 |
| ST意法 | STD85N3LH5 | 30V | 80A | 4.2mΩ | TO?252 | 低內阻，可替換 |
| 芯燦微 | FDD6688 | 30V | 85A | 4.7mΩ | TO?252 | 國產替代，性價比高 |
| 品牌 | 競品型號 | 耐壓 | 電流 | RDS(on)@10V | 封裝 | 替換備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AOS | AON6962 | 30V | 85A | 4.6mΩ | DFN5×6?8L | 完全兼容，直接替換 |
| 拓鋒 | TF030N03N | 30V | 85A | 4.5mΩ | DFN5×6?8L | 同參數，國產替代 |
| 芯控源 | AGMH03N85A | 30V | 85A | 4.8mΩ | DFN5×6?8L | 超薄封裝，適配高密度PCB |
| 新潔能NCE | NCE20P85GU | 30V | 85A | 5.0mΩ | DFN5×6?8L | 國產主流，穩定供貨 |
| 應用領域 | 具體場景 |
|---|---|
| 電源管理 | DC?DC轉換器、同步整流、UPS、快充電源 |
| 電池系統 | BMS保護板、鋰電池充放電控制、移動電源 |
| 電機驅動 | 電動工具、風扇/水泵、電動車控制器 |
| 工業控制 | 負載開關、大電流配電、PWM逆變 |
| 消費電子 | 適配器、LED驅動、背光電源 |
備注：以上參數基于KIA官方 datasheet（Rev1.1，2025?11），批量生產前請以最新規格書為準。
| 封裝形式 | 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|---|
| TO-252 | 1 | Gate（柵極） |
| TO-252 | 2 | Drain（漏極） |
| TO-252 | 3 | Source（源極） |
| DFN5*6 | 4 | Gate（柵極） |
| DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain（漏極） |
| DFN5*6 | 1,2,3 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3403B | TO-252 | KIA |
| KNY3403B | DFN5*6 | KIA |
| 參數 | 符號 | 條件 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 30 | V |
| 漏極電流 ID | ID | TC=25℃ | 85 | A |
| ID | TC=100℃ | 61 | A | |
| 脈沖漏極電流 | IDM | - | 340 | A |
| 柵源電壓 | VGSS | - | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | - | 156 | mJ |
| 功耗 PD | PD | TC=25℃ | 71 | W |
| PD | 25℃以上降額 | 0.47 | W/℃ | |
| 工作與存儲溫度范圍 | TJ,TSTG | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 2.1 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 參數類別 | 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, I=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA | |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 導通特性 | 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 0.8 | 1.3 | 2.5 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.5 | 5.5 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=15A | - | 5.5 | 7.2 | mΩ | |||
| 柵極電阻 | RG | f=1.0MHz | - | 5 | - | Ω | |
| 動態特性 | 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 2200 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 270 | - | pF | ||
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 205 | - | pF | ||
| 開關特性 | 開通延遲時間 | td(on) | VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω | - | 11 | - | ns |
| 開通上升時間 | tr | - | 87 | - | ns | ||
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 140 | - | ns | ||
| 關斷下降時間 | tf | - | 82 | - | ns | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷 | Qg | VDD=24V, ID=30A, VGS=10V | - | 47 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 8.5 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 9.9 | - | nC | ||
| 體二極管特性 | 連續源極電流 | IS | 體二極管電流 | - | - | 85 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | - | 340 | A | |
| 漏源二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1.4 | V | |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IS=30A, dlF/dt=100A/us | - | 15 | - | ns | |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 7 | - | uC |
備注：以上數據均來自KIA官方 datasheet Rev 1.1（Nov. 2025），實際應用請以最新版規格書為準。
聯系方式：鄒先生
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QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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