KIA3510A 直接替代 IRF3710 NCE3510A CR3510A
信息來(lái)源：本站 日期：2026-05-13
100V75A N 溝道 MOSFET 引腳 1:1 兼容 無(wú)需改板
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 型號(hào) | KIA 3510A |
| 類型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 封裝形式 | TO-252 / TO-263 / TO-220 |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：KIA3510A是一款高性能中壓大電流N溝道MOSFET，提供TO-252/TO-263/TO-220三種封裝選擇，
具備100V耐壓、75A連續(xù)電流、9mΩ超低導(dǎo)通電阻與225mJ高雪崩能量，100%通過(guò)雪崩測(cè)試，是逆變器、
開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景的理想選擇。
核心優(yōu)勢(shì)：9mΩ低導(dǎo)通電阻｜75A大電流｜225mJ高雪崩能量｜100%雪崩測(cè)試｜三封裝可選｜RoHS合規(guī)
封裝選型：KIA3510AD(TO-252)小體積｜KIA3510AB(TO-263)大電流｜KIA3510AP(TO-220)插件式
| 品牌 | 競(jìng)品型號(hào) | 對(duì)應(yīng)封裝 | 核心對(duì)標(biāo)參數(shù) | KIA3510A 優(yōu)勢(shì) |
|---|---|---|---|---|
| 士蘭微 | SVT3510A | TO-252/TO-263/TO-220 | 100V/75A Rds(on)=10mΩ | 導(dǎo)通電阻低10%，發(fā)熱更小 |
| 華潤(rùn)微 | CR3510A | TO-252/TO-263/TO-220 | 100V/75A Rds(on)=9.5mΩ | 雪崩能量更高(225mJ) |
| 新潔能 | NCE3510A | TO-252/TO-263/TO-220 | 100V/75A Rds(on)=9mΩ | 交期更穩(wěn)定，現(xiàn)貨充足 |
| 揚(yáng)杰 | YJ3510A | TO-252/TO-263/TO-220 | 100V/75A Rds(on)=9.2mΩ | 反向恢復(fù)時(shí)間更短(46ns) |
| 英飛凌 | IRF3710/IRFR3710 | TO-220/TO-252 | 100V/57A Rds(on)=18mΩ | 電流大31%，成本降40% |
| 安森美 | NTD70N10 | TO-263 | 100V/70A Rds(on)=11mΩ | 電流更大，導(dǎo)通電阻更低 |
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 主型號(hào) | KIA3510A |
| 訂貨型號(hào) | KIA3510AD(TO-252) / KIA3510AB(TO-263) / KIA3510AP(TO-220) |
| 類型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 漏源電壓 VDSS | 100V |
| 連續(xù)漏極電流 ID | 75A(TO-263/220) / 65A(TO-252) @ Tc=25℃ |
| 導(dǎo)通電阻 RDS(ON) | 9mΩ(typ)@VGS=10V, ID=50A |
| 柵源電壓 VGSS | ±25V |
| 工作結(jié)溫 | -55℃ ~ +175℃ |
| 合規(guī)標(biāo)準(zhǔn) | RoHS 無(wú)鉛環(huán)保 |
| 參數(shù) | 符號(hào) | TO-263/220 | TO-252 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 100 | 100 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±25 | ±25 | V |
| 連續(xù)漏極電流(Tc=25℃) | ID | 75 | 65 | A |
| 連續(xù)漏極電流(Tc=100℃) | ID | 51 | 44 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDP | 219 | 219 | A |
| 雪崩能量 | EAS | 225 | 225 | mJ |
| 最大耗散功率(Tc=25℃) | PD | 166 | 166 | W |
| 最高結(jié)溫 | TJ | 175 | 175 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 結(jié)到外殼熱阻 | RθJC | 0.9 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 100 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3 | V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=50A | 9 | mΩ |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, 1MHz | 2946 | pF |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=50V, ID=30A | 60 | nC |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | ISD=50A | 46 | ns |
| 二極管正向電壓 | VSD | ISD=50A, VGS=0V | 1.3 | V |
| 引腳號(hào) | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (柵極) |
| 2 | Drain (漏極) |
| 3 | Source (源極) |
| 訂貨型號(hào) | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KIA3510AD | TO-252 | KIA |
| KIA3510AB | TO-263 | KIA |
| KIA3510AP | TO-220 | KIA |
| 參數(shù) | 符號(hào) | TO-263/220 | TO-252 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 100 | 100 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±25 | ±25 | V |
| 最高結(jié)溫 | TJ | 175 | 175 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55 ~ +175 | -55 ~ +175 | ℃ |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 75 (TC=25℃) | 65 (TC=25℃) | A |
| 51 (TC=100℃) | 44 (TC=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 (TC=25℃) | IDP | 219 | 219 | A |
| 雪崩電流 | IAS | 30 | 30 | A |
| 雪崩能量 | EAS | 225 | 225 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | 166 (TC=25℃) | 166 (TC=25℃) | W |
| 83 (TC=100℃) | 83 (TC=100℃) | W |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 結(jié)到外殼熱阻 | RθJC | 0.9 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 靜態(tài)特性 (Static Characteristics) | ||||||
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, IDS=250μA | 100 | - | - | V |
| 零柵壓漏電流 | IDSS | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=125℃ | - | - | 20 | μA | ||
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±25V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, IDS=50A | - | 9 | 11 | mΩ (TO-263/220) |
| - | 9 | 14 | mΩ (TO-252) | |||
| 動(dòng)態(tài)特性 (Dynamic Characteristics) | ||||||
| 柵極電阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.2 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2946 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 339 | - | ||
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 179 | - | ||
| 開(kāi)通延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=50V, IDS=30A, RG=6.8Ω, VGS=10V | - | 15 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | tr | - | 108 | - | ||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | 51 | - | ||
| 下降時(shí)間 | tf | - | 59 | - | ||
| 柵極電荷特性 (Gate Charge Characteristics) | ||||||
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=50V, VGS=10V, IDS=30A | - | 60 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 13.7 | -- | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 22.8 | -- | ||
| 二極管特性 (Diode Characteristics) | ||||||
| 二極管正向電壓 | VSD | ISD=50A, VGS=0V | - | - | 1.3 | V |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | ISD=50A, dISD/dt=100A/μs | - | 46 | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 86 | - | nC | |
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個(gè)qq）
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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