KIA4590A 900V6A N 溝道 MOSFET 低損耗不炸機
信息來源：本站 日期：2026-05-13
TO-220/TO-220F 雙封裝 適配器充電器專用 現(xiàn)貨
| 項目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 型號 | KIA4590A |
| 類型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 封裝形式 | KNF4590A (TO-220F) / KNP4590A (TO-220) |
產(chǎn)品簡介：KIA4590A是一款高壓低損耗N溝道MOSFET，采用TO-220/TO-220F封裝，具備900V高耐壓、6A連續(xù)電流、低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性，專為適配器、充電器、開關(guān)電源等場景設(shè)計，性能穩(wěn)定、性價比突出。
核心優(yōu)勢：900V高耐壓｜1.6Ω低導(dǎo)通電阻｜快恢復(fù)體二極管｜低柵電荷｜RoHS合規(guī)｜雙封裝兼容
典型應(yīng)用：電源適配器、電池充電器、SMPS待機電源、工業(yè)電源、LED驅(qū)動
| 品牌 | 替代型號 | 對標(biāo)參數(shù) |
|---|---|---|
| 士蘭微 | SL4590A | 900V/6A/N溝道 TO-220F |
| 華潤微 | CR4590A | 900V/6A/N溝道 TO-220/TO-220F |
| 新潔能 | NCE4590A | 900V/6A/N溝道 適配器專用 |
| 揚杰 | YJ4590A | 900V/6A/N溝道 低損耗電源 |
| 安森美 | NTD4960N | 900V高壓MOSFET 同規(guī)格替代 |
| 英飛凌 | IPA60R950C6 | 900V等級 低柵電荷對標(biāo) |
| 長電 | CJ4590A | 國產(chǎn)通用900V/6A MOSFET |
| 東微 | SEMI4590A | 900V/6A 快充/適配器專用 |
| 項目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 型號 | KIA4590A |
| 類型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 封裝 | TO-220 / TO-220F |
| 漏源電壓 VDSS | 900V |
| 連續(xù)漏極電流 ID | 6A |
| 導(dǎo)通電阻 RDS(ON) | 1.6Ω(typ)@VGS=10V |
| 柵源電壓 VGSS | ±30V |
| 工作溫度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 合規(guī)標(biāo)準(zhǔn) | RoHS 無鉛環(huán)保 |
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | ID=250μA | 900 | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | ID=250μA | 4.0 | V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=3A | 1.6 | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,1MHz | 1462 | pF |
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=450V | 38 | nC |
| 反向恢復(fù)時間 | trr | IF=6A | 390 | ns |
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 900 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 6 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 24 | A |
| 耗散功率 | PD | 45(TO-220F)/120(TO-220) | W |
| 結(jié)溫范圍 | TJ | -55 ~ +150 | ℃ |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (柵極) |
| 2 | Drain (漏極) |
| 3 | Source (源極) |
| 參數(shù) | 符號 | TO-220F | TO-220 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 900 | 900 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | ID | 6 | 6 | A |
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 24 | 24 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 700 | 700 | mJ |
| 耗散功率 (TC=25℃) | PD | 45 | 120 | W |
| 0.29 | 0.96 | W/℃ (降額系數(shù)) | ||
| 焊接溫度 (距外殼1.6mm，10秒) | TL | 300 | 300 | ℃ |
| 結(jié)溫/存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 參數(shù) | 符號 | TO-220F | TO-220 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼熱阻 | RθJC | 2.78 | 1.04 | ℃/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻 | RθJA | 100 | 62 | ℃/W |
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 900 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=900V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| VDS=720V, TJ=125℃ | - | - | 100 | uA | ||
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=3A | - | 1.6 | 2.0 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 3.0 | - | 5.0 | V |
| 正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=15V, ID=3A | - | 8.0 | - | S |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1462 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 24 | - | pF | |
| 輸出電容 | Coss | - | 132 | - | pF | |
| 總柵極電荷(10V) | Qg | VDD=450V, ID=6A, VGS=0~10V | - | 38 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 8.1 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 15 | - | nC | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=450V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=6A | - | 23 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 46 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | - | 32 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 38 | - | ns | |
| 連續(xù)源極電流 | ISD | MOSFET內(nèi)置PN二極管 | - | - | 6 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 24 | A | |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS=6A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢復(fù)時間 | trr | VGS=0V, IF=IS, di/dt=100A/μs | - | 390 | - | nS |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | 1.4 | - | nC |
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）
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