KNM64100A 替代 IXFH13N100 STW13NK100Z
信息來(lái)源：本站 日期：2026-05-15
1000V13A MOS 管 引腳 1:1 兼容 成本降低 55%
KIA64100A是一款高性能1000V高壓N溝道MOSFET，采用先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)，具備快速開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通電阻和快恢復(fù)體二極管，適用于各種高壓功率電子應(yīng)用。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：KNM64100A是一款高性能1000V高壓N溝道MOSFET，標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，具備13A連續(xù)電流、0.85Ω超低導(dǎo)通電阻與1000mJ高雪崩能量，內(nèi)置快恢復(fù)體二極管，專為光伏逆變器、工業(yè)逆變器和高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。
核心優(yōu)勢(shì)：1000V高耐壓｜0.85Ω低內(nèi)阻｜1000mJ雪崩能量｜快恢復(fù)體二極管｜快速開(kāi)關(guān)｜工業(yè)級(jí)寬溫
封裝選型：KNM64100A(TO-247) 標(biāo)準(zhǔn)大功率插件
| 訂貨型號(hào) | 封裝形式 | 適用場(chǎng)景 |
|---|---|---|
| KNM64100A | TO-247 | 光伏逆變器、工業(yè)逆變器、高壓電源、電機(jī)控制、UPS |
| 品牌 | 競(jìng)品型號(hào) | 兼容封裝 | 核心對(duì)標(biāo)參數(shù) | KNM64100A優(yōu)勢(shì) |
|---|---|---|---|---|
| 新潔能 | NCE1013A | TO-247 | 1000V/13A 0.9Ω | 導(dǎo)通電阻低6%，發(fā)熱更小 |
| 意法半導(dǎo)體 | STW13NK100Z | TO-247 | 1000V/13A 0.92Ω | 快恢復(fù)體二極管，效率更高 |
| IXYS | IXFH13N100 | TO-247 | 1000V/13A 進(jìn)口 | 成本降低55%，交期穩(wěn)定 |
| 英飛凌 | IPP13N10S3-10 | TO-247 | 1000V/13A 0.95Ω | 性價(jià)比更高，國(guó)產(chǎn)替代首選 |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流(25℃) | ID | 13 | A |
| 連續(xù)漏極電流(100℃) | ID | 8.2 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 52 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1000 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | 312 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼熱阻 | RθJC | 0.4 | ℃/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 1000 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 3.5 | V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=6.5A | 0.85 | Ω |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=500V,ID=13A,VGS=10V | 82 | nC |
| 體二極管正向電壓 | VSD | IS=13A,VGS=0V | 1.5 | V |
| 引腳號(hào) | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (柵極) |
| 2 | Drain (漏極) |
| 3 | Source (源極) |
| 訂貨型號(hào) | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNM64100A | TO-247 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 13 (TC=25℃) | A |
| 8.2 (TC=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 52 | A |
| 單脈沖雪崩能量 (L=0.5mH) | EAS | 1000 | mJ |
| 峰值二極管恢復(fù)dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns |
| 最大耗散功率 (TC=25℃) | PD | 312 | W |
| 25℃以上降額系數(shù) | 2.5 | W/℃ | |
| 焊接溫度 (距外殼1.6mm，10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 封裝本體焊接溫度 (10秒) | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
注意：超過(guò)"絕對(duì)最大額定值"的應(yīng)力可能導(dǎo)致器件永久性損壞
| 參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼熱阻 | RθJC | 0.4 | ℃/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 (Off Characteristics) | ||||||
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=1000V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 10 | μA |
| VDS=800V, TJ=125℃ | - | - | 250 | |||
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 導(dǎo)通特性 (On Characteristics) | ||||||
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=6.5A | - | 0.85 | 1.15 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 動(dòng)態(tài)特性 (Dynamic Characteristics) | ||||||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 3865 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 104 | - | ||
| 輸出電容 | Coss | - | 240 | - | ||
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=500V, ID=13A, VGS=0~10V | - | 82 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 20 | - | ||
| 柵漏(米勒)電荷 | Qgd | - | 26 | - | ||
| 開(kāi)通延遲時(shí)間 | td(ON) | VDD=500V, VGS=10V, RG=4.7Ω, ID=13A | - | 30 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | tr | - | 65 | - | ||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(OFF) | - | 38 | - | ||
| 下降時(shí)間 | tf | - | 35 | - | ||
| 漏源體二極管特性 (Drain-Source Diode Characteristics) | ||||||
| 連續(xù)源極電流 | ISD | MOSFET內(nèi)置PN二極管 | - | - | 13 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 52 | ||
| 二極管正向電壓 | VSD | IS=13A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | VGS=0V, IF=13A, diF/dt=100A/μs | - | 591 | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 5.4 | - | μC | |
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個(gè)qq）
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